化学机械抛光用的游星轮的制作方法

文档序号:11297517阅读:449来源:国知局
化学机械抛光用的游星轮的制造方法与工艺

本实用新型涉及半导体设备技术领域,特别是涉及一种化学机械抛光用的游星轮。



背景技术:

化学机械抛光(CMP)技术是一个机械作用和化学作用相平衡的过程。例如在先进的双面超薄晶片抛光工艺中,利用两个大盘中间夹着游星轮,把晶片固定在游星轮上,通过大盘的逆向转动和游星轮的自转动带动晶片在抛光垫上作用。此时化学作用为碱性的抛光液与晶片表面接触发生腐蚀反应,晶片表面会被碱液腐蚀,摩擦则将该腐蚀层去除,通过循环这两个作用过程,就可以实现晶片的抛光。

但是上述双面抛光工艺中,所有晶片都是上下两面都做抛光,因此对于很多只需要做单面抛光的晶片,浪费了产能。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种化学机械抛光用的游星轮,在进行CMP时,对于单面抛光的晶片,可提高一倍的产能。本实用新型采用的技术方案是:

一种化学机械抛光用的游星轮,包括轮体,其主要改进之处在于,

所述轮体包括上层轮体和下层轮体,在上下两层轮体中间设有隔板;

在上下两层轮体中各开出凹槽;在凹槽中设有吸附衬垫;使用时把晶片放置于吸附衬垫,凹槽四周边沿挡住晶片;

在轮体上开有贯通轮体的通孔,通孔位置避开用于放置晶片的凹槽位置。

进一步地,用于放置晶片的凹槽位置为上下对称。

进一步地,隔板的厚度为30μm~1mm。

进一步地,用于放置晶片的凹槽深度范围在30μm~1mm。

进一步地,吸附衬垫厚度20μm~500μm。

进一步地,游星轮材质是金属、金属合金、塑料材料、陶制品或碳制品,或上述材料的混合物。

本实用新型的优点在于:放置晶片的位置并不是开设的通孔,而是在游星轮轮体上下各设一个凹槽,里面有吸附衬垫,可以在游星轮中上下同时放置两个晶片,在对晶片进行单面抛光时,同样的时间可以抛光两倍数量的晶片,提高了抛光产能。

附图说明

图1为现有抛光机的部分结构示意图。

图2a和图2b为现有游星轮的示意图。

图3为本实用新型的游星轮结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示为现有的双面抛光机,在进行CMP工艺时,晶片1是固定在游星轮2中,如图2a所示;游星轮2上下各有一个大盘3把游星轮2夹在中间,抛光垫4贴在大盘3内表面,利用两个抛光垫4夹住晶片1进行转动,从而对晶片1上下两面同时抛光,该装置喷淋抛光液的管道位于上、下抛光垫上,抛光液被淋在晶片上面和下抛光垫上面。

如图2a和图2b所示为现有技术中所使用的游星轮2,一般都是圆形,在游星轮2中开的较大开孔用于放置晶片1,其它四周开小孔,小孔的作用有助于抛光时加快抛光液在游星轮2和晶片1上的流动性以及分散均匀性;游星轮2上的开孔都是通透的,晶片1放在里面只有横向受到游星轮2的推力,晶片上下待抛光面直接跟上下两个抛光垫4接触。

本实用新型提出的一种游星轮2,如图3所示,包括轮体,所述轮体包括上层轮体201和下层轮体202,在上下两层中间设有隔板203;隔板203的厚度为30μm~1mm;在上下两层轮体中各开出凹槽,凹槽深度跟待抛光晶片1厚度相关,深度范围在30μm~1mm;在凹槽中设有吸附衬垫204;使用时把晶片1放置于吸附衬垫204,凹槽四周边沿可挡住晶片1使其不会向四周滑动,减小碎片的风险;用于放置晶片1的凹槽位置为上下对称;

在轮体上开贯通轮体的通孔205,通孔205位置避开用于放置晶片1的凹槽位置。通孔205数量为1~20个;上述凹槽可以是圆形或矩形;此处通孔205的直径为1cm~20cm,通孔205有助于抛光时加快抛光液在游星轮2和晶片1上的流动性以及分散均匀性;

游星轮2材质可以是金属、金属合金、塑料材料(Polymer)、陶制品、碳制品、及上述材料的混合物。吸附衬垫204厚度20μm~500μm,其材质为陶瓷材料或者聚合塑料等有机合成材料。

本实用新型提出的游星轮,放置晶片的位置并不是开设的通孔,而是在轮体上下各设一个凹槽,里面有吸附衬垫,可以在游星轮中上下同时放置两个晶片,在对晶片进行单面抛光时,同样的时间可以抛光两倍数量的晶片,提高了抛光产能。

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