一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条的制作方法

文档序号:11308624阅读:469来源:国知局

本实用新型涉及一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条,属于CVD金刚石磨粒磨条技术领域。



背景技术:

CVD多晶金刚石是指利用低压化学气相沉积技术人工制备的一种膜状金刚石,以区别于利用高压高温(HPHT)技术人工制备的颗粒状单晶金刚石。低压化学气相沉积(CVD)金刚石技术是70年代中后期发展起来的一种新兴技术,是继50年代中期利用高压高温法在触媒的催化作用下将石墨转化为金刚石以来,人工合成金刚石领域的又一次重大突破。它预示着人类将能充分利用金刚石的各种优异物理性质。

众所周知,金刚石具有非常优异的性能,具体表现为:具有最高的硬度、室温下热导率最高、热膨胀系数小、全波段高光学透过率、声传播速度快、介电性能好、掺杂后具有半导体性质、以及具有极佳的化学稳定性等。正是金刚石具有这些独特优异性能,使金刚石在机械、电子工业、光学、声学等领域有着广阔的潜在应用前景。

CVD金刚石磨粒磨条在修整工具方面的应用扩大了修整技术方面的选择。由于CVD金刚石是多晶结构,这就意味着其性能和修整与取向无关,其在整个修整过程条坯本身磨耗均匀一致,不易崩边断裂。

但是目前有些CVD金刚石磨粒磨条由于生长或者切割的原因存在微裂纹,影响了修整工具的性能。如果为保证尺寸精度进行了双面研磨,就会掩盖了这些微裂纹,而且难以区分成核面和生长面。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条。

一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条,热丝CVD、直流喷射CVD法或者微波CVD法生长的金刚石膜原料片被研磨至磨粒厚度尺寸公差范围内,有成核面及生长面。

CVD多晶金刚石磨条是热丝CVD、直流喷射CVD、或者是微波CVD法生长的金刚石膜。

CVD多晶金刚石磨条是条状和粒状、或者是方片状、三角状以及异形金刚石膜坯料。

一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条,有成核面及生长面,将CVD多晶金刚石磨粒磨条的成核面进行抛光。

一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条,取热丝CVD、直流喷射CVD法或者微波CVD法生长的金刚石膜原料片,研磨至磨粒厚度尺寸公差范围内,采用机械抛光的方法将原料片的成核面抛光,然后按磨粒尺寸要求进行激光切割;用肉眼或者放大镜检测成核面,剔除不合格的磨粒。

按磨粒尺寸要求进行激光切割,然后采用化学抛光的方法将磨条的成核面抛光;用肉眼或者放大镜检测成核面,剔除不合格的磨条。

抛光可以是机械、化学或者二者结合的方法。

抛光可以是在磨粒磨条激光切割之前,抛光也可以是在磨粒磨条激光切割之后。

本实用新型的优点是可以解决CVD多晶金刚石磨粒磨条的质量检测,金刚石膜的成核面经过镜面抛光后,微小的缺陷和裂纹都将清晰可见,而且很容易区分成核面和生长面,这将有助于剔除不合格的磨粒磨条,提高修整工具的合格率。

附图说明

当结合附图考虑时,通过参照下面的详细描述,能够更完整更好地理解本实用新型以及容易得知其中许多伴随的优点,但此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定,如图其中:

图1为本实用新型的结构示意图。

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

具体实施方式

显然,本领域技术人员基于本实用新型的宗旨所做的许多修改和变化属于本实用新型的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解,当称元件、组件被“连接”到另一元件、组件时,它可以直接连接到其他元件或者组件,或者也可以存在中间元件或者组件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。

为便于对本实用新型实施例的理解,下面将做进一步的解释说明,且各个实施例并不构成对本实用新型实施例的限定。

实施例1:如图1所示,一种成核面镜面抛光的CVD(化学气相沉积)多晶金刚石磨粒磨条,用机械、化学或者二者结合的方法将多晶金刚石磨粒磨条的成核面进行抛光。所述的抛光,可以是在磨粒磨条激光切割之前,也可以是在磨粒磨条激光切割之后。所述的磨粒磨条,不限于条状和粒状,且包括方片状、三角状以及其他异形。

一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨粒;取热丝CVD、直流喷射CVD法或者微波CVD法生长的金刚石膜原料片,研磨至磨粒厚度尺寸公差范围内,采用机械抛光的方法将原料片的成核面抛光,然后按磨粒尺寸要求进行激光切割。用肉眼或者放大镜检测成核面,剔除不合格的磨粒。

实施例2:一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条;取热丝CVD、直流喷射CVD法或者微波CVD法生长的金刚石膜原料片,研磨至磨条厚度尺寸公差范围内,按磨粒尺寸要求进行激光切割,然后采用化学抛光的方法将磨条的成核面抛光。用肉眼或者放大镜检测成核面,剔除不合格的磨条。

实施例3一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨粒磨条,将CVD多晶金刚石磨粒磨条的成核面1进行抛光;可以是热丝CVD、直流喷射CVD、也可以是微波CVD法生长的金刚石膜;可以是条状和粒状、也可以是方片状、三角状以及其他异形金刚石膜坯料;可以是机械、化学或者二者结合的方法;可以是在磨粒磨条激光切割之前,也可以是在磨粒磨条激光切割之后。

一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨粒磨条,有成核面1及生长面2,解决CVD多晶金刚石磨粒磨条的检测(剔除有缺陷和裂纹的产品),采用将CVD多晶金刚石磨粒磨条成核面1进行镜面抛光,然后用肉眼或者放大镜检测抛光面有无裂纹。本实用新型使用方法简单,对工人的技术水平要求低,检测效率高。

如上所述,对本实用新型的实施例进行了详细地说明,但是只要实质上没有脱离本实用新型的发明点及效果可以有很多的变形,这对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此,这样的变形例也全部包含在本实用新型的保护范围之内。

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