1.一种用于热化学气相沉积的基片托盘，包括：
中心托盘和边缘环，所述边缘环围绕在中心托盘外围，中心托盘外侧壁上包括一上延伸部，边缘环开口内侧壁上包括一下延伸部，所述上延伸部设置在所述下延伸部上方，使得中心托盘得到边缘环的支撑，
所述边缘环的底面包括第一区域和第二区域，其中第一区域形状与用于支撑托盘的支撑桶顶部匹配，实现对边缘环的支撑和旋转，第二区域位于所述第一区域和所述支撑桶外侧，用于与机械臂配合举升并移动所述基片托盘。
2.如权利要求1所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘表面由第一材料制成，边缘环表面由第二材料制成，所述第一材料是碳化硅涂层，第二材料包括SiN、BN和sialon陶瓷之一。
3.如权利要求2所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘基体为石墨，石墨外涂有碳化硅涂层，边缘环整体由第二材料制成。
4.如权利要求1所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述基片托盘还包括一补偿环位于所述中心托盘和边缘环之间，所述补偿环包括位于中间环开口内侧的下延伸部和位于中间环外侧的上延伸部，与所述边缘环的下延伸部和中心托盘的上延伸部互相匹配，使得中心托盘、补偿环依次叠放在边缘环上。
5.如权利要求1所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘上表面包括至少一个凹陷部用于放置基片。
6.如权利要求4所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘和补偿环上表面包括至少一凹陷部用于放置基片。
7.如权利要求1所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述上延伸部的下表面包括第一倾斜面，下延伸部的上表面包括第二倾斜面，所述第一倾斜面和第二倾斜面互相匹配，使得两个倾斜面互相贴合。
8.如权利要求1所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述下延伸部上表面还包括一个向上延伸的支撑部，所述支撑部的顶表面与所述中心托盘的上延伸部的部分底面接触，以支撑所述中心托盘。
9.如权利要求8所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘的上延伸部外侧端面与边缘环内侧壁之间存在第一间隙(g2)。
10.如权利要求9所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述支撑部与中心托盘外侧壁之间存在第二间隙(g1)，第一间隙和第二间隙大于0.3mm小于1.5mm。
11.如权利要求8所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述上延伸部外侧包括一个向下延伸的填充部，所述填充部与边缘环内壁和所述支撑部之间存在间隙。
12.一种用于热化学气相沉积的基片托盘，所述基片托盘包括多个组合部件，所述多个组合部件包括：
一个中心托盘和多个边缘环，所述边缘环围绕在中心托盘外围，所述中心托盘和多个边缘环从内到外依次排列，其中每个组合部件之间通过支撑装置与相邻的组合部件固定，所述支撑装置包括位于内侧组合部件外侧壁上的上延伸部，以及与所述上延伸部匹配的相邻组合部件内侧壁上的下延伸部，
其中最外侧边缘环底面包括第一区域和第二区域，其中第一区域形状与用于与支撑托盘的支撑桶顶部匹配，实现对基片托盘边缘环的支撑和旋转，第二区域位于所述第一区域和所述支撑桶外侧，用于与机械臂配合举升并移动所述基片托盘。
13.如权利要求12所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘上包括一凹陷部用于设置基片。
14.如权利要求12所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述中心托盘表面由第一材料制成，最外侧边缘环表面由第二材料制成，所述第一材料是碳化硅涂层，第二材料包括SiN、BN和sialon陶瓷之一。
15.如权利要求12所述的用于热化学气相沉积的基片托盘，其特征在于，所述支撑装置中下延伸部上表面还包括一个向上延伸的垂直支撑部，所述垂直支撑部顶表面与所述中心托盘的上延伸部的部分底面接触，以支撑所述中心托盘，所述中心托盘的上延伸部外侧端面与边缘环内侧壁之间存在一间隙(g2)。
16.一种热化学气相沉积反应器，包括一反应腔，所述反应腔内包括：
一基片托盘，所述基片托盘包括一个中心托盘和一个边缘环，所述边缘环围绕在中心托盘外围，中心托盘外侧壁上包括一上延伸部，边缘环开口内侧壁上包括一下延伸部，所述上延伸部设置在所述下延伸部上方，使得中心托盘得到边缘环的支撑，所述边缘环的底面包括第一区域和第二区域；
一支撑桶，包括一环形顶部，所述环形顶部与所述边缘环底面的第一区域接触，实现对基片托盘边缘环的支撑和旋转，第二区域位于所述第一区域和所述支撑桶外侧，用于与机械臂配合举升并移动所述基片托盘，
一进气装置，将反应气体供应到所述基片托盘上方；
一加热器，位于所述支撑桶内，所述基片托盘下方；
一抽气装置，位于所述反应腔的底部，使得所述反应腔在化学气相沉积过程中处于真空状态。
17.如权利要求16所述的热化学气相沉积反应器，其特征在于，所述中心托盘表面由第一材料制成，边缘环表面由第二材料制成，所述第一材料是碳化硅涂层，第二材料包括SiN、BN和sialon陶瓷之一。
18.如权利要求16所述的热化学气相沉积反应器，其特征在于，所述中心托盘上表面包括至少一个凹陷部用于放置基片。
19.如权利要求16所述的热化学气相沉积反应器，其特征在于，所述下延伸部上表面还包括一个向上延伸的支撑部，所述支撑部顶表面与所述中心托盘的上延伸部的部分底面接触，以支撑所述中心托盘，所述上延伸部外侧端面与边缘环内侧壁之间存在一间隙(g2)。