一种制备二维材料金属电极的掩膜版的制作方法

文档序号:14770557发布日期:2018-06-23 01:25阅读:来源:国知局
一种制备二维材料金属电极的掩膜版的制作方法

技术特征:

1.一种制备二维材料金属电极的掩膜版,其特征在于,它包括硅片框架(1)及铜网(2),所述硅片框架(1)由两片对称设置的方形硅片与两条平行设置的长条形硅片呈“口”字形搭接,且搭接部位由导电胶粘合;

所述铜网(2)为铜丝网裁剪的圆片,铜网(2)覆盖在硅片框架(1)两条长条形的硅片上,且铜网(2)的圆心与硅片框架(1)的几何中心重合,铜网(2)与两条长条形硅片的重叠部位用双面胶粘合。

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