技术特征：
技术总结
一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：衬底，衬底包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，掩膜图形层包括相邻的图形区和遮挡区，图形区具有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，其中，开口露出图形区，且每一图形区与开口相对应；牺牲层，位于衬底和掩膜图形层之间。本发明所述掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高所述掩膜版的质量和通孔精准度，且有利于减小通孔尺寸和掩膜图形层厚度，还能防止掩膜图形层和衬底产生移位，掩膜版的质量和精准度更高。
技术研发人员：刘孟彬;罗海龙
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2018.10.09