一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的制作方法

文档序号:24390866发布日期:2021-03-23 11:25阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,包括:

抛光机构,所述抛光机构中具有:

抛光台,所述抛光台设置在所述抛光机构上;

抛光垫,所述抛光垫附着在所述抛光台上;

驱动装置,所述驱动装置安装在所述抛光机构中,所述驱动装置连接所述抛光垫;

对接机构,所述对接机构设置在所述抛光机构的侧端,所述对接机构具有:

第一伸缩结构;

柱体,所述柱体可旋转连接所述第一伸缩结构的伸缩端,所述柱体上具有:

竖齿,所述竖齿均匀分布在柱体表面上;

旋转装置;

齿轮,所述齿轮连接所述旋转装置,所述齿轮啮合所述竖齿;

注液结构,所述注液结构安装在所述柱体上,所述注液结构为圆形构造,所述注液结构具有:

套口,所述套口大小与抛光垫的大小相适应;

出液嘴,所述出液嘴设置在所述套口内;

抛光头,所述抛光头设置在所述抛光机构上端。

2.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述注液结构还具有入液口,所述入液口用于将外界的抛光浆料输送至注液结构中。

3.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置还包括:

第二伸缩结构,所述第二伸缩结构连接所述抛光头。

4.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述抛光头具有:

动力装置;

吸附载体,所述吸附载体连接所述动力装置,所述吸附载体用于吸附硅片。

5.根据权利要求4所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述吸附载体包括:

定位环,所述定位环为中空结构,所述定位环安装在所述吸附载体上,所述定位环与所述吸附载体同轴;

载片环,所述载片环为中空结构,所述载片环安装在所述定位环中,且与所述定位环同轴,所述载片环具有:

安装口,所述安装口用于安放硅片,所述安装口大小与硅片大小相适应;

限位单元,所述限位单元径向安装在所述载片环外径,所述限位单元嵌入在所述定位环上形成凹凸结构。

6.根据权利要求4所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述吸附载体包括:

滑道,所述滑道设置在所述吸附载体外表面;

雾化环,所述雾化环具有:

滑块,所述滑块设置在所述雾化环上端,所述滑块连接所述滑道;

雾化喷头,所述雾化喷头安装在所述雾化环的内侧,该内侧朝向所述吸附载体。

7.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述抛光机构还具有:

挡边,所述挡边设置在所述抛光机构的边缘上,所述挡边将所述抛光台包围,所述挡边与所述抛光台之间具有空隙;

环槽,所述环槽由所述挡边与所述抛光台之间的空隙构成;

回流口,所述回流口连通所述环槽。

8.根据权利要求7所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述抛光机构还具有:

反向清洗过滤器,所述反向清洗过滤器连通所述回流口;

回收通道,所述回收通道连通所述反向清洗过滤器;

回收箱,所述回收箱连通所述回收通道;

冲洗通道,所述冲洗通道连通所述反向清洗过滤器;

水箱,所述水箱连通所述冲洗通道。

9.根据权利要求8所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述水箱中具有水泵,所述水泵用于将所述水箱中的液体抽送至所述冲洗通道中。

10.根据权利要求9所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,其中,所述反向清洗过滤器包括:

转换腔;

第一过滤口,所述第一过滤口连通所述回流口与所述转换腔;

第二过滤口,所述第二过滤口连通所述回收通道与所述转换腔;

第一清洗口,所述第一清洗口连通外界与所述转换腔;

第二清洗口,所述第二清洗口连通冲洗通道与所述转换腔;

被动体,所述被动体设置在所述转换腔内,所述被动体贴合所述转换腔的内壁,所述被动体可在所述转换腔中左右滑动,所述被动体包括:

过滤腔,所述过滤腔连通所述第一过滤口;

流通口,所述流通口连通第二过滤口;

过滤装置,所述过滤装置安装在所述过滤腔中;

第三伸缩结构,所述第三伸缩结构连接所述被动体。


技术总结
本实用新型公开了一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置,涉及硅片加工技术领域,包括:抛光机构、驱动装置、对接机构、注液结构、抛光头。本实用新型通过注液机构半包覆抛光垫,并为抛光垫与注液机构的套口之间留有空隙(压力空间),且该空隙两侧与外界相通的方式,不仅能够大面积向疏松多孔的抛光垫注入充足的抛光浆料,使得抛光垫容纳最大程度的抛光浆料以加强抛光效果,并且在当抛光垫的孔饱和后持续注入抛光浆料(前述空隙小,在外界持续注入抛光浆料的情况下,有利于增加抛光浆料对抛光垫孔的摩擦),有利于抛光浆料裹挟残渣或抛光副产物排出抛光垫,避免硅片以微细划痕或凹陷的形态呈现,使得硅片表面恶化。

技术研发人员:伍志军
受保护的技术使用者:苏州赛森电子科技有限公司
技术研发日:2020.03.28
技术公布日:2021.03.23
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