一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的制作方法

本实用新型涉及硅片加工技术领域，特别涉及一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置。

背景技术：

在硅片抛光加工过程中，硅片被夹持在抛光头上，硅片抛光期间，由玻璃纤维材质的环氧树脂等材料制成的夹持组件与此同时也被抛光浆料和化学品微细地研磨和损坏，而这些被研磨下来的微细颗粒会粘附于抛光垫的表面或深处。

总所周知，抛光垫是一种具有一定弹性，疏松多孔的材料，一般是聚亚氨酯类，聚氨酯抛光垫,这种抛光垫的主要成分是发泡体固化的聚氨酯，其表面有许多空球体微孔封闭单元结构。这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用，有益于提高抛光均匀性和抛光效率。孔尺寸越大其运输能力越强，但孔径过大时会影响抛光垫的密度和刚度。但是对于此类的抛光垫，抛光液不能渗透到抛光垫的内部，只存在于工件和抛光垫的空隙中，影响抛光后的残渣(微细玻璃纤维)或抛光副产物的及时排出，容易阻塞抛光垫表层中的微孔。

因此，如果不能将硅片垫中的残渣或抛光副产物及时排出，将会在连续加工硅片过程中会对硅片造成污染，微细玻璃纤维间歇性地损伤硅片的表面，这些损伤在加工过程中以微细划痕或凹陷的形态呈现出来，从而成为硅片表面恶化的原因。

技术实现要素：

本实用新型目的之一是解决现有技术中的硅片垫难以将残渣或抛光副产物及时排出，导致硅片以微细划痕或凹陷的形态呈现的问题。

本实用新型目的之二是提供一种单面抛光方法。

为达到上述目的之一，本实用新型采用以下技术方案：一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，包括：抛光机构，所述抛光机构中具有：抛光台，所述抛光台设置在所述抛光机构上；抛光垫，所述抛光垫附着在所述抛光台上；驱动装置，所述驱动装置安装在所述抛光机构中，所述驱动装置连接所述抛光垫；对接机构，所述对接机构设置在所述抛光机构的侧端，所述对接机构具有：第一伸缩结构；柱体，所述柱体可旋转连接所述第一伸缩结构的伸缩端，所述柱体上具有：竖齿，所述竖齿均匀分布在柱体表面上；旋转装置；齿轮，所述齿轮连接所述旋转装置，所述齿轮啮合所述竖齿；注液结构，所述注液结构安装在所述柱体上，所述注液结构为圆形构造，所述注液结构具有：套口，所述套口大小与抛光垫的大小相适应；出液嘴，所述出液嘴设置在所述套口内；抛光头，所述抛光头设置在所述抛光机构上端。所述抛光头上具有吸附盘，该吸附盘以抽真空或其他类似的方式吸附住硅片。

在上述技术方案中，本实用新型实施例首先将硅片固定在抛光头下；其次启动旋转装置驱动齿轮带动柱体的竖齿转动，从而使得柱体旋转，从而带动柱体上的注液结构旋转180度至抛光台上方，之后启动第一伸缩结构，拉动柱体及其上的注液结构下移，从而使得套口套住抛光台，使得抛光台上的抛光垫与套口内的上表面之间构成压力空间；然后通过套口内的出液嘴向抛光垫进行大面积喷洒抛光浆料(带有化学品)，使得疏松多孔的抛光垫注入充足的抛光浆料，同时使得抛光浆料在该压力空间有限的区域中受到压力(持续向压力空间注入抛光浆料)，进而使得抛光浆料强有力的在抛光垫的孔中流通(当抛光垫孔饱和后，抛光浆料流出抛光垫)；依次启动第一伸缩结构、旋转装置带动注液结构回归至原位；最后启动驱动装置，带动抛光台以及抛光台上的抛光垫转动，此时，移动抛光头向下与抛光垫进行相接触，在抛光浆料的化学反应及机械加压引起的物理反应的共同作用下，硅片表面被抛光。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述注液结构还具有入液口，所述入液口用于将外界的抛光浆料输送至注液结构中。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置还包括：第二伸缩结构，所述第二伸缩结构连接所述抛光头。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述抛光头具有：动力装置；吸附载体，所述吸附载体连接所述动力装置，所述吸附载体用于吸附硅片。

更进一步地，在本实用新型实施例中，所述吸附载体包括：定位环，所述定位环为中空结构，所述定位环安装在所述吸附载体上，所述定位环与所述吸附载体同轴；载片环，所述载片环为中空结构，所述载片环安装在所述定位环中，且与所述定位环同轴，所述载片环具有：安装口，所述安装口用于安放硅片，所述安装口大小与硅片大小相适应；限位单元，所述限位单元径向安装在所述载片环外径，所述限位单元嵌入在所述定位环上形成凹凸结构。

更进一步地，在本实用新型实施例中，所述吸附载体包括：滑道，所述滑道设置在所述吸附载体外表面；雾化环，所述雾化环具有：滑块，所述滑块设置在所述雾化环上端，所述滑块连接所述滑道；雾化喷头，所述雾化喷头安装在所述雾化环的内侧，该内侧朝向所述吸附载体。

硅片抛光完成后，通过抛光头回归原位，此时推动雾化环沿吸附载体上的滑道向下滑动，进而使得雾化环移至被固定的硅片位置，通过雾化环上的雾化喷头对喷头进行喷洒水珠，降低硅片表面水渍的挥发性，避免硅片表面化学品出现局部浓度增加，硅片表面的物质以及形态发生变化，从而引起硅片表面的质量下降。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述抛光机构还具有：挡边，所述挡板设置在所述抛光机构的边缘上，所述挡边将所述抛光台包围，所述挡边与所述抛光台之间具有空隙；环槽，所述环槽由所述挡边与所述抛光台之间的空隙构成；回流口，所述回流口连通所述环槽。

更进一步地，在本实用新型实施例中，所述抛光机构还具有：反向清洗过滤器，所述反向清洗过滤器连通所述回流口；回收通道，所述回收通道连通所述反向清洗过滤器；回收箱，所述回收箱连通所述回收通道；冲洗通道，所述冲洗通道连通所述反向清洗过滤器；水箱，所述水箱连通所述冲洗通道。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述水箱中具有水泵，所述水泵用于将所述水箱中的液体抽送至所述冲洗通道中。

进一步地，在本实用新型实施例中，所述反向清洗过滤器包括：转换腔；第一过滤口，所述第一过滤口连通所述回流口与所述转换腔；第二过滤口，所述第二过滤口连通所述回收通道与所述转换腔；第一清洗口，所述第一清洗口连通外界与所述转换腔；第二清洗口，所述第二清洗口连通冲洗通道与所述转换腔；被动体，所述被动体设置在所述转换腔内，所述被动体贴合所述转换腔的内壁，所述被动体可在所述转换腔中左右滑动，所述被动体包括：过滤腔，所述过滤腔连通所述第一过滤口；流通口，所述流通口连通第二过滤口；过滤装置，所述过滤装置安装在所述过滤腔中；第三伸缩结构，所述第三伸缩结构连接所述被动体。

持续被注入抛光垫中抛光浆料裹挟残渣或抛光副产物流出抛光垫进入至抛光台上的环槽，裹挟残渣或抛光副产物的抛光浆料通过与环槽连通的回流口向下流入至反向清洗过滤器的第一过滤口，进而进入清洗过滤器中过滤装置的密孔进行过滤，将抛光浆料和裹挟残渣、抛光副产物进行分离，最后使得分离好后的抛光浆料通过反向清洗过滤器的第二过滤口流入至回收通道中，通过回收通道进入回收箱中。

当硅片抛光完成后，启动第三伸缩结构推动被动体，使得被动体右移封堵第一过滤口，同时使得过滤装置连通第一清洗口与第二清洗口，此时启动水泵，从水箱中抽取水流进入至第二清洗口，通过第二清洗口由下而上的冲洗附着在过滤装置残渣、抛光副产物以及高浓度的化学品，清洗后的水从第一清洗口流出。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过注液机构半包覆抛光垫，并为抛光垫与注液机构的套口之间留有空隙(压力空间)，且该空隙两侧与外界相通的方式，不仅能够大面积向疏松多孔的抛光垫注入充足的抛光浆料，使得抛光垫容纳最大程度的抛光浆料以加强抛光效果，并且在当抛光垫的孔饱和后持续注入抛光浆料(空隙小，在外界持续注入抛光浆料的情况下，有利于增加抛光浆料对抛光垫孔的摩擦)，有利于抛光浆料裹挟残渣或抛光副产物排出抛光垫，避免硅片以微细划痕或凹陷的形态呈现，使得硅片表面恶化。

为达到上述目的之二，本实用新型采用以下技术方案：一种单面抛光方法，其中，包括以下步骤：

装载，将硅片固定在抛光头下；

对接，启动旋转装置带动柱体旋转，从而带动与该柱体相连的注液结构旋转至抛光台上方，之后启动第一伸缩结构，带动柱体下移，使得注液结构上的套口对接抛光台，从而使得套口套住抛光台，进而使得抛光台上的抛光垫与套口内的上表面之间构成压力空间；

注液，通过套口内的出液嘴向抛光垫进行大面积喷洒抛光浆料，使得疏松多孔的抛光垫注入充足的抛光浆料，同时使得抛光浆料在该压力空间有限的区域中受到压力(持续向压力空间注入抛光浆料)，进而使得抛光浆料强有力的在抛光垫的孔(指上述背景技术中的微孔)中流通；

复位，启动第一伸缩结构，带动柱体上移，之后启动旋转装置带动注液结构回归至原位；

抛光，启动驱动装置，带动抛光台以及抛光台上的抛光垫转动，此时，移动抛光头向下与抛光垫进行相接触，在抛光浆料(带有化学品)的化学反应及机械加压引起的物理反应的共同作用下，硅片表面被抛光。

进一步地，在本实用新型实施例中，在抛光步骤中，抛光头在第二伸缩结构的推动下向下移动，同时通过动力装置带动位于抛光头下用于吸附硅片的吸附载体进行旋转。

更进一步地，在本实用新型实施例中，所述单面抛光方法还包括以下步骤：

喷雾，硅片抛光完成后，通过抛光头回归原位，此时推动雾化环沿吸附载体上的滑道向下滑动，进而使得雾化环移至被固定的硅片位置，通过雾化环上的雾化喷头对喷头进行喷洒水珠，降低硅片表面水渍的挥发性，避免硅片表面化学品出现局部浓度增加，硅片表面的物质以及形态发生变化，从而引起硅片表面的质量下降。

进一步地，在本实用新型实施例中，注液步骤中，持续被注入抛光垫中抛光浆料裹挟残渣或抛光副产物流出抛光垫进入至抛光台上的环槽，裹挟残渣或抛光副产物的抛光浆料通过与环槽连通的回流口向下流入至反向清洗过滤器的第一过滤口，进而进入清洗过滤器中过滤装置的密孔进行过滤，将抛光浆料和裹挟残渣、抛光副产物进行分离，最后使得分离好后的抛光浆料通过反向清洗过滤器的第二过滤口流入至回收通道中，通过回收通道进入回收箱中。

更进一步地，在本实用新型实施例中，当硅片抛光完成后，启动第三伸缩结构推动被动体，使得被动体右移封堵第一过滤口，同时使得过滤装置连通第一清洗口与第二清洗口，此时启动水泵，从水箱中抽取水流进入至第二清洗口，通过第二清洗口由下而上的冲洗附着在过滤装置残渣、抛光副产物以及高浓度的化学品，清洗后的水从第一清洗口流出。

附图说明

图1为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的平面结构示意图。

图2为图1的a向示意图。

图3为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的平面结构的第一运动示意图。

图4为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的平面结构的第二运动示意图。

图5为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置的平面结构的第三运动示意图

图6为本实用新型实施例吸附载体的结构示意图。

图7为本实用新型实施例抛光头的平面运动示意图。

图8为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置中反向清洗过滤器的细节示意图。

图9为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置中反向清洗过滤器的过滤示意图。

图10为本实用新型实施例真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置中反向清洗过滤器的反向清洗示意图。

附图中

1、抛光机构2、驱动装置3、抛光台

4、抛光垫5、对接机构6、第一伸缩结构

7、柱体71、竖齿8、旋转装置

81、齿轮9、注液结构91、入液口

92、套口93、出液嘴10、抛光头

11、第二伸缩结构12、动力装置13、吸附载体

131、定位环132、载片环1321、安装口

1322、限位单元133、滑道14、雾化环

141、滑块142、雾化喷头15、挡边

16、环槽17、回流口

18、反向清洗过滤器181、转换腔182、第一过滤口

183、第二过滤口184、第一清洗口185、第二清洗口

186、被动体1861、过滤腔1862、流通口

187、第三伸缩结构188、过滤装置

19、回收通道20、冲洗通道21、回收箱

22、水箱23、水泵

a、硅片100、抛光浆料

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案进行清楚、完整地描述，及优点更加清楚明白，以下结合附图对本实用新型实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，仅仅用以解释本实用新型实施例，并不用于限定本实用新型实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“中”“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“顶”、“底”、“侧”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“一”、“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

出于简明和说明的目的，实施例的原理主要通过参考例子来描述。在以下描述中，很多具体细节被提出用以提供对实施例的彻底理解。然而明显的是。对于本领域普通技术人员，这些实施例在实践中可以不限于这些具体细节。在一些实例中，没有详细地描述公知单面抛光方法和结构，以避免无必要地使这些实施例变得难以理解。另外，所有实施例可以互相结合使用。

实施例一：

一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，如图1、2所示，包括：抛光机构1、驱动装置2、对接机构5、注液结构9、抛光头10。

抛光机构1中具有抛光台3和抛光垫4。抛光台3设置在抛光机构1上。抛光垫4附着在抛光台3上。

驱动装置2安装在抛光机构1中，驱动装置2连接抛光垫4。

对接机构5设置在抛光机构1的侧端，对接机构5具有：第一伸缩结构6、柱体7、旋转装置8、齿轮81。

柱体7可旋转连接第一伸缩结构6的伸缩端，柱体7上具有竖齿71，竖齿71均匀分布在柱体7表面上。齿轮81连接旋转装置8，齿轮81啮合竖齿71。

注液结构9安装在柱体7上，注液结构9为圆形构造，注液结构9具有套口92和出液嘴93。套口92大小与抛光垫4的大小相适应。出液嘴93设置在套口92内。

抛光头10设置在抛光机构1上端。抛光头10上具有吸附盘，该吸附盘以抽真空或其他类似的方式吸附住硅片a。

实施步骤：如图1-5所示，首先将硅片a固定在抛光头10下。其次启动旋转装置8驱动齿轮81带动柱体7的竖齿71转动，从而使得柱体7旋转，从而带动柱体7上的注液结构9旋转180度至抛光台3上方，之后启动第一伸缩结构6，拉动柱体7及其上的注液结构9下移，从而使得套口92套住抛光台3，使得抛光台3上的抛光垫4与套口92内的上表面之间构成压力空间。然后通过套口92内的出液嘴93向抛光垫4进行大面积喷洒抛光浆料100(带有化学品)，使得疏松多孔的抛光垫4注入充足的抛光浆料100，同时使得抛光浆料100在该压力空间有限的区域中受到压力(持续向压力空间注入抛光浆料100)，进而使得抛光浆料100强有力的在抛光垫4的孔中流通(当抛光垫4孔饱和后，抛光浆料100流出抛光垫4)。依次启动第一伸缩结构6、旋转装置8带动注液结构9回归至原位。最后启动驱动装置2，带动抛光台3以及抛光台3上的抛光垫4转动，此时，移动抛光头10向下与抛光垫4进行相接触，在抛光浆料100的化学反应及机械加压引起的物理反应的共同作用下，硅片a表面被抛光。

本实用新型通过注液机构半包覆抛光垫4，并为抛光垫4与注液机构的套口92之间留有空隙(压力空间)，且该空隙两侧与外界相通的方式，不仅能够大面积向疏松多孔的抛光垫4注入充足的抛光浆料100，使得抛光垫4容纳最大程度的抛光浆料100以加强抛光效果，并且在当抛光垫4的孔饱和后持续注入抛光浆料100(空隙小，在外界持续注入抛光浆料100的情况下，有利于增加抛光浆料100对抛光垫4孔的摩擦)，有利于抛光浆料100裹挟残渣或抛光副产物排出抛光垫4，避免硅片a以微细划痕或凹陷的形态呈现，使得硅片a表面恶化。

优选地，如图1所示，注液结构9还具有入液口91，入液口91用于将外界的抛光浆料100输送至注液结构9中。

优选地，真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置还包括第二伸缩结构11，第二伸缩结构11连接抛光头10。

优选地，抛光头10具有动力装置12和吸附载体13，吸附载体13连接动力装置12，吸附载体13用于吸附硅片a。

更优选地，如图6所示，吸附载体13包括定位环131和载片环132。定位环131为中空结构，定位环131安装在吸附载体13上，定位环131与吸附载体13同轴。载片环132为中空结构，载片环132安装在定位环131中，且与定位环131同轴，载片环132具有安装口1321和限位单元1322，安装口1321用于安放硅片a，安装口1321大小与硅片a大小相适应。限位单元1322径向安装在载片环132外径，限位单元1322嵌入在定位环131上形成凹凸结构。

更优选地，如图1、7所示，吸附载体13包括滑道133和雾化环14。滑道133竖直设置在吸附载体13外表面。雾化环14具有滑块141和雾化喷头142。滑块141设置在雾化环14上端，滑块141连接滑道133。雾化喷头142安装在雾化环14的内侧，该内侧朝向吸附载体13。

硅片a抛光完成后，通过抛光头10回归原位，此时推动雾化环14沿吸附载体13上的滑道133向下滑动，进而使得雾化环14移至被固定的硅片a位置，通过雾化环14上的雾化喷头142对喷头进行喷洒水珠，降低硅片a表面水渍的挥发性，避免硅片a表面化学品出现局部浓度增加，硅片a表面的物质以及形态发生变化，从而引起硅片a表面的质量下降。

优选地，如图1、8所示，抛光机构1还具有：挡边15、环槽16、回流口17。

挡板设置在抛光机构1的边缘上，挡边15将抛光台3包围，挡边15与抛光台3之间具有空隙。环槽16由挡边15与抛光台3之间的空隙构成。回流口17连通环槽16。

更优选地，抛光机构1还具有：反向清洗过滤器18、回收通道19、回收箱21、冲洗通道20、水箱22。

反向清洗过滤器18连通回流口17。回收通道19连通反向清洗过滤器18。回收箱21连通回收通道19。冲洗通道20连通反向清洗过滤器18。水箱22连通冲洗通道20。

优选地，水箱22中具有水泵23，水泵23用于将水箱22中的液体抽送至冲洗通道20中。

优选地，反向清洗过滤器18包括：转换腔181、第一过滤口182、第二过滤口183、第一清洗口184、第二清洗口185、被动体186、过滤装置188、第三伸缩结构187。

第一过滤口182连通回流口17与转换腔181。第二过滤口183连通回收通道19与转换腔181。第一清洗口184连通外界与转换腔181。第二清洗口185连通冲洗通道20与转换腔181。

被动体186设置在转换腔181内，被动体186贴合转换腔181的内壁，被动体186可在转换腔181中左右滑动，被动体186包括：过滤腔1861、流通口1862、过滤装置188、过滤腔1861连通第一过滤口182。流通口1862连通第二过滤口183。

过滤装置188安装在过滤腔1861中。第三伸缩结构187连接被动体186。

如图9所示，持续被注入抛光垫4中抛光浆料100裹挟残渣或抛光副产物流出抛光垫4进入至抛光台3上的环槽16，裹挟残渣或抛光副产物的抛光浆料100通过与环槽16连通的回流口17向下流入至反向清洗过滤器18的第一过滤口182，进而进入清洗过滤器中过滤装置188的密孔进行过滤，将抛光浆料100和裹挟残渣、抛光副产物进行分离，最后使得分离好后的抛光浆料100通过反向清洗过滤器18的第二过滤口183流入至回收通道19中，通过回收通道19进入回收箱21中。

如图10所示，当硅片a抛光完成后，启动第三伸缩结构187推动被动体186，使得被动体186右移封堵第一过滤口182，同时使得过滤装置188连通第一清洗口184与第二清洗口185，此时启动水泵23，从水箱22中抽取水流进入至第二清洗口185，通过第二清洗口185由下而上的冲洗附着在过滤装置188残渣、抛光副产物以及高浓度的化学品，清洗后的水从第一清洗口184流出。

一种单面抛光方法，其中，包括以下步骤：

装载，将硅片a固定在抛光头10下。

对接，启动旋转装置8带动柱体7旋转，从而带动与该柱体7相连的注液结构9旋转至抛光台3上方，之后启动第一伸缩结构6，带动柱体7下移，使得注液结构9上的套口92对接抛光台3，从而使得套口92套住抛光台3，进而使得抛光台3上的抛光垫4与套口92内的上表面之间构成压力空间。

注液，通过套口92内的出液嘴93向抛光垫4进行大面积喷洒抛光浆料100，使得疏松多孔的抛光垫4注入充足的抛光浆料100，同时使得抛光浆料100在该压力空间有限的区域中受到压力(持续向压力空间注入抛光浆料100)，进而使得抛光浆料100强有力的在抛光垫4的孔中流通。

复位，启动第一伸缩结构6，带动柱体7上移，之后启动旋转装置8带动注液结构9回归至原位。

抛光，启动驱动装置2，带动抛光台3以及抛光台3上的抛光垫4转动，此时，移动抛光头10向下与抛光垫4进行相接触，在抛光浆料100(带有化学品)的化学反应及机械加压引起的物理反应的共同作用下，硅片a表面被抛光。

优选地，在抛光步骤中，抛光头10在第二伸缩结构11的推动下向下移动，同时通过动力装置12带动位于抛光头10下用于吸附硅片a的吸附载体13进行旋转。

更优选地，单面抛光方法还包括以下步骤：

喷雾，硅片a抛光完成后，通过抛光头10回归原位，此时推动雾化环14沿吸附载体13上的滑道133向下滑动，进而使得雾化环14移至被固定的硅片a位置，通过雾化环14上的雾化喷头142对喷头进行喷洒水珠，降低硅片a表面水渍的挥发性，避免硅片a表面化学品出现局部浓度增加，硅片a表面的物质以及形态发生变化，从而引起硅片a表面的质量下降。

优选地，注液步骤中，持续被注入抛光垫4中抛光浆料100裹挟残渣或抛光副产物流出抛光垫4进入至抛光台3上的环槽16，裹挟残渣或抛光副产物的抛光浆料100通过与环槽16连通的回流口17向下流入至反向清洗过滤器18的第一过滤口182，进而进入清洗过滤器中过滤装置188的密孔进行过滤，将抛光浆料100和裹挟残渣、抛光副产物进行分离，最后使得分离好后的抛光浆料100通过反向清洗过滤器18的第二过滤口183流入至回收通道19中，通过回收通道19进入回收箱21中。

更优选地，当硅片a抛光完成后，启动第三伸缩结构187推动被动体186，使得被动体186右移封堵第一过滤口182，同时使得过滤装置188连通第一清洗口184与第二清洗口185，此时启动水泵23，从水箱22中抽取水流进入至第二清洗口185，通过第二清洗口185由下而上的冲洗附着在过滤装置188残渣、抛光副产物以及高浓度的化学品，清洗后的水从第一清洗口184流出。

尽管上面对本实用新型说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本实用新型，但是本实用新型不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本实用新型精神和范围内，一切利用本实用新型构思的实用新型创造均在保护之列。