续的平面研磨和抛光加工过程中产生崩边，从而提高碳化硅晶片的加工质量。同时本发明能够缩短碳化硅晶片的倒角斜面的磨削、研磨和抛光时间，降低晶片的生产成本，适用性强。
[0018]2、本发明提供的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，工艺设计合理，可操作性强，可以分别对碳化硅晶片进行斜面磨削、研磨和抛光一体化处理，工作效率比现有技术更高，并且可以根据实际需要，可用于平面圆形碳化硅晶片和非圆形碳化硅晶片，如矩形、椭圆形碳化硅晶片的斜面磨削、研磨和抛光，应用范围广泛，并且该方法可以实现碳化硅晶片四周斜面磨削、研磨和抛光处理，也可以用于单面的斜面磨削、研磨和抛光处理，相比现有技术取得了非常好的技术进步。
【附图说明】
[0019]图1为本发明提供的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机的结构示意图。
[0020]图2为图1沿着A-A方向的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0022]实施例1
如图1和图2所示，一种碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机，它包括支撑片(I)、与支撑片(I)相连的旋转轴(2)，与旋转轴(2)相连的驱动电机(3)，所述的驱动电机(3)安装在电机支架(4)上，电机支架(4)安装在垂直转臂(5)上，所述的垂直转臂(5)与水平转臂
(6)相连，水平转臂(6)与滑架(7)相连，滑架(7)通过内衬套(8)与螺杆(9)相连，螺杆(9)的外周设有衬套筒(10)，衬套筒(10)固定在立柱(11)上，螺杆(9)的下端与第一圆锥齿轮(12)相连，第一圆锥齿轮(12)与第二圆锥齿轮(13)相连，所述的第二圆锥齿轮(13)与调节轴(14)相连，调节轴(14)与转轮(15)相连，所述的调节轴(14)外设有调节轴套筒(16)，调节轴(14)和调节轴套筒(16)之间设有滚动轴承；所述的支撑片(I)上粘结有待加工的碳化娃晶片(25);
所述的支撑片(I)与旋转轴(2 )通过紧定螺钉连接，旋转轴(2 )与驱动电机(3 )的轴通过联轴器连接，并用内六角螺钉压紧；
所述的驱动电机(3)通过螺钉固定于电机支架(4)上，所述的电机支架(4)为圆环状，直径两端各有一凹槽；所述的垂直转臂(5)为一水平放置的U形块，通过两个六角螺钉压紧电机支架(4)两端的凹槽，实现驱动电机(3)在竖直面的转动；
所述的水平转臂(6)也为一 U形块，竖直放置；垂直转臂(5)水平放置于水平转臂(6)中间，并通过螺钉和螺母连接；
所述的立柱(11)固定在上支撑座(17)上，上支撑座(17)焊接在下支撑座(18)上；下支撑座(18)上开有槽，可以通过摇柄(24)固定在工作台上；
所述的支撑片(I)的下方安装有碳化硅晶片的处理工具(19)，处理工具(19)连接在轴
(20)的上端，轴(20)的下端连接在电机(21)上，所述的处理工具(19)为砂轮、研磨盘或者抛光盘。
[0023]以上所述的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机，所述的水平转臂(6)上安装有驱动电机(3)的限位开关(22);所述的驱动电机(3)上连接有时间继电器。
[0024]以上所述的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机，所述的螺杆(9)顶部安装有固定盖板(23)。
实施例2
圆形碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，其包括以下步骤:
a、如图1所示，首先将待加工的圆形碳化硅晶片(25)粘结在支撑片(I)上，然后在轴
(19)的上端先安装砂轮，然后启动电机(20)，电机(20)带动轴(19)上的砂轮旋转；
b、旋转转轮(14)，转轮(14 )带动调节轴(13 )转动，然后调节轴(13 )依次驱动第二圆锥齿轮(13 )和第一圆锥齿轮(12)旋转，第一圆锥齿轮(12)从而驱动螺杆(9 )旋转，螺杆(9 )带动滑架(7)上下移动，从而依次带动水平转臂(6)和垂直转臂(5)上下移动，然后垂直转臂(5)带动电机支架(4)上的驱动电机(3)上下移动，从而调整支撑片(I)上的待加工的圆形碳化硅晶片与电机(20)的距离，从而调整斜面磨削角度和磨削尺寸；
C、开启驱动电机(3)，并使驱动电机(3)与电机(20)呈反方向旋转，驱动电机(3)带动旋转轴(2)上的支撑片(I)转动，使支撑片(I)上的待加工的碳化硅晶片与砂轮摩擦，对待加工的碳化硅晶片进行磨削，并通过时间继电器设定驱动电机(3)和电机(20)的工作时间，控制磨削的时间；
d、磨削结束后，关闭驱动电机(3)和电机(20)，然后将轴(19)上端的砂轮卸下，安装上研磨盘，并在研磨盘上涂抹研磨液；然后按步骤b相同的操作方式，调整好磨削后的碳化硅晶片与研磨盘的角度，然后开启电机(20)和/或驱动电机(3)，对碳化硅晶片进行研磨处理，并通过时间继电器控制磨削的时间；
e、研磨结束后，关闭电机(20)和/或驱动电机(3)，然后将轴(19)上端的研磨盘卸下，安装上抛光盘，并在抛光盘上涂抹抛光液；然后按步骤b相同的操作方式，调整好研磨后的碳化硅晶片与抛光盘的角度，然后开启电机(20)和/或驱动电机(3)，对碳化硅晶片进行抛光处理，并通过时间继电器控制抛光的时间，抛光结束后，关闭电机(20)和/或驱动电机
(3),取下抛光好的碳化娃晶片。
[0025]以上所述的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，步骤a中，砂轮为金刚石微粉制成的砂轮，且在砂轮上面涂抹有磨削液。
[0026]以上所述的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，步骤d中，研磨盘由球墨铸铁制成，所述的研磨液由下列重量百分比的原料制成:10?20%粒度为0.5微米的金刚石微粉、10?20%橄榄油、60?80%色拉油。
[0027]以上所述的碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，步骤e中，抛光盘由环氧树脂制成，所述的抛光液由下列重量百分比的原料制成:5%粒度为50纳米的S12微粒、10%醇胺、85%去尚子水。
[0028]实施例3
矩形碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光方法，其包括以下步骤:
a、首先将待加工的矩形碳化硅晶片粘结在支撑片(I)上，然后在轴(19)的上端先安装砂轮，然后启动电机(20 )，电机(20 )带动轴(19 )上的砂轮旋转；
b、旋转转轮(14)，转轮(14 )带动调节轴(13 )转动，然后调节轴(13 )依次驱动第二圆锥齿轮(13 )和第一圆锥齿轮(12)旋转，第一圆锥齿轮(12)从而驱动螺杆(9 )旋转，螺杆(9 )带动滑架(7)上下移动，从而依次带动水平转臂(6)和垂直转臂(5)上下移动，然后垂直转臂(5)带动电机支架(4)上的驱动电机(3)上下移动，从而调整支撑片(I)上的待加工的圆形碳化硅晶片与电机(20)的距离，从而调整斜面磨削角度和磨削尺寸；
C、关闭驱动电机(3)，仅开启电机(20)，使支撑片(I)上的待加工的碳化硅晶片与电机
(20)带动的砂轮摩擦，对待加工的碳化硅晶片进行单面的磨削，并通过时间继电器设定电机(20)的工作时间，控制磨削的时间；
d、磨削结束后，关闭电机(20)，然后将轴(19)上端的砂轮卸下，安装上研磨盘，并在研磨盘上涂抹研磨液；然后按步骤b相同的操