Oled器件的掩膜板组及基板的制作方法

文档序号:8313806阅读:142来源:国知局
Oled器件的掩膜板组及基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于OLED器件的制造工艺技术领域,尤其涉及一种OLED器件的掩膜板组及基板。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管又称为有机电激光显示(Organic Light-Emitting D1de,OLED),OLED显示技术具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光,而且OLED显示屏幕可视角度大,并且能够节省电能。OLED作为新一代的显示器件,具有高色域高对比度的特点,但是在像素阵列的实际生产中,受到制造工艺的限制,OLED的显示分辨率始终是一个技术瓶颈。目前OLED的像素阵列制造主要采用蒸镀加掩膜板的方式,掩膜板上的孔则对应各像素的蒸镀位置。OLED像素阵列蒸镀的排布方式是各个发光子像素在OLED器件基板上的位置与掩膜板开孔的位置一一对应,所以掩膜板上开孔的分辨率即等于器件像素分辨率。如图1所示,为现有的OLED器件的掩膜板结构示意图。同色像素的开孔位置采用规则方阵的排列形式,异色像素的开孔位置相互配合排列,使得异色子像素组成方形像素。如图2所示,为现有的OLED器件的基板及掩膜板结构示意图。每一个开孔位置对应一个子像素。随着市场对显示屏的分辨率要求越来越高,虽然在前道的光刻工序能把基板上的电极分辨率做的很高,但是在蒸镀工序使用的掩膜板的加工难度也越来越大,加工成本增加,再加上掩膜板在蒸镀过程中反复使用,其像素蒸镀误差也增大,这也就导致了 OLED器件生产制造良率的降低和成本提高。由于掩膜板加工工艺的限制,显示屏的分辨率的提升也越来越困难。

【发明内容】

[0003]本发明的发明目的是:为了解决现有技术中由于掩膜板加工工艺的限制,导致显示屏分辨率难以提升,OLED器件生产制造良率的降低和成本提高等问题,本发明提出了一种OLED器件的掩膜板组及基板。
[0004]本发明的技术方案是:一种OLED显示屏的掩膜板组,一种掩膜板对应一种颜色像素,掩膜板的开孔位置错位排列。
[0005]进一步地,异色像素对应的掩膜板开孔位置排列形状两两相同。
[0006]进一步地,所述掩膜板的开孔位置错位排列具体为:保持第一纵列开孔位置不变,将第二纵列开孔位置下移或上移一个开孔边长的距离。
[0007]本发明还提出了一种OLED显示屏,由多行和多列的发光像素组成,每组发光像素包括至少三种子像素,所述子像素被等分为N等份。
[0008]进一步地,所述N取值为4。
[0009]进一步地,所述显示屏最外围的等份子像素的成膜位置采用绝缘层覆盖。
[0010]本发明还提出了一种OLED显示屏发光像素的有机发光层的制作方法,包括以下步骤:
[0011]A、将掩膜板组中第一种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀;
[0012]B、完成上述一种颜色子像素的有机发光材料的蒸镀后,将掩膜板组中第二种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀;依次类推,直至完成所有颜色子像素的有机发光材料的蒸镀。
[0013]本发明的有益效果是:本发明通过将掩膜板组中掩膜板的开孔位置错位排列,并将显示屏中每个子像素进行等分,根据本发明的OLED器件的显示屏的制作方法,在不增加掩膜板制造难度的情况下,使得OLED显示屏像素分辨是掩膜板开孔像素分辨的2倍,提高了显示屏的分辨率,达到了提升良率和降低成本的目的。
【附图说明】
[0014]图1是现有的OLED显示屏的掩膜板结构示意图。
[0015]图2是现有的OLED显示屏的结构示意图。
[0016]图3是本发明的OLED显示屏的掩膜板组结构示意图。
[0017]图4是本发明的OLED显示屏的结构示意图。
[0018]图5是本发明显示屏的像素阵列结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。
[0020]为了提高器件像素分辨率,在不增加掩膜板制造难度的情况下,本发明提出了一种OLED显示屏的掩膜板组,一种掩膜板对应一种颜色像素,掩膜板的开孔位置错位排列。同色像素的开孔位置错位排列,异色像素的开孔位置相互配合排列。本发明的OLED显示屏的掩膜板组包括至少两种不同开孔位置的掩膜板。掩膜板的开孔位置错位排列具体为:保持第一纵列开孔位置不变,将第二纵列开孔位置下移或上移一个开孔边长的距离。如图3所示,为本发明的OLED器件的掩膜板结构示意图。本发明实施例中OLED显示屏的掩膜板组包括四种不同开孔位置的掩膜板,一种掩膜板对应一种颜色像素,即第一种掩膜板对应子像素R,第二种掩膜板对应子像素G,第三种掩膜板对应子像素B,第四种掩膜板对应子像素Y。第一种掩膜板在现有技术中OLED显示屏的掩膜板子像素R开孔位置的方阵排列基础上,保持第一纵列开孔位置不变,将第二纵列开孔位置下移一个开孔边长的距离,当然,这里也可以优选的将第二纵列开孔位置上移一个开孔边长的距离;类似的,其他纵列开孔位置进行同样的错位排列。其他三种掩膜板采取同样的方式将对应子像素的开孔位置进行错位排列,最终得到本发明的OLED器件的四种掩膜板构成的掩膜板组。
[0021]为了实现器件像素的分辨率提高,本发明提出了一种OLED显示屏,由多行和多列的发光像素组成,每组发光像素包括至少三种子像素,每个子像素被等分为N等份。如图4所示,为本发明的OLED器件的基板及掩膜板结构示意图。本发明实施例中采用方形像素,优选的将每个子像素进行4等分,即通过在OLED基板上的对应蒸镀位置设置绝缘层,使得一个开孔位置对应的一个子像素分割为4等份,每一个等份子像素与现在技术中的子像素功能相同,每一个等份子像素与一个电极相连,这样在不增加掩膜板制造难度的情况下,提高了 OLED器件的像素分辨率。同时,通过在OLED显示屏最外围的等份子像素的成膜位置采用绝缘层进行覆盖,由于有机材料成膜厚度远小于器件绝缘层高度,使得被绝缘层覆盖的区域不会被点亮,从而将处于方形区域内的四个等份子像素组成一组OLED发光像素。如图5所示,为本发明显示屏的像素阵列结构示意图。将处于方形区域内的子像素R的等份子像素R、子像素G的等份子像素G、子像素B的等份子像素B、子像素Y的等份子像素Y组成一组OLED发光像素。
[0022]根据本发明的OLED显示屏及其掩膜板组,本发明的OLED显示屏发光像素的有机发光层的制作方法,包括以下步骤:
[0023]A、将掩膜板组中第一种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀;
[0024]B、完成上述一种颜色子像素的有机发光材料的蒸镀后,将掩膜板组中第二种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀;依次类推,直至完成所有颜色子像素的有机发光材料的蒸镀。
[0025]本发明通过将掩膜板组中掩膜板的开孔位置错位排列,并将显示屏中每个子像素进行等分,每一种掩膜板对应一种颜色子像素进行蒸镀,可以使得相对现有技术的掩膜板开孔边长增加一倍即开孔面积为现在开孔面积的四倍,来达到现在的显示屏像素分辨率,这样开孔间距的大大增加减小了加工密度,使得掩膜板具有更好的机械强度,达到了提升良率和降低成本的目的;另外,也能够在现在的掩膜板加工工艺的基础上,通过提高前道光刻工序中基板各电极的分辨率,大大提高OLED器件像素的分辨率。
[0026]本领域的普通技术人员将会意识到,这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理,应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合,这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种OLED显示屏的掩膜板组,其特征在于,一种掩膜板对应一种颜色像素,掩膜板的开孔位置错位排列。
2.如权利要求1所述的OLED显示屏的掩膜板组,其特征在于,包括至少两种不同开孔位置的掩膜板。
3.如权利要求2所述的OLED显示屏的掩膜板组,其特征在于,所述掩膜板的开孔位置错位排列具体为:保持第一纵列开孔位置不变,将第二纵列开孔位置下移或上移一个开孔边长的距离。
4.一种OLED显示屏,由多行和多列的发光像素组成,每组发光像素包括至少三种子像素,其特征在于,所述子像素被等分为N等份。
5.如权利要求4所述的OLED显示屏,其特征在于,所述N取值为4。
6.如权利要求5所述的OLED显示屏,其特征在于,所述显示屏最外围的等份子像素的成膜位置采用绝缘层覆盖。
7.—种OLED显示屏发光像素的有机发光层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: A、将掩膜板组中第一种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀; B、完成上述一种颜色子像素的有机发光材料的蒸镀后,将掩膜板组中第二种掩膜板的开孔与显示屏的对应颜色子像素对位好并进行有机发光材料的蒸镀;依次类推,直至完成所有颜色子像素的有机发光材料的蒸镀。
【专利摘要】本发明公开了一种OLED器件的掩膜板组及基板。其掩膜板组的一种掩膜板对应一种颜色像素,掩膜板的开孔位置错位排列;其显示屏由多行和多列的发光像素组成,每组发光像素包括至少三种子像素,每个子像素被等分为N等份。本发明在不增加掩膜板制造难度的情况下,采用位移式掩膜板开孔及相匹配的显示屏设计,提高了显示屏的分辨率,达到了提升良率和降低成本的目的。
【IPC分类】C23C14-04, H01L27-32, H01L51-56
【公开号】CN104630703
【申请号】CN201510047792
【发明人】向欣, 任海, 禹浩荣
【申请人】四川虹视显示技术有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年1月29日
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