0000 MPa以下。若下层（C层)12的压痕硬度为10000 MPa以下，则弯曲加工性提高，在对本发明 的电子零件用金属材料进行压制成形的情况下，已成形的部分不易产生龟裂，抑制耐气体 腐蚀性(耐久性）的降低。
[0095] 下层（C层）12的压痕硬度与下层（C层）12的厚度优选为满足下述式： 压痕硬度（MPa)彡-3998. 4Ln (厚度 iim)+1178. 9。
[0096] 若下层（C层）12的压痕硬度与下层（C层）12的厚度满足上述式，则通过下层（C 层）进一步固化，进而使薄膜润滑效果提高，低插拔性提高。
[0097] 在通过XPS (X射线光电子光谱)进行D印th分析时，优选为，显示最表层（A层)14 的Sn或In的原子浓度（at%)的最高值的位置叫）、显示中层（B层）13的Ag、Au、Pt、Pd、 Ru、Rh、0s或Ir的原子浓度（at%)最高值的位置（D 2)从最表面起以Dp D2的顺序存在。在 从最表面起未以Dp D2的顺序存在的情况下，无法获得足够的耐气体腐蚀性，若对电子零件 用金属材料进行氯气、亚硫酸气体、硫化氢气体等气体腐蚀试验则被腐蚀，且与气体腐蚀试 验前相比，有接触电阻大幅增加的可能。
[0098] 在通过XPS (X射线光电子光谱)进行D印th分析时，优选为，中层（B层)13的Ag、 Au、Pt、Pd、Ru、Rh、0s或Ir的原子浓度（at%)的最高值为10 at%以上。在中层（B层）13 的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、0s或Ir的原子浓度（at%)的最高值低于10 at%的情况下，有焊 料润湿性变差的可能。
[0099] 在通过XPS (X射线光电子光谱）进行D印th分析时，优选为显示最表层（A层）14 的Sn或In的原子浓度（at%)最高值的位置（DJ、显示中层（B层）13的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、 诎、〇8或11'的原子浓度（ &七％)最高值的位置（〇2)、显示下层（(：层）12的附、0^11、？6、(：0 或Cu的原子浓度（at%)最高值的位置（D 3)从最表面起以Dp D2、D3的顺序存在。在从最表 面起未以DpD2、D 3的顺序存在的情况下，无法获得足够的耐气体腐蚀性，若对电子零件用金 属材料进行氯气、亚硫酸气体、硫化氢气体等气体腐蚀试验则被腐蚀，且与气体腐蚀试验前 相比，有接触电阻大幅增加的可能。
[0100] 在通过XPS (X射线光电子光谱）进行D印th分析时，优选为中层（B层）13的Ag、 八11^?(1、1?11、诎、〇8或11'的原子浓度（ &七％)最高值为10&七％以上且下层（(：层）12的附、 Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子浓度（at%)为25 at%以上的深度为50 nm以上。当中层（B层） 13的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度（at%)最高值低于10 at%且下层（C层） 12的Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子浓度（at%)为25 at%以上的深度低于50 nm时，有基 材成分向最表层（A层）14或中层（B层）13扩散而导致低插拔性或耐久性(耐热性、耐气体 腐蚀性、焊料润湿性等）变差的可能。
[0101] 在通过XPS (X射线光电子光谱）进行D印th分析时，优选为显示最表层（A层）14 的Sn或In的原子浓度（at%)最高值的位置（DJ与显示下层（C层）12的Ni、Cr、Mn、Fe、 Co、Cu或Zn的原子浓度（at%)最高值的位置（D 3)之间，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir为 40 at%以上的区域以1 nm以上的厚度存在。若以低于1 nm的厚度存在，则例如在Ag的情 况下，会有焊料润湿性变差的可能。
[0102] 在通过XPS (X射线光电子光谱）的Survey测定进行上述最表层（A层）表面的元 素分析时，优选为〇低于50 at%。若0为50 at%以上，则有接触电阻变高的可能。
[0103] 图2中表不本发明的实施方式的最表层（A层）使用厚度0. 3 ii m左右的Sn、中层 (B层）使用厚度0. 2 iim左右的Ag、下层（C层）使用厚度1.0 iim左右的Ni时，其电子零 件用金属材料的XPS (X射线光电子光谱）的Depth测定结果的参考例。
[0104] <电子零件用金属材料的用途> 本发明的电子零件用金属材料的用途并无特别限定，例如可列举将电子零件用金属材 料用于接点部分的连接器端子、将电子零件用金属材料用于接点部分的FFC端子或FPC端 子、将电子零件用金属材料用于外部连接用电极而成的电子零件等。需要说明的是，关于端 子，存在压接端子、焊接端子、压合端子等，无关于与配线侧的接合方法。外部连接用电极 中，有对引板（tab)实施有表面处理的连接零件或为了半导体的基底凸块金属（under bump metal)用而实施有表面处理的材料等。
[0105] 另外，可使用如此形成的连接器端子来制作连接器，也可使用FFC端子或FPC端子 来制作FFC或FPC。
[0106] 连接器中，可为公端子及母端子两者均为本发明的电子零件用金属材料，也可为 仅公端子或母端子中的一者为本发明的电子零件用金属材料。需要说明的是，通过使公端 子及母端子两者均为本发明的电子零件用金属材料，低插拔性会进一步提高。
[0107] <电子零件用金属材料的制造方法> 作为本发明的电子零件用金属材料的制造方法，可使用湿式（电、非电解）镀敷、干式 (溅镀、离子电镀等）镀敷等。
[0108]其中，与干式镀敷相比，湿式镀敷存在如下情况：在镀敷皮膜中，镀敷液中所存在 的极微量的杂质成分会共析而抑制晶须的产生，且因电镀组织变硬而使低插拔性提高。另 外，就制造成本的观点而言，优选为湿式镀敷。
[0109] 湿式镀敷中优选为电镀。与非电解镀敷相比电镀形成均匀的皮膜，因而存在使耐 久性(耐热性、耐气体腐蚀性、焊料润湿性等）提高的情况。
[0110] 最表层（A层）14优选为通过使用酸性镀敷液的镀敷处理而形成。由于使用酸性 镀敷，故与中层（B层）13的密接性提高。
[0111] 中层（B层）13优选为通过使用含有氰的镀敷液的镀敷处理而形成。由于使用含 氰的镀敷，因而可形成致密的皮膜，且耐久性(耐热性、耐气体腐蚀性、焊料润湿性等）提高。
[0112] 下层（C层）12优选为通过使用氨基磺酸浴或瓦特浴的镀敷处理而形成。由于使 用氨基磺酸浴或瓦特浴，故与基材的密接性提高。
[0113] 另外，氨基磺酸浴或瓦特浴中所使用的镀敷液优选为光泽Ni镀敷液。由于使用光 泽Ni镀敷作为镀敷液，故皮膜平滑且变硬，且低插拔性或耐久性(耐热性、耐气体腐蚀性、 焊料润湿性等）提
[0114] 另外，优选为在氨基磺酸浴或瓦特浴中含有糖精作为添加剂。通过添加糖精，形成 致密且较硬的皮膜，皮膜平滑且变硬，低插拔性或耐久性(耐热性、耐气体腐蚀性、焊料润湿 性等）提高。
[0115] [实施例] 以下，一并例示本发明的实施例与比较例，它们是为了更好地理解本发明而提供的，并 非意图限定本发明。
[0116] 作为实施例及比较例，按以下表1~7所示的条件分别制作通过将基材、下层（C 层)、中层（B层)、最表层（A层）依次设置并进行热处理而形成的试样。另外，也制作有未形 成下层（C层）的例。
[0117] 分别将基材的制作条件示于表1，下层（C层）的制作条件示于表2,中层（B层）的 制作条件不于表3,最表层（A层）的制作条件不于表4,热处理条件不于表5。另外，分别将 各实施例中使用的各层的制作条件及热处理条件示于表6,将各比较例中使用的各层的制 作条件及热处理条件示于表7。 iMl
【主权项】
1. 电子零件用金属材料，其具有低晶须性及高耐久性，且具备基材、A层、及B层， 所述A层构成所述基材的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成； 所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、Os、I;r或 它们的合金所形成； 所述最表层（A层）的厚度厚于0.2 ym， 所述中层（B层）的厚度为0.001 ymW上。
2. 电子零件用金属材料，其具有低晶须性及高耐久性，且具备基材、A层、及B层， 所述A层构成所述基材的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成； 所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、Os、I;r或 它们的合金所形成； 所述最表层（A层）的Sn、In的附着量多于150 y g/cm2， 所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、Os、Ir的附着量为1 y g/cm2 W上。
3. 如权利要求1或2所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层)的合金组成 为Sn、In或Sn与In的合计为50质量％ W上，其余合金成分由选自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、 &、化、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W、化所组成的组中的1种或2种W上的金属构成。
4. 如权利要求1~3中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述中层（B层)的合 金组成为 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、Os、Ir,或 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、Os 及 Ir 的合计为 50 质 量％ W上，其余合金成分由选自 Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl、Zn 所组成的组中的1种或2种W上的金属构成。
5. 如权利要求1~4中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层)表 面的算术平均高度（Ra)为0. 1 ym W下，其耐气体腐蚀性更优异。
6. 如权利要求1~5中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层)表 面的最大高度（Rz)为1 ym W下，其耐气体腐蚀性更优异。
7. 如权利要求1~6中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A