侧的加热器32用于为装片台31加热，由于加热器31中本身具有加热丝等连接线(图中未示出)，这些连接线需要连接至真空腔室之外的机台，而装片台31中的热电偶5也需要连接至真空腔室之外的机台，因此将装片台31的通道口 41设置在装片台31背面，可以方便的将热电偶5通过热电偶连接器7与加热器32中的加热丝等连接线一同连接至真空腔室之外。
[0045]具体地，上述多条通道在装片台31背面具有同一个通道口 41 ;通道口 41处设置有第一固定件411，通道口 41处的多个热电偶连接端51穿过第一固定件411并被第一固定件411固定；加热器32靠近装片台31 —侧的表面设置有出线口 8，多个热电偶连接器7从出线口 8处延伸至加热器32远离装片台31的一侧；出线口 8处设置有第二固定件412，出线口 8处的多个热电偶连接器7穿过第二固定件412并被第二固定件412固定；出线口8与通道口 41相对，通道口 41处多个热电偶连接端51分别与出线口 8处的多个热电偶连接器7相对设置。将装片台31上的多条通道4设置同一个通道口 41，可以更加方便将所有热电偶5 —起引出至真空腔室之外，并且可以与加热器32原有的连接线管道相配合。需要说明的是，在装片台31与加热器32装配在一起之前，装片台31上的热电偶连接端51并未与加热器32上的热电偶连接器7相连接，由于通道口 41处多个热电偶连接端51被固定，出线口 8处的多个热电偶连接器7也被固定，并且热电偶5和热电偶连接器7 —一对应，在装配装片台31与加热器32时，直接将通道口 41与出线口 8对准并使装片台31与加热器32靠近接触，即可使装片台31中的热电偶5与加热器32中的热电偶连接器7对应连接。
[0046]具体地，如图8所示，装片台31的背面设置有定位销91 ;加热器32靠近装片台31一侧的表面设置有与定位销91对应的定位孔92。定位稍91的长度大于任意热电偶连接端51的长度，在装配装片台31与加热器32时，先通过定位稍91确定装片台31与加热器32之间的相对位置关系，从而可以更加准确地使装片台31中的热电偶5与加热器32中的热电偶连接器7对应连接。
[0047]具体地，定位销91可以位于第一固定件411的中心处；定位孔92可以位于第二固定件412的中心处。在固定件上制作定位稍和相应的定位孔更加方便，并且在靠近热电偶5的位置定位更有利于热电偶5与热电偶连接器7的对应。
[0048]具体地，第一固定件411和第二固定件412由陶瓷材料形成。陶瓷材料耐高温并且绝缘。需要说明的是，由于装片台31通常为金属材料，因此热电偶5的外部包裹有绝缘皮，在测试点处露出热电偶5，以检测该处的温度，在通道口处露出热电偶连接端51，以方便与热电偶连接器7的连接，因此通道口处的第一固定件411还用于使露出的多个热电偶连接端51之间相互绝缘，以及使热电偶连接端51与通道口边缘处的装片台31绝缘。
[0049]具体地，如图7和图8所示，第二固定件412将出线口 8密封。在薄膜沉积的过程中，真空腔室处于抽真空状态，而加热器中连接至真空腔室之外的出线管道为正常大气压，因此为了进一步保证真空腔室中的状态，通过第二固定件将加热器的出线口密封，只露出热电偶连接器用于与热电偶连接即可。
[0050]本实施例中的下电极装置，通过在装片台的内部设置热电偶，使得可以直接测量装片台的温度，从而能够更加精确地测量装片台上基片表面的温度。
[0051]本发明实施例提供一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于腔室中的上电极装置和下电极装置，该下电极装置为上述实施例中的下电极装置。
[0052]进一步地，该薄膜沉积设备可以为物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n,PVD)设备或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)设备等薄膜沉积设备,具体地，该薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。
[0053]本实施例中的薄膜沉积设备，通过在下电极装置中装片台的内部设置热电偶，使得可以直接测量装片台的温度，从而能够更加精确地测量装片台上基片表面的温度。
[0054]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种下电极装置，包括装片台，其特征在于， 所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。2.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于， 所述通道为多条； 所述多条通道分别通向所述装片台内部的多个测试点； 每条通道中均设置有一个所述热电偶。3.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于， 每个所述测试点与所述装片台中心处之间的距离不同。4.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，还包括: 位于所述装片台背面一侧的加热器； 所述加热器中设置有多个热电偶连接器，所述多个热电偶连接器从所述加热器靠近所述装片台的一侧贯穿至远离所述装片台的一侧； 所述多条通道分别设有连通至所述装片台背面的通道口，每个热电偶还包括延伸至所述通道口的热电偶连接端，所述多个热电偶连接端分别连接于所述多个热电偶连接器。5.根据权利要求4所述的下电极装置，其特征在于， 所述多条通道在所述装片台背面具有同一个通道口； 所述通道口处设置有第一固定件，所述通道口处的多个热电偶连接端穿过所述第一固定件并被所述第一固定件固定； 所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有出线口，所述多个热电偶连接器从所述出线口处延伸至所述加热器远离所述装片台的一侧； 所述出线口处设置有第二固定件，所述出线口处的多个热电偶连接器穿过所述第二固定件并被所述第二固定件固定； 所述出线口与所述通道口相对，所述通道口处多个热电偶连接端分别与所述出线口处的多个热电偶连接器相对设置。6.根据权利要求5所述的下电极装置，其特征在于， 所述装片台的背面设置有定位销； 所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有与所述定位销对应的定位孔。7.根据权利要求6所述的下电极装置，其特征在于， 所述定位销位于所述第一固定件的中心处； 所述定位孔位于所述第二固定件的中心处。8.根据权利要求5所述的下电极装置，其特征在于， 所述第二固定件将所述出线口密封。9.一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置，其特征在于， 所述下电极装置为权利要求1至8中任意一项所述的下电极装置。10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备，其特征在于， 所述薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。
【专利摘要】本发明公开了一种下电极装置和薄膜沉积设备，涉及半导体制造技术领域，能够更加精确地测量基片表面的温度。该下电极装置，包括装片台，所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置，所述下电极装置为上述的下电极装置。
【IPC分类】C23C16/44
【公开号】CN105132885
【申请号】CN201410253075
【发明人】王福来
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年6月9日