加至如图7A所不晶片的下表面的边缘上的工作载荷，因为晶片的厚度和载体的厚度之差减小了。由此，在第二抛光操作中的晶片的下表面的平整度可以相对于如图7A所示的晶片的下表面的平整度得到提尚ο
[0145]参照图8C，在第二抛光操作之后，载体180-1和180-2由提伸单元190降下，使得所述载体180-1和180-2的下表面接触下表面板110的上表面。
[0146]在载体180-1和180-2的下表面与下表面板110的上表面接触的同时，对经历过二次抛光的晶片W1和W2进行第三次抛光，直到晶片W1和W2具有最终目标厚度为止。
[0147]在第三抛光操作中，由于载体180-1和180-2的下表面与下表面板110的上表面接触，施加到已经历二次抛光的晶片的边缘上的工作载荷820-1可以减小，并且因此晶片W1和W2的下表面的平整度可以得以提高。
[0148]另外，由于在晶片W1和W2的厚度和载体180-1和180_2的厚度之差进一步减小，所以在晶片的上表面的边缘上的工作载荷与晶片的上表面的其他部分的工作载荷之差可以减小，并且因此晶片的上表面的平整度也可以得以提高。
[0149]图9Α示出了图7Α和图7Β所示的载体的位置。
[0150]在该附图中，X轴表示抛光时间，而y轴表示载体的高度。
[0151]参照图9A，在第一抛光操作中(Ο-tl段)中，可以提升一个或多个载体180-1和180-2，并且载体180-1和180-2的上表面距离下表面板110的上表面的高度可以是第一高度(H1)。例如，第一高度(H1)可以是当载体180-1和180-2的上表面接触上表面板140的下表面时从下表面板110的上表面到载体180-1和180-2的上表面的距离。
[0152]在第二抛光操作中(tl_t2段)中，可以降下一个或多个载体180-1和180-2，并且载体180-1和180-2的上表面距离下表面板110的上表面的高度可以是第二高度(H2)。例如，当载体180-1和180-2的下表面接触下表面板110的上表面时，第二高度(H2)可以是从下表面板110的上表面到载体180-1和180-2的上表面的距离。
[0153]图9B示出了图8A和图8B所示的载体的位置。
[0154]参照图9B，在第一抛光操作中(0 - t3段)中，载体180-1和180_2的上表面距离下表面板110的上表面的高度可以是第二高度(H2)。
[0155]在第二抛光操作中(t3_t4段)中，可以提升所述一个或多个载体180-1和180-2，并且载体180-1和180-2的上表面距离下表面板110的上表面的高度可以是第三高度(H3)。例如，第三高度(H3)可以是当容纳已经历二次抛光晶片的载体180-1和180-2的上表面接触上表面板140的下表面时从下表面板110的上表面到载体180-1和180-2的上表面的距离。
[0156]在第三抛光操作中(t4_t2段)中，可以降下一个或多个载体180-1和180-2，并且载体180-1和180-2的上表面距离下表面板110的上表面的高度可以是第二高度(H2)。
[0157]所述实施例可以通过提升和降下180-1和180-2而减小180-1和180-2的上表面和晶片W1和W2的上表面之差以及180-1和180-2的下表面和晶片W1和W2的下表面之差，而改善抛光晶片的边缘部分、后表面和表面的平整度。
[0158]虽然，已经参照多个所示实施方式描述了各个实施例，但是应当理解的是本领域技术人员可以设计落入本公开的精神和原理范围内的多种其它的修改和实施例。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内，对主体组合布置的部件和/或布置进行各种变型和修改。除了对部件和/或布置进行各种变型和修改，可替换的使用对于本领域普通技术人员也是明显的。
【主权项】
1.一种晶片抛光设备，包括: 下表面板； 上表面板，所述上表面板设置在所述下表面板上方； 载体，所述载体设置在所述下表面板和所述上表面板之间并且容纳晶片；以及提升单元，所述提升单元提升所述载体，使得所述载体的上表面接触所述上表面板的下表面，或者降下所述载体，使得所述载体的下表面接触所述下表面板的上表面。2.如权利要求1所述的晶片抛光设备，其特征在于，还包括: 恒星齿轮，所述恒星齿轮设置在所述下表面板的中心处；和 内齿轮，所述内齿轮绕所述下表面板的周界设置， 其中，所述载体包括绕所述载体的外周面形成的、并且与所述恒星齿轮和所述内齿轮都啮合的齿轮齿，并且所述提升单元提升或降下所述恒星齿轮和所述内齿轮。3.如权利要求2所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述恒星齿轮还包括: 第一针齿轮，所述第一针齿轮包括多个第一针；和 第一支承件，所述第一支承件用于支承所述多个第一针， 其中，所述提升单元提升或降下所述第一支承件。4.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述内齿轮包括: 第二针齿轮，所述第二针齿轮包括多个第二针；和 第二支承件，所述第二支承件用于支承所述多个第二针， 其中，所述提升单元提升或降下所述第二支承件。5.如权利要求4所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述提升单元同时提升或降下所述第一支承件和所述第二支承件。6.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述恒星齿轮还包括各第一支承环，各所述第一支承环从所述多个相应第一针的外周面伸出。7.如权利要求6所述的晶片抛光设备，其特征在于，各所述第一支承环设置在所述多个相应第一针的下端处，并且接触所述第一支承件的上表面。8.如权利要求6所述的晶片抛光设备，其特征在于，各所述第一支承环设置在所述多个相应第一针的上端和下端之间的外周面处，并且与所述多个相应第一针的上端和下端间隔开。9.如权利要求6所述的晶片抛光设备，其特征在于，设置在所述多个第一针的两个相邻第一针的外周面处的各所述第一支承环是彼此间隔开的。10.如权利要求4所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述内齿轮还包括各第二支承环，各所述第二支承环从所述多个相应第二针的外周面伸出。11.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，各所述第二支承环设置在所述多个相应第二针的下端处，并且接触第二支承件的上表面。12.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，各所述第二支承环设置在位于所述多个相应第二针的上端和下端之间的所述多个相应第二针的外周面处，并且与所述多个相应第二针的上端和下端间隔开。13.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，设置在所述多个第二针中的两个相邻第二针的外周面处的各所述第二支承环是彼此间隔开的。14.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述下表面板包括中心孔，并且所述第一支承件设置在所述下表面板的所述中心孔中。15.如权利要求4所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述提升单元包括: 第一提升部件，所述第一提升部件设置在所述第一支承件下方以提升或降下所述第一支承件；和 第二提升部件，所述第二提升部件设置在所述第二支承件下方以提升或降下所述第二支承件。16.如权利要求6所述的晶片抛光设备，其特征在于，各所述第一支承环中的每个的外径大于所述第一支承件的宽度。17.—种晶片抛光设备，包括: 下表面板； 上表面板，所述上表面板设置在所述下表面板上方； 恒星齿轮，所述恒星齿轮设置在所述下表面板的中心处； 内齿轮，所述内齿轮绕所述下表面板的周界设置； 载体，所述载体设置在所述下表面板和所述上表面板之间并且容纳晶片，所述载体包括形成在其外周面处并与所述恒星齿轮和所述内齿轮啮合的齿轮齿；以及 提升单元，所述提升单元提升所述恒星齿轮和所述内齿轮，使得所述载体的上表面接触所述上表面板的下表面，或者降下所述恒星齿轮和所述内齿轮，使得所述载体的下表面接触所述下表面板的上表面。18.如权利要求17所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述恒星齿轮包括: 第一针齿轮，所述第一针齿轮包括多个第一针；和 第一支承件，所述第一支承件用于支承所述多个第一针， 其中，所述内齿轮包括: 第二针齿轮，所述第二针齿轮包括多个第二针；和 第二支承件，所述第二支承件用于支承所述多个第二针， 所述提升单元同时提升或降下所述第一支承件和所述第二支承件。19.一种晶片抛光设备，包括: 下表面板； 上表面板，所述上表面板设置在所述下表面板上方； 载体，所述载体设置在所述下表面板和所述上表面板之间并且容纳晶片； 提升单元，所述提升单元提升所述载体，使得所述载体的上表面接触所述上表面板的下表面，或者降下所述载体，使得所述载体的下表面接触所述下表面板的上表面；以及控制单元，所述控制单元控制所述提升单元以使得所述载体提升或降下， 其中，所述控制单元控制所述提升单元以使得在第一抛光操作中，所述载体的第一表面与所述上表面板的第一表面和所述下表面板的第一表面中的一个接触，并且使得在第二抛光操作中，所述载体的第二表面与所述上表面板的第一表面和所述下表面板的第一表面中的另一个接触。20.如权利要求19所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述控制单元控制所述提升单元，以使在第三抛光操作中所述载体的第一表面再次与所述上表面板的第一表面和所述下表面板的第一表面中的所述一个接触。
【专利摘要】一种晶片抛光设备，包括：下表面板；上表面板，该上表面板设置在下表面板的上方；载体，该载体设置在下表面板和上表面板之间并且容纳晶片；以及提升单元，该提升单元提升该载体，使得该载体的上表面接触上表面板的下表面，或者降下该载体，使得该载体的下表面接触下表面板的上表面。
【IPC分类】B24B29/02, H01L21/304, B24B47/00
【公开号】CN105415154
【申请号】CN201510573510
【发明人】韩基润
【申请人】Lg矽得荣株式会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月10日
【公告号】DE102015217279A1, US20160074990...