变膜厚，对膜厚均匀性起到改善作用。
【附图说明】
[0030]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0031]附图中，
[0032]图1为现有的一种化学气相沉积装置的结构示意图；
[0033]图2为本发明的化学气相沉积装置的结构示意图；
[0034]图3为本发明的化学气相沉积装置中上、下极板的间距调整后的效果示意图。【具体实施方式】
[0035]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0036]请参阅图2，本发明提供一种化学气相沉积装置，包括相对设置的上极板10与下极板20、设于所述下极板20上方的沉积基板30、设于所述下极板20下方的基座40、以及设于所述基座40下方的支撑件50;
[0037]其中，所述基座40包括用于支撑所述下极板20的第一支撑板41、以及固定连接于所述第一支撑板41中央下方的支撑块42;所述支撑件50包括用于支撑所述基座40的第二支撑板51、以及固定连接于所述第二支撑板51中央下方的支撑柱52;
[0038]具体的，所述第二支撑板51与第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30之间通过数个螺纹柱60以及分别套设于数个螺纹柱60上且位于所述沉积基板30上方的数个螺帽70相连接；
[0039]具体的，所述数个螺纹柱60的底部分别与第二支撑板51固定连接，所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中分别设有数个第一、第二、第三通孔43、23、33，所述数个螺纹柱60穿过所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，数个螺帽70从所述沉积基板30的上方套设于数个螺纹柱60上，并且与螺纹柱60之间实现螺纹连接，从而通过调节数个螺帽70的高度即可实现所述下极板20的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板10、20之间的间距可调，对膜厚均匀性起到改善作用。
[0040]如图2所示，在本发明提供的实施例中，所述支撑件50与基座40、下极板20、及沉积基板30之间通过两个螺纹柱60及两个螺帽70相连接，且所述两个螺纹柱60分别位于所述下极板20的左右两侧。
[0041 ]在化学气相沉积过程中，当下极板20左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，可以将下极板20左侧的螺帽70向上拧，将下极板20右侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，实现如图3所示的效果，此时，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，右侧的上、下极板10、20的间距(spac ing)变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
[0042]反之，当下极板20右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，可以将下极板20右侧的螺帽70向上拧，将下极板20左侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板10、20的间距(spac ing)变小，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
[0043]同理，当螺纹柱60分布于下极板20的前后位置时，可以通过调整下极板20在前后方向的倾斜角度，从而调整下极板20前后方向的成膜均匀性。具体的，所述螺纹柱60还可以均匀性分布于下极板20的其它位置，通过调整不同位置的螺帽70的高度来调整下极板20上成膜的均匀性。
[0044]具体的，所述上、下极板10、20为两块上下平行的电极，其中，所述上极板10与射频电源11相连，所述下极板20接地。
[0045]具体的，所述沉积基板30为反应气体沉积成膜的衬底基板，优选的，所述沉积基板30为玻璃基板。
[0046]具体的，所述第一支撑板41与第二支撑板51可以为圆形、三角形或其它形状的基板。
[0047]具体的，所述基座40通过传动装置连接到步进马达，以步进方式升降下极板20。
[0048]具体的，所述化学气相沉积装置还包括腔室本体90，所述上极板10、下极板20、沉积基板30、基座40均位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的第二支撑板51位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的支撑柱52的上部位于所述腔室本体90内部，下部从所述腔室本体90穿出，位于所述腔室本体90外部。
[0049]具体的，所述腔室本体90上设有用来向腔室本体90内部通入反应气体的进气孔91ο
[0050]具体的，所述支撑柱52外设有水平方向限位套80，所述水平方向限位套80位于所述腔室本体90的外部，且通过连接机构固定于墙壁或其它物体上，当所述基座40在步进马达的带动下上下运动时，由于基座40与支撑件50通过螺纹柱60与螺帽70连接，从而支撑件50也会随基座40上下运动，此时，所述水平方向限位套80对所述支撑柱52起到水平方向限位的作用。
[0051]请参阅图2-3，本发明还提供一种化学气相沉积装置的使用方法，包括如下步骤:
[0052]步骤1、如图2所示，提供一化学气相沉积装置，其包括相对设置的上极板10与下极板20、设于所述下极板20上方的沉积基板30、设于所述下极板20下方的基座40、以及设于所述基座40下方的支撑件50;
[0053]其中，所述基座40包括用于支撑所述下极板20的第一支撑板41、以及固定连接于所述第一支撑板41中央下方的支撑块42;所述支撑件50包括用于支撑所述基座40的第二支撑板51、以及固定连接于所述第二支撑板51中央下方的支撑柱52;
[0054]所述第二支撑板51与第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30之间通过数个螺纹柱60以及分别套设于数个螺纹柱60上且位于所述沉积基板30上方的数个螺帽70相连接；
[0055]所述数个螺纹柱60的底部分别与第二支撑板51固定连接，所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中分别设有数个第一、第二、第三通孔43、23、33，所述数个螺纹柱60穿过所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，数个螺帽70从所述沉积基板30的上方套设于数个螺纹柱60上，并且与螺纹柱60之间实现螺纹连接；
[0056]所述化学气相沉积装置还包括腔室本体90，所述上极板10、下极板20、沉积基板30、基座40均位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的第二支撑板51位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的支撑柱52的上部位于所述腔室本体90内部，下部从所述腔室本体90穿出，位于所述腔室本体90外部;所述腔室本体90上设有用来向腔室本体90内部通入反应气体的进气孔91;
[0057]步骤2、通过进气孔91向腔室本体90内部通入反应气体，射频电源11通过上极板10向腔室本体90内部提供能量，下极板20作为下电极直接接地，从而在上极板10和下极板20之间产生射频电场，将反应气体激发成等离子体，进而对放置于下极板20上的沉积基板30进行镀膜；
[0058]步骤3、如图3所示，当所述步骤2中出现下极板20上不同位置的成膜厚度不一的情况时，停止沉积制程，打开腔室本体90，通过调节不同位置的螺纹柱60上的螺帽70的高度，调节不同位置的上、下极板10、20之间的间距，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，起到改善膜厚均匀性的作用。
[0059]优选的，所述化学气相沉积装置中，所述支撑件50与基座40、下极板20、及沉积基板30之间通过两个螺纹柱60及两个螺帽70相连接，且所述两个螺纹柱60分别位于所述下极板20的左右两侧。
[0060]在步骤2中，当下极板20左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板20左侧的螺帽70向上拧，将下极板20右侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，实现如图3所示的效果，此时，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，右侧的上、下极板10、20的间距(spac ing)变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
[0061]在步骤2中，当下极板20右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板20右侧的螺帽70向上拧，将下极板20左侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板10、20的间距(spac ing)变小，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀