度，通过工具连接装置6，实现超精密研抛模7与微细超声振动装置4的连接，研抛液进给系统和循环系统8，使得研抛液均匀分布和循坏在研抛模7和工件10之间。加工时，Z方向两级进给的同时，实现研抛模的微细超声振动，这种振动使得磨粒以很高的速度冲击工件表面，加之超声空化、研抛模锤击、刮擦等因素的综合作用下实现材料快速去除，实现微半环凹模阵列式研抛加工。在加工的同时，可以采用示踪粒子对流场和磨粒场的分布以及运动状态进行分析和跟踪，当使用PIV观察磨粒场时，需要制造和待加工工件同样几何形状的亚克力透明板，可分别从上方和从工件下方分别观察示踪粒子的分布和运动状态，也可采用闪频摄像装置对流场和磨粒场进行观察分析。根据加工要求，利用实时显微系统9观测微半环凹模的大致形状和超精密球体的磨损状态。传感器连接板11用于连接工件10和力传感器12，传感器12用来检测加工力的大小以及限位装置与工件是否接触，XY工作台13用来实现工件的平面移动，以满足加工不同形状、不同阵列排布、不同数量阵列的要求，传感器12固定于XY工作平台上方，计算机控制系统用以控制加工装置的进给速度、研抛力大小、研抛液进给速度以及其他加工参数，配电系统用于对整个机床系统和微细超声波发生器进行供电。
[0023]本实施例中，微半环凹模阵列，在一定厚度的晶体材料(单晶硅、蓝宝石、红宝石、碳化硅)衬底片上，通过材料去除形成的微半环凹模，几何形状多为球冠，但不限于球冠，几何外形最大截面直径(或最大截面积上两点最大距离)范围为0.2mm至10mm，若凹模为球冠形结构，要求具有极佳的形状精度(球度)，凹模边缘位于衬底上表面，边缘半径变化量AR与边缘半径R之间的比值尽可能趋近于0，同一尺寸的不同凹模之间形状具有一致性。
[0024]为实现这种微半环凹模的阵列式研抛，其原理为:自制超精密高一致性研抛模与衬底片之间充满研抛液，研抛液所含磨粒的粒度尺寸为纳米级，研抛模在衬底片上方微小距离(一般为100微米以内)内做高频微细超声振动，超声振动激发研抛液内的磨粒高速冲击衬底片，根据材料去除的情况，研抛模在Z方向向下做一定速度的进给运动，在磨粒冲击、超声空化、研抛模锤击、研抛模刮擦等复合作用下，实现微半环凹模阵列的材料去除。由于研抛模为阵列式精密球体组成，精密球体具有高的形状精度和高几何形状一致性以及高表面粗糙度，因而可以实现微半环凹模阵列式材料去除，能够保证各个微半环凹模之间很高的形状一致性，其加工原理如图1所示。
[0025]超精密高一致性阵列研抛模结构及其装配方法如图2和图3所示。研抛模的结构主要包括:工具连杆71、定位基板72、连接胶体73、限位挡圈74、精密球体75，工具连杆71与微细超声发生器相连接。在定位基板72上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体75直径，在孔径和精密球体75之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内，由于所有阵列孔径的大小相差极小且精密球体直径之间的大小亦相差很小，所以精密球嵌入孔后嵌入高度基本一致，具体等高装配方法在下面叙述。为防止Z向向下进给过度，在定位基板5上粘结了限位挡圈74，当限位挡圈74(柔性且具有一定刚度)，碰触工件平面，Z轴向下进给运动停止，根据材料去除情况以及后续抛光的预留量，限位挡圈的高度可以调整。所述定位基板72的底面覆盖连接胶体73。
[0026]研抛模的装配方法为:将阵列孔内均匀涂抹防水性粘结剂，如图3所示将研抛模倒置，采用平面度极佳的精密压板76垂直下压精密球体，由于精密球体75和孔径之间充满防水性粘结剂，垂直压力可以调节防水性粘结剂膜的厚度，进而达到球体上端最高点位于同一平面的目的。对于限位挡圈74采用类似的装配方式，采用带有阵列孔(阵列孔径大小大于球直径)的精密压板，垂直下压限位挡圈74，使得限位挡圈上圆环截面在一个平面内，完成限位挡圈的装配。
[0027]为解决加工过程中研抛模的高精密球体的磨损问题，所采用的技术方案包括:第一种方案，采用传统的塑性球体，材料为合金钢和特种刚，实验研究表明，采用合金钢作为高精密球体，在单晶硅硅片上进行凹模阵列加工时，适当调整进给速度和超声频率等价格等加工参数，可以保证球体的磨损量小于5%。第二种方案，本实用新型专利提出采用硬度更高的陶瓷球体作为精密研抛球，其硬度顺序为:MOHSii^MOHS雛〉MOHS工件，从莫氏硬度的排序上很容易理解在对工件进行有效加工的同时，精密球的磨损量将减小。
[0028]本实用新型实现阵列式微小凹模的高表面粗糙度，方法为:采用极低浓度的HNA溶液，保证HNA溶液在常温条件下对工件材料的腐蚀速度低于2-3μπι/π?η，利用蘸有HNA溶液的微小弹性研抛模具(模具尺寸小于凹模尺寸)，抛光模形状精度不需要特殊的要求，对上一步加工创成的微半环凹模阵列中的每一个微半环凹模进行短暂抛光，可以迅速提高凹模表面粗糙度。
[0029]本实施例在自制超精密阵列研抛模、两级Z方向进给、微细超声振动的协同下，综合流场和磨粒场分析，实现微小凹模阵列式高效超精密研抛。
【主权项】
1.一种微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于:包括床身、Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、微细超声振动装置、可调微细超声波发生器、工具连接装置、超精密研抛模、研抛液进给和循环系统、传感器连接板、力传感器和XY工作台，所述Z方向主进给机构安装在床身上，所述Z方向微动进给机构安装在所述Z方向主进给机构上，所述Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，所述微细超声振动装置的控制端与所述可调微细超声波发生器连接，所述微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置所述超精密研抛模连接，所述超精密研抛模的下方布置XY工作台，所述超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，所述加工工位上安装所述研抛液进给和循环系统，所述研抛液进给和循环系统底部安装传感器连接板，所述传感器连接板与力传感器连接； 所述研抛模包括工具连杆、定位基板、精密球体，工具连杆的上端与微细超声发生器相连接，所述工具连杆的下端与定位基板连接，在定位基板上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体直径，在孔径和精密球体之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内。2.如权利要求1所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于:所述装置还包括工作平台、计算机控制系统和配电系统，所述床身安装在所述工作平台上，所述Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、可调微细超声波发生器、力传感器和XY工作台均与所述计算机控制系统连接，所述可调微细超声波发生器与所述配电系统连接。3.如权利要求1或2所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于:在定位基板上粘结了限位挡圈，每个阵列孔径的敞口处布置所述限位挡圈。4.如权利要求3所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于:所述定位基板的底面覆盖连接胶体。
【专利摘要】一种微半环凹模阵列式研抛装置，Z方向主进给机构安装在床身上，Z方向微动进给机构安装在Z方向主进给机构上，Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，微细超声振动装置的控制端与可调微细超声波发生器连接，微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置超精密研抛模连接，超精密研抛模的下方布置XY工作台，超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，加工工位上安装研抛液进给和循环系统，研抛液进给和循环系统底部安装传感器连接板，传感器连接板与力传感器连接。本实用新型高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率。
【IPC分类】B24B37/11, B24B37/34, B24B37/00, B24B1/04
【公开号】CN205218689
【申请号】CN201520926620
【发明人】赵军, 袁巨龙, 杭伟
【申请人】浙江工业大学
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年11月19日