技术总结
[问题]本发明提供使用重均分子量大的聚硅烷制成涂布型聚硅烷组合物，在涂布于基板并烧成后而得到导电性高且良好的硅薄膜。[解决方案]所述聚硅烷具有5000～8000的重均分子量。聚硅烷为环戊硅烷的聚合物。硅膜是将聚硅烷溶解于溶剂而成的聚硅烷组合物涂布于基材并在100℃～425℃下进行烧成而得到的。环戊硅烷的聚合在负载于聚合物的钯催化剂的存在下进行。负载于聚合物的钯催化剂是将催化剂成分的钯固定于官能化聚苯乙烯而成的。钯为钯化合物或钯络合物。钯的固定化是用官能化聚苯乙烯对零价钯络合物或二价钯化合物进行微胶囊化。零价钯络合物为四(三苯基膦)钯(0)络合物。
技术研发人员：远藤雅久;孙军;后藤裕一;永井健太郎
受保护的技术使用者：薄膜电子有限公司
文档号码：201580038296
技术研发日：2015.06.30
技术公布日：2017.05.10