技术总结
本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶，包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合物膜，硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合物膜可保护籽晶避免被杂质污染，在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少，少子寿命较高。另外，该籽晶可实现多次重复使用，大大降低了铸造晶体硅的成本。本发明还提供了该晶体硅铸锭用籽晶的制备方法，包括：提供籽晶本体，通过气相沉积法在籽晶本体表面沉积硅系化合物，形成硅系化合物膜，从而得到晶体硅铸锭用籽晶，或将籽晶本体置于反应室中，在800℃‑1400℃温度下，通入可与硅反应生成硅系化合物的气体，使气体与籽晶表面的硅反应生成硅系化合物，从而在籽晶本体表面形成硅系化合物膜，得到晶体硅铸锭用籽晶。
技术研发人员：陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮
受保护的技术使用者：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
文档号码：201610817314
技术研发日：2016.09.12
技术公布日：2016.12.14