本发明涉及玻璃及其制备领域，尤其涉及一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术：
低辐射镀膜玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃，低辐射镀膜玻璃具有良好的透光，辐射、隔热性能，广泛应用于窗户、冷藏柜门等地方。低辐射镀膜玻璃一般包括玻璃基体和镀膜层，镀膜层在很大程度上决定了低辐射膜的性能。
现有的低辐射镀膜玻璃存在透过率与红外线阻隔效果以及隔热效果难以兼顾的缺点，通常存在红外线阻隔效果差，隔热功效不好且异地化后续深加工难以实现的问题。
因此，需要一种新的技术方案去解决上述问题。
技术实现要素：
发明目的：为了克服现有技术中存在的问题，本发明提出了一种透过率在50％、对红外线阻隔效果好，隔热功效佳，同时能够实现异地化后续深加工的离线可钢化六十透过率镀膜玻璃及其制备方法。
技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，所述镀膜层设于玻璃基片上，所述镀膜层依次由第一氮化硅层、第一金属镍铬层、金属银层、第二金属镍铬层、第二氮化硅层组成；所述第一氮化硅层的厚度为35-45nm、所述第一金属镍铬层的厚度为12-17nm、所述金属银层的厚度为8-13nm、所述第二金属镍铬层的厚度为12-17nm、所述第二氮化硅层的厚度为55-65nm。
为了获得更加的性能，所述玻璃基片的厚度为3-15mm。
更进一步的，所述玻璃基片的厚度为6mm。
为获得最优的镀膜玻璃片的品质，所述第一氮化硅层的厚度为42nm、所述第一金属镍铬层的厚度为15nm、所述金属银层的厚度为13nm、所述第二金属镍铬层的厚度为15nm、所述第二氮化硅层的厚度为60nm。
本发明还公开了上述离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：
(1)选择3-15mm厚度的玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa,线速度设置为3.5m/min；
(3)将玻璃基片送入镀膜室进行镀膜，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为100-120KW，在玻璃基片上溅射第一层厚度为35-45nm的第一氮化硅层；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4-5KW，在玻璃基片上溅射第二层厚度为12-17nm的第一金属镍铬层；
(5)设置第三真空磁控溅射镀膜设备的功率为3.5-4.5KW，在玻璃基片上溅射第三层厚度为8-13nm的金属银层；
(6)设置第四真空磁控溅射镀膜设备的功率为4-5KW，在玻璃基片上溅射第四层厚度为12-17nm的第二金属镍铬层；
(7)设置第五真空磁控溅射镀膜设备的功率为155-170KW，在玻璃基片上溅射第五层厚度为55-65nm的第二氮化硅层；即得所需离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃。
更为优选的，所述步骤(1)中选择厚度为6mm的玻璃基片。
在一些实施方式中，所述步骤(3)中在玻璃基片上溅射的第一氮化硅层的厚度为42nm、步骤(4)中在玻璃基片上溅射的第一金属镍铬层的厚度为15nm、步骤(5)中在玻璃基片上溅射的金属银层的厚度为13nm、步骤(6)中在玻璃基片上溅射的第二金属镍铬层的厚度为15nm、步骤(7)中在玻璃基片上溅射的第二氮化硅层的厚度为60nm。
更为优选的，所述步骤(3)中设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为110KW、步骤(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.3KW、步骤(5)中设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW、步骤(6)中设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.3KW、步骤(7)中设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为160KW。
有益效果：本发明提供的一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃及其制备方法，包括玻璃基片和镀膜层，透过率在60％左右，镀膜层采用扩散系数很低的氮化硅膜层作为保护层，并依次溅射相应厚度的金属镍铬层、金属银层、金属镍铬层、氮化硅层，有较好的稳定性，针孔密度非常低，磁控溅射沉积的氮化硅膜层致密、平整且硬度很高，对可动离子有非常强的阻挡能力，在1200℃时不发生氧化，有较好的抗蚀性，膜层在钢化炉中进行高温热处理时而不受损坏，保持了原有的热工性能。实现了离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃耐高温、高隔热，强阻隔红外线的性能，并实现远程异地化的切割、磨边、钢化、中空等后续加工。
附图说明
图1为本发明具体实施方式离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃镀膜层截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明：
实施例1：
一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，所述镀膜层设于玻璃基片上，所述镀膜层依次由第一氮化硅层1、第一金属镍铬层2、金属银层3、第二金属镍铬层4、第二氮化硅层5组成。所述第一氮化硅层1的厚度为42nm、所述第一金属镍铬层2的厚度为15nm、所述金属银层3的厚度为13nm、所述第二金属镍铬层4的厚度为15nm、所述第二氮化硅层5的厚度为60nm。
为了获得更加的性能，所述玻璃基片的厚度为6mm。
上述离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：
(1)选择6mm厚度的玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa,线速度设置为3.5m/min；
(3)将玻璃基片送入镀膜室进行镀膜，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为110KW，在玻璃基片上溅射第一层厚度为42nm的第一氮化硅层1；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.3KW，在玻璃基片上溅射第二层厚度为15nm的第一金属镍铬层2；
(5)设置第三真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW，在玻璃基片上溅射第三层厚度为13nm的金属银层3；
(6)设置第四真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.3KW，在玻璃基片上溅射第四层厚度为15nm的第二金属镍铬层4；
(7)设置第五真空磁控溅射镀膜设备的功率为160KW，在玻璃基片上溅射第五层厚度为60nm的第二氮化硅层5；即得所需离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃。
实施例2：
一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，所述镀膜层设于玻璃基片上，所述镀膜层依次由第一氮化硅层1、第一金属镍铬层2、金属银层3、第二金属镍铬层4、第二氮化硅层5组成。所述第一氮化硅层1的厚度为35nm、所述第一金属镍铬层2的厚度为12nm、所述金属银层3的厚度为8nm、所述第二金属镍铬层4的厚度为12nm、所述第二氮化硅层5的厚度为55nm。
为了获得更加的性能，所述玻璃基片的厚度为3mm。
上述离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：
(1)选择3mm厚度的玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa,线速度设置为3.5m/min；
(3)将玻璃基片送入镀膜室进行镀膜，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为100KW，在玻璃基片上溅射第一层厚度为35nm的第一氮化硅层1；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW，在玻璃基片上溅射第二层厚度为12nm的第一金属镍铬层2；
(5)设置第三真空磁控溅射镀膜设备的功率为3.5KW，在玻璃基片上溅射第三层厚度为8nm的金属银层3；
(6)设置第四真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW，在玻璃基片上溅射第四层厚度为12nm的第二金属镍铬层4；
(7)设置第五真空磁控溅射镀膜设备的功率为155KW，在玻璃基片上溅射第五层厚度为55nm的第二氮化硅层5；即得所需离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃。
实施例3：
一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，所述镀膜层设于玻璃基片上，所述镀膜层依次由第一氮化硅层1、第一金属镍铬层2、金属银层3、第二金属镍铬层4、第二氮化硅层5组成。所述第一氮化硅层1的厚度为45nm、所述第一金属镍铬层2的厚度为17nm、所述金属银层3的厚度为13nm、所述第二金属镍铬层4的厚度为17nm、所述第二氮化硅层5的厚度为65nm。
为了获得更加的性能，所述玻璃基片的厚度为15mm。
上述离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：
(1)选择15mm厚度的玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa,线速度设置为3.5m/min；
(3)将玻璃基片送入镀膜室进行镀膜，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为120KW，在玻璃基片上溅射第一层厚度为45nm的第一氮化硅层1；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为5KW，在玻璃基片上溅射第二层厚度为17nm的第一金属镍铬层2；
(5)设置第三真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.5KW，在玻璃基片上溅射第三层厚度为13nm的金属银层3；
(6)设置第四真空磁控溅射镀膜设备的功率为5KW，在玻璃基片上溅射第四层厚度为17nm的第二金属镍铬层4；
(7)设置第五真空磁控溅射镀膜设备的功率为170KW，在玻璃基片上溅射第五层厚度为65nm的第二氮化硅层5；即得所需离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃。
采用上述实施例1-3的一种离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃及其制备方法制备得到的低辐射镀膜玻璃，其透过率在60％左右，镀膜层在钢化炉中进行高温热处理时而不受损坏，保持了原有的热工性能，实现了离线可钢化六十透过率低辐射镀膜玻璃的耐高温、高隔热，强阻隔红外线的性能，并实现远程异地化的切割、磨边、钢化、中空等后续加工。
应当指出，以上具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。