技术总结
本实用新型公开了一种应用非接触测温的磷化铟单晶炉，属于半导体单晶制备技术领域。所述磷化铟单晶炉包括炉体，炉盖，坩埚，坩埚内放置有多晶熔体，坩埚与炉体之间设置有加热体，籽晶杆，籽晶杆一端固定有籽晶，另一端连接有传动机构，在炉盖上表面开有观察窗，垂直观察窗上方固定有红外测温仪，通过红外测温仪监测多晶熔体的温度。本实用新型采用红外测温仪监测多晶熔体温度，无需加运动结构，使控制方法简单，且红外测温仪测温不受炉内高温和挥发性物质影响，测温精度稳定，降低维护成本。
技术研发人员：杨翠柏;方聪;杨光辉
受保护的技术使用者：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
文档号码：201621316414
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2017.05.31