单晶的制造方法和制造装置与流程

文档序号:11381016阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
[课题]正确地在单晶的提拉工序中测量晶体直径而不受来自加热器的辐射光强弱的影响。[解決手段]根据本发明所述的单晶的制造方法,基于Czochralski法的单晶的提拉工序中,用照相机拍摄前述单晶与融液面的分界部的图像,将在前述分界部出现的熔融环的圆周方向的最高亮度分布101中至少小于最大值的值设定为阈值H,将前述最高亮度分布101中最高亮度达到前述阈值H以下的区域指定为直径测量区域,进行直径测量处理。

技术研发人员:滨田建;高梨启一
受保护的技术使用者:胜高股份有限公司
技术研发日:2017.02.28
技术公布日:2017.09.05
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