技术特征：
技术总结
本发明涉及的是一种三元半导体纳米晶三硫锡铅及其物理制备方法，其步骤如下：(1)清洗球磨罐，烘干，将高纯铅粉、锡粉和硫粉的粉末混合物作为原材料密封在球磨罐，其中所加的粉末粒径大小均为100±5nm，球磨罐密封后进行排空处理，防止反应时样品被氧化；(2)将球磨罐安装在球磨机上进行球磨，调整球磨机马达的运转速率为1200r/min，球磨时间为5h以上，即得三元半导体纳米晶PbSnS3。本发明的有益效果在于：所制得的三硫锡铅纳米晶尺寸均匀、纯相(无杂质)，且结晶性良好。此外，本发明相对于化学法的条件苛刻(高温高压)，反应前驱体有毒等缺点，具有制备工艺简单、绿色环保，且可实现大批量生产等显著的优点。
技术研发人员：谭国龙;方娟
受保护的技术使用者：武汉理工大学
技术研发日：2017.04.14
技术公布日：2017.09.01