本发明涉及电子陶瓷领域，具体涉及一种电子陶瓷元件表面处理工艺。
背景技术：
电子陶瓷广泛用于制作电子功能元件的、多数以氧化物为主成分的烧结体材料。随着电子信息业的迅猛发展，片式电子陶瓷元件得到广泛的应用，越来越多的元件实现了片式化、小型化。而电子陶瓷元件的表面处理工艺也是尤为重要，科学合理地进行电子陶瓷元件的表面处理能使产品性能增强，提高电子陶瓷元件的应用领域及适应环境，另外片式元件通常由元件基片、内部电极和端电极构成，为了提高元件的焊接性，需在端电极表面镀上一层镍层和一层锡层，但在电镀过程中产品表面也容易镀上镍层和锡层，造成产品外观不良和表层导通短路，从而导致产品应用不良。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种电子陶瓷元件表面处理工艺，该种电子陶瓷元件表面处理工艺简单方便，加工成本低，经本发明处理过的电子陶瓷元件能增强电子陶瓷元件的阻燃性、防水性及耐刮擦性，有效地提高了产品的性能，能完全抑制电子陶瓷元件产品电镀时发生爬镀的不良现象。
为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现的：
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，该处理液按重量份计包括以下原料：水杨酸镁5-15份、mnco36-12份、catio36-12份、y2o33-8份、h3po41-5份、加气铝粉2-7份、粘接剂1-5份、硅藻粉1-5份和水20-40份；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡4-6h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为4-8℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即可。
进一步地，所述处理液按重量份计包括以下原料：水杨酸镁8-12份、mnco38-10份、catio38-10份、y2o34-6份、h3po42-4份、加气铝粉3-5份、粘接剂1-3份、硅藻粉2-4份和水25-35份。
更进一步地，所述处理液按重量份计包括以下原料：水杨酸镁10份、mnco39份、catio39份、y2o35份、h3po43份、加气铝粉4份、粘接剂2份、硅藻粉3份和水30份。
进一步地，所述加气铝粉和硅藻粉的粒径大小≤1mm。
优选地，所述粘接剂为乙基三甲氧基硅烷、n-羟甲基丙烯酰胺或聚己二酸己二醇酯中的一种。
作为本发明的优化方案，所述表面处理液的制备方法是将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即可，其搅拌转速为400-600r/min,搅拌温度为50-60℃，搅拌时间为15-25min。
进一步地，在步骤(3)中，所述表面烘干处理的烘干温度为80-90℃，烘干时间为2-3h。
进一步地，在步骤(4)中，所述烧结处理的烧结温度为480-520℃，烧结时间为1-2h。
本发明具有如下的有益效果：
(1)本发明的电子陶瓷元件表面处理工艺简单方便，加工成本低，适宜大批量生产加工，提高了工作效率；
(2)经本发明处理过的电子陶瓷元件能使元件表面形成一层高电阻率的保护膜，增加产品表面电阻，从而能达到完全抑制电子陶瓷元件产品电镀时发生爬镀的不良现象；
(3)经本发明处理过的电子陶瓷元件能增强电子陶瓷元件的阻燃性、防水性及耐刮擦性，有效地提高了产品的性能。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，预备以下原料：水杨酸镁5kg、mnco36kg、catio36kg、y2o33kg、h3po41kg、加气铝粉2kg、粘接剂1kg、硅藻粉1kg和水20kg，所述的粘接剂采用乙基三甲氧基硅烷；
将上述的加气铝粉和硅藻粉通过粉磨机粉碎至粒径大小≤1mm，再将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即制得所需的表面处理液，其中，电加热搅拌罐的搅拌转速为400r/min,搅拌温度为50℃，搅拌时间为15min；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡4-6h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为4℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理，其中，烘干温度为80℃，烘干时间为2h；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即完成电子陶瓷元件的表面处理，其中，烧结温度为480℃，烧结时间为1h。
实施例2
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，预备以下原料：水杨酸镁8kg、mnco38kg、catio38kg、y2o34kg、h3po42kg、加气铝粉3kg、粘接剂1kg、硅藻粉2kg和水25kg，所述的粘接剂采用n-羟甲基丙烯酰胺；
将上述的加气铝粉和硅藻粉通过粉磨机粉碎至粒径大小≤1mm，再将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即制得所需的表面处理液，其中，电加热搅拌罐的搅拌转速为500r/min,搅拌温度为55℃，搅拌时间为20min；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡5h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为6℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理，其中，烘干温度为85℃，烘干时间为2.5h；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即完成电子陶瓷元件的表面处理，其中，烧结温度为500℃，烧结时间为1.5h。
实施例3
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，预备以下原料：水杨酸镁10kg、mnco39kg、catio39kg、y2o35kg、h3po43kg、加气铝粉4kg、粘接剂2kg、硅藻粉3kg和水30kg，所述的粘接剂采用聚己二酸己二醇酯；
将上述的加气铝粉和硅藻粉通过粉磨机粉碎至粒径大小≤1mm，再将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即制得所需的表面处理液，其中，电加热搅拌罐的搅拌转速为600r/min,搅拌温度为60℃，搅拌时间为25min；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡6h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为8℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理，其中，烘干温度为90℃，烘干时间为3h；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即完成电子陶瓷元件的表面处理，其中，烧结温度为520℃，烧结时间为2h。
实施例4
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，预备以下原料：水杨酸镁12kg、mnco310kg、catio310kg、y2o36kg、h3po44kg、加气铝粉5kg、粘接剂3kg、硅藻粉4kg和水35kg，所述的粘接剂采用乙基三甲氧基硅烷；
将上述的加气铝粉和硅藻粉通过粉磨机粉碎至粒径大小≤1mm，再将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即制得所需的表面处理液，其中，电加热搅拌罐的搅拌转速为550r/min,搅拌温度为58℃，搅拌时间为22min；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡5h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为7℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理，其中，烘干温度为88℃，烘干时间为2.8h；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即完成电子陶瓷元件的表面处理，其中，烧结温度为510℃，烧结时间为1.8h。
实施例5
一种电子陶瓷元件表面处理工艺，按照以下步骤进行：
(1)先配制表面处理液，预备以下原料：水杨酸镁15kg、mnco312kg、catio312kg、y2o38kg、h3po45kg、加气铝粉7kg、粘接剂5kg、硅藻粉5kg和水40kg，所述的粘接剂采用n-羟甲基丙烯酰胺；
将上述的加气铝粉和硅藻粉通过粉磨机粉碎至粒径大小≤1mm，再将所有原料输送至电加热搅拌罐中进行搅拌混匀处理即制得所需的表面处理液，其中，电加热搅拌罐的搅拌转速为450r/min,搅拌温度为52℃，搅拌时间为18min；
(2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡4h，使电子陶瓷元件表面生成保护膜；
(3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出，用温度为5℃的去离子水冲洗表面，再置于烘干箱中进行表面烘干处理，其中，烘干温度为82℃，烘干时间为2.2h；
(4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即完成电子陶瓷元件的表面处理，其中，烧结温度为490℃，烧结时间为1.2h。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。