单晶炉副室增高件的制作方法

文档序号:11329888阅读:809来源:国知局
单晶炉副室增高件的制造方法与工艺

本实用新型单晶炉副室增高件,属于太阳能单晶硅生产技术领域。



背景技术:

近年来,国内单晶炉市场发展迅速,为了提高生产效率,降低生产成本,增加竞争力,企业致力于研究提高单晶硅棒原料投入以延长单晶硅棒长度,但是一些幸好的单晶炉生产标准的固定性,副室长度一定,投入的原料必然是定量的,随意增加会使生产的单晶硅棒长度延长,但是在提拉时却无法使单晶硅棒完全脱离主室,错位旋转时会使单晶硅棒与内壁发生碰撞,后续工作也无法完成。



技术实现要素:

本实用新型克服现有技术存在的不足,所要解决的技术问题是提供一种结构简单的单晶炉副室增高件,安装在单晶炉上延长副室长度,以生产更长的单晶硅棒,以提高生产效率。

为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:单晶炉副室增高件,包括增高件本体,增高件本体的上端设有连接提升机构的第一法兰且其下端设有连接副室的第二法兰,所述增高件本体内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通,所述增高件本体外壁上设有密封的环状冷却室,所述环状冷却室的下端设有进水口且其上端设有出水口。

所述增高件本体的底部外壁上设置有支撑环片且所述支撑环片位于环状冷却室下方,所述环状冷却室与支撑环片之间填充有耐火材料,所述耐火材料内设有多个细密孔。

所述环状冷却室与增高件本体外壁密封焊接,且焊接方式为氢弧焊。

所述增高件本体的上部设有维修门。

所述环状冷却室上部设有避开维修门的凹形缺口。

本实用新型同现有技术相比所具有的有益效果是:用于安装在单晶炉的提升机构和副室之间以延长副室内腔长度,避免过长的单晶硅棒无法完全进入副室内腔影响后续工作,使得生产中可以依靠加大原料投入提升单次生产产量,从而提高生产效率,降低生产成本且改造成本低;在生产中增高件本体与副室一样都处于高温环境,环状冷却室内通入冷却水可以使增高件本体使用寿命延长,进水口设置在下部且出水口设置在上部,可有效延长冷却水在环状冷却室内部的换热面积与时长,提高冷却效果;万一环状冷却室内有渗出的冷却水,内设细密孔的耐火材料可以有效吸收避免冷却水滴落,而增高件本体内的高温同时可将耐火材料内的吸收水蒸发。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1的后视图。

图中:1为增高件本体,2为第一法兰,3为第二法兰,4为环状冷却室,5为进水口,6为出水口,7为支撑环片,8为耐火材料,9为维修门。

具体实施方式

如图1-2所示,本实用新型单晶炉副室增高件,包括增高件本体1,增高件本体1的上端设有连接提升机构的第一法兰2且其下端设有连接副室的第二法兰3,所述增高件本体1内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通,增高件本体1用于安装在单晶炉的提升机构和副室之间对原有的单晶炉进行改造以延长副室内腔长度,避免过长的单晶硅棒无法完全进入副室内腔影响后续工作,使得生产中可以依靠加大原料投入提升单次生产产量,从而提高生产效率,降低生产成本;所述增高件本体1外壁上设有密封的环状冷却室4,所述环状冷却室4的下端设有进水口5且其上端设有出水口6,在生产中增高件本体1与副室一样都处于高温环境,环状冷却室4内通入冷却水可以使增高件本体1使用寿命延长,进水口5设置在下部且出水口6设置在上部,可有效延长冷却水在环状冷却室4内部的换热面积与时长,提高冷却效果。

所述增高件本体1的底部外壁上设置有支撑环片7且所述支撑环片7位于环状冷却室4下方,所述环状冷却室4与支撑环片7之间填充有耐火材料8,所述耐火材料8内设有多个细密孔,万一环状冷却室4内有渗出的冷却水,内设细密孔的耐火材料8可以有效吸收避免冷却水滴落,而增高件本体1内的高温同时可将耐火材料8内的吸收水蒸发。

所述环状冷却室4与增高件本体1外壁密封焊接,且焊接方式为氢弧焊。

所述增高件本体1的上部设有维修门9。

所述环状冷却室4上部设有避开维修门9的凹形缺口。

上面结合附图对本实用新型的实施例作了详细说明,但是本实用新型并不限于上述实施例,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。

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