1.用于化合物半导体多晶料成型的装置，基于高压合成化合物半导体的合成炉，其特征在于：该装置包括增设在熔炉炉腔（7）内的成型模具（4）及定位在成型模具（4）上的升降杆（2），升降杆（2）穿过炉顶盖（8）连接配套升降驱动机构，成型模具（4）设置在盛装合成熔体（9）的坩埚（3）上方，并分布有下端开口对准坩埚（3）的成型腔（41），借助升降杆（2）和配套升降驱动机构，成型模具（4）下降至坩埚（3）内、合成熔体（9）从下端开口充入成型腔（41）内、降温凝固为与成型腔（41）匹配的多晶料。
2.根据权利要求1所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述成型腔（41）的拔模斜度为0.3-0.8度。
3.据权利要求2所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述成型腔（41）的拔模斜度为0.5度。
4.根据权利要求2所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述成型模具（4）上分布有4-8个成型腔（41）。
5.根据权利要求4所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述成型腔（41）的横截面形状为圆形或方形，且截面为方形的型腔各过渡面间进行圆弧过渡处理。
6.根据权利要求5所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述圆形型腔的直径或方形型腔的边长为2-6寸。
7.根据权利要求1-6任一项所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述成型模具（4）的材质为氧化铝陶瓷。
8.根据权利要求1-6任一项所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述升降杆（2）定位在成型模具（4）的顶部中心，配套升降驱动机构包括定位在炉顶盖（8）上的电机及与电机连接的丝杠丝母副，升降杆（2）的另一端定位在丝杠或丝母上。
9.根据权利要求7所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述升降杆（2）定位在成型模具（4）的顶部中心，配套升降驱动机构包括定位在炉顶盖（8）上的电机及与电机连接的丝杠丝母副，升降杆（2）的另一端定位在丝杠或丝母上。
10.根据权利要求7所述的用于化合物半导体多晶料成型的装置，其特征在于：所述升降杆（2）定位在成型模具（4）的顶部中心，配套升降驱动机构为定位在炉顶盖（8）上的气缸，升降杆（2）的另一端与气杆连接。