技术特征：
1.一种碳纳米管复合体集合线，包括多个碳纳米管复合体，所述多个碳纳米管复合体各自包括一个碳纳米管和被覆所述碳纳米管的包含无定形碳的层，所述碳纳米管的d/g比为0.1以下，所述d/g比是波长为532nm的拉曼光谱分析中d带的峰强度与g带的峰强度之比，所述多个碳纳米管复合体各自呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下，所述多个碳纳米管复合体沿所述碳纳米管复合体集合线的纵向方向取向。2.根据权利要求1所述的碳纳米管复合体集合线，其中所述包含无定形碳的层的d/g比为0.5以上，所述d/g比是波长为532nm的拉曼光谱分析中d带的峰强度与g带的峰强度之比。3.一种根据权利要求1或2所述的碳纳米管复合体集合线的热处理体。4.一种制造碳纳米管复合体集合线的方法，该方法包括：准备多个碳纳米管的第一步骤；通过用包含无定形碳的层被覆所述多个碳纳米管中的每一个碳纳米管，从而获得多个碳纳米管复合体的第二步骤；以及通过使所述多个碳纳米管复合体沿其纵向方向取向并集合，从而获得碳纳米管复合体集合线的第三步骤。5.根据权利要求4所述的制造碳纳米管复合体集合线的方法，其中所述碳纳米管的d/g比为0.1以下，所述d/g比是波长为532nm的拉曼光谱分析中d带的峰强度与g带的峰强度之比，并且所述多个碳纳米管复合体各自呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。6.根据权利要求4或5所述的制造碳纳米管复合体集合线的方法，其中所述第二步骤包括在烃系气体中于950℃以上1100℃以下的温度对所述多个碳纳米管进行热处理。7.根据权利要求4至6中任一项所述的制造碳纳米管复合体集合线的方法，其中所述第三步骤包括通过将所述多个碳纳米管复合体分散在溶剂中，从而获得碳纳米管复合体分散液的第三a步骤，通过使所述碳纳米管复合体分散液沿特定方向流动，以使所述多个碳纳米管复合体沿所述特定方向取向的第三b步骤，以及在所述第三b步骤之后，通过除去所述碳纳米管复合体分散液中的所述溶剂，从而获得所述碳纳米管复合体集合线的第三c步骤。8.一种制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，该方法包括：准备多个碳纳米管的第一步骤；通过用包含无定形碳的层被覆所述多个碳纳米管中的每一个碳纳米管，从而获得多个碳纳米管复合体的第二步骤；通过使所述多个碳纳米管复合体沿其纵向方向取向并集合，从而获得碳纳米管复合体集合线的第三步骤；以及通过对所述碳纳米管复合体集合线进行热处理，以除去所述包含无定形碳的层，从而获得所述碳纳米管复合体集合线的热处理体的第四步骤。9.根据权利要求8所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中
所述碳纳米管的d/g比为0.1以下，所述d/g比是波长为532nm的拉曼光谱分析中d带的峰强度与g带的峰强度之比，并且所述多个碳纳米管复合体各自呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。10.根据权利要求8或9所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中当所述碳纳米管复合体集合线的直径为p1，并且所述碳纳米管复合体集合线的热处理体的直径为p2时，所述p1和所述p2表现出由下式1表示的关系：100≤p1/p2≤10000
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式1。11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中所述第二步骤包括在烃系气体中于950℃以上1100℃以下的温度对所述多个碳纳米管进行热处理。12.根据权利要求8至11中任一项所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中所述第三步骤包括通过将所述多个碳纳米管复合体分散在溶剂中，从而获得碳纳米管复合体分散液的第三a步骤，通过使所述碳纳米管复合体分散液沿特定方向流动，从而使所述多个碳纳米管复合体沿所述特定方向取向的第三b步骤，以及在所述第三b步骤之后，通过除去所述碳纳米管复合体分散液中的所述溶剂，从而获得所述碳纳米管复合体集合线的第三c步骤。13.根据权利要求8至12中任一项所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中所述第四步骤中的热处理包括在氧化条件下，于400℃以上800℃以下的温度对所述碳纳米管复合体集合线进行热处理。14.根据权利要求13所述的制造碳纳米管复合体集合线的热处理体的方法，其中所述第四步骤中的热处理包括在氧化条件下，于560℃以上690℃以下的温度对所述碳纳米管复合体集合线进行热处理。