硅碳棒的烧结工艺的制作方法
【专利说明】娃碳棒的烧结工艺
[0001]
技术领域
[0002]本发明属于石墨碳棒技术领域,具体涉及一种娃碳棒的烧结工艺。
[0003]
【背景技术】
[0004]制造硅碳棒我国广泛采用的是挤压成型法，除此，尚有震捣成型法和等静压成型法。成型坯料的调配应合理，使之符合生产工艺的要求，如果调配方法不当或工艺控制不严，不仅降低生产效率，还会影响产品质量。
[0005]
【发明内容】
[0006]为了克服现有技术领域存在的上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种硅碳棒的烧结工艺，生产效率高，产品质量好。
[0007]本发明提供的硅碳棒的烧结工艺，包括以下步骤:(1)将硅碳棒毛坯放在20—50mm汞柱的真空容器内，之后以5— 10°C /min的升温速度将温度升至350°C，并保持20min，然后以10 — 12°C /min的升温速度将温度升至920°C，并保持30min ;(2)将步骤
(I)中经过第一次烧结的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在2000°C的高温下二次烧结，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。
[0008]本发明提供的娃碳棒的烧结工艺,其有益效果在于,将娃碳棒毛还放在20—50mm汞柱的真空容器内进行第一烧结，不仅可以将粘结剂蒸发，也可以将粘结剂中的杂质去除；工艺参数合理，生产效率高，产品质量好。
[0009]
【具体实施方式】
[0010]下面结合一个实施例，对本发明提供的硅碳棒的烧结工艺进行详细的说明。
[0011]
实施例
[0012]本实施例的硅碳棒的烧结工艺，包括以下步骤:(I)将硅碳棒毛坯放在20— 50mm汞柱的真空容器内，之后以8V /min的升温速度将温度升至350°C，并保持20min，然后以12°C /min的升温速度将温度升至920°C，并保持30min ;(2)将步骤(I)中经过第一次烧结的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在20000C的高温下二次烧结，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。
【主权项】
1.一种硅碳棒的烧结工艺，其特征在于:包括以下步骤:(1)将硅碳棒毛坯放在20—50mm汞柱的真空容器内，之后以5— 10°C /min的升温速度将温度升至350°C，并保持20min，然后以10 — 12°C /min的升温速度将温度升至920°C，并保持30min ；(2)将步骤(I)中经过第一次烧结的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在2000°C的高温下二次烧结，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。
【专利摘要】本发明公开了一种硅碳棒的烧结工艺，将硅碳棒毛坯放在20—50mm汞柱的真空容器内，之后以5—10℃/min的升温速度将温度升至350℃，并保持20min，然后以10—12℃/min的升温速度将温度升至920℃,并保持30min；将经过第一次烧结的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在2000℃的高温下二次烧结，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。将硅碳棒毛坯放在20—50mm汞柱的真空容器内进行第一烧结，不仅可以将粘结剂蒸发，也可以将粘结剂中的杂质去除；工艺参数合理，生产效率高，产品质量好。
【IPC分类】C04B35-565, C04B35-622
【公开号】CN104591739
【申请号】CN201310524441
【发明人】乔帅
【申请人】青岛泰浩达碳材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月31日