一种陶瓷组合物及其制备方法

文档序号:9517544阅读:150来源:国知局
一种陶瓷组合物及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种陶瓷组合物及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 高频率用电介体磁器,近年来广泛利用于例如电介体共振器和MIC用电介体基板 等中。在该种类的高频率用电介体磁器中,为了实现小型化,要求相对介电常数er和Q值 大。
[0003] 另一方面,在高频率用电介体磁器中,如果在导体材料中使用高烙点的鹤和钢,贝U 由于运些高烙点金属的比电阻大,因此,特别是存在在陶瓷多层基板的高频率特性上产生 限界的缺点,而且价格高。因此,作为导体材料,要求使用Ag和化等低电阻并且廉价的低 烙点金属。
[0004] 但是,为了将导体材料和陶瓷材料同时般烧而得到陶瓷烧结体,需要将陶瓷材料 在比运些低烙点金属的烙点低的溫度下进行般烧。 阳〇化]因此,正在积极进行作为陶瓷成分与玻璃成分的复合材料的低溫般烧用陶瓷材料 的研究,推进使用该材料的陶瓷多层基板的实用化。
[0006]例如,在专利文献1中,提出了一种陶瓷原料组合物,其中,包含:10~45重量% 的由xBa〇-yTi〇2-zRe〇3/2(其中,X、yW及Z表示摩尔%,8《X《18、52. 5《y《65、W及 20《Z《40,x+y+z=100,Re为稀±元素)表示的Ba〇-Ti〇2-Re〇3/2类陶瓷组合物、5~40 重量%的氧化侣、4~17. 5重量%的Bz化、28~50重量%的Si化、0~20重量%的Alz化 W及36~50重量%的MO(其中,MO为选自Ca0、Mg0、SrOW及BaO中的至少一种),包含 40~65重量%的棚娃酸玻璃组合物,并且所述Ba〇-Ti〇2-Re〇3/2类陶瓷组合物与所述氧化 侣的合计量为35重量%W上。
[0007] 在该专利文献1中,通过使其含有棚娃酸玻璃组合物,可W抑制般烧时的陶瓷的 收缩行为,另外,由于玻璃粘度高,因此,可W抑制与其他低溫般烷基板相互扩散。另外,通 过使其含有上述陶瓷组合物,可W得到具有相对介电常数er约为15的高相对介电常数的 陶瓷原料组合物。
[0008] 但是,上述专利文献1的陶瓷原料组合物,虽然相对介电常数er比较高,约为15, 但为了应对目前模块商品等更小型化的要求,需要更高的相对介电常数er。
[0009] 然而,为了提高相对介电常数er,需要降低玻璃组合物的含量,提高由填料组成 的陶瓷粉末的含量。另一方面,玻璃组合物的含量降低时,由于玻璃组合物的流动性降低, 因此通过般烧处理陶瓷烧结体变得容易收缩。因此,为了容易控制般烧时的收缩行为,需要 增加玻璃组合物的含量。目P,存在难W实现般烧时的陶瓷烧结体的收缩行为的控制和高相 对介电常数的情况。
[0010] 本发明是鉴于上述情况而进行的,其目的在于提供可W在控制般烧时的收缩行为 的同时使介电特性与W往相比显著提高、并且可W确保可靠性的陶瓷组合物、使用该陶瓷 组合物的陶瓷生片、W及陶瓷电子部件。

【发明内容】

[0011] 本发明人为了实现上述目的而进行了深入的研究,结果发现,除了特定组成的棚 娃酸玻璃之外,在规定范围内添加相对介电常数er高的SrTi〇3或化TiO3,另外在规定量 W下的范围内使其含有特定的烧结助剂成分,由此,容易抑制烧结时的陶瓷烧结体的收缩 行为的同时,可W得到相对介电常数er为50W上、且Q值900W上的具有良好介电特性 的低溫般烧用陶瓷组合物。
[0012] 为了达到上述目的,本发明采用了如下技术方案:
[0013] 一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:
[0014] B]0] 6~。 AkO'; 16 ~20 S巧化 规~40 LdO 3~15C
[0015] 所述B203的含量例如为6、7、8、9、10或11。
[0016]所述Al2〇3的含量例如为 16. 5、17、17. 5、18、18. 5、19 或 19. 5
[0017]所述CaO的含量例如为 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13 或 14。
[0018]所述SrTi〇3或的含量例如为、31、32、33、34、35、36、37、38、40、41、42、43或44。
[0019] 优选地,一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:
[0020] 6~说 AbO:; 18 ~20 S订i〇3 35-40 CaO 3~12。
[0021] 本发明中的陶瓷生片,上述陶瓷组合物成形为片状。
[0022] 本发明中的陶瓷电子部件,具有由上述陶瓷组合物的烧结体构成的第1陶瓷层。 阳〇2引发明效果
[0024] 本发明通过采用上述技术方案可W得到容易控制般烧时的陶瓷烧结体的收缩行 为的同时介电特性提高的陶瓷组合物,可W得到能够同时实现上述收缩行为的控制和介电 特性的陶瓷组合物。具体而言,可W得到具有相对介电常数er为50W上、Q值为900W 上、绝缘电阻IogIR为12W上的特性、并且容易控制般烧时的收缩行为的烧结性良好的陶 瓷组合物。
[0025] 因此,可W实现应对目前模块商品等更小型化的高品质、且介电特性良好的陶瓷 生片W及陶瓷电子部件。
【具体实施方式】
[00%] 下面通过【具体实施方式】来进一步说明本发明的技术方案。 阳〇27] 实施例1
[0028] 一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:
[0029] B.O. 台 Al2〇3: 1 巧 C紙 3 S订i〇i 微
[0030] 实施例2
[0031] 一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:
[0032] B203 12 AbO:, 20 CaO 巧 S讯化 40
[0033] 实施例3
[0034] 一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:
[0035] 斬0, 8 Ab〇3 IS CaO 1 呀 SrTiOg, 巧
[0036] 对比例1
[0037]其余与实施例1相同,除SrTi〇3或/和化TiO3的含量为50。 阳0測对比例2
[0039]其余与实施例1相同,除B203的含量为25。 W40] 对实施例1~3的陶瓷组合物进行性能测试,实施例1~3的陶瓷组合物的相对 介电常数er为50W上且Q值900W上,而对比例1和2的陶瓷组合物的相对介电常数为 40,且Q值为750,明显低于实施例1~3。
[0041] 申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法,但本发明并不局 限于上述详细方法,即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的 技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的 添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
【主权项】
1. 一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成: B20;, 6~12 /\120, 16 ~20 SrTiO, 30-40 CaO 3-15,2. 如权利要求1所述的陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成: b2o, Al2〇3 丨 8~20 SrTiO, 35~40 CaO 3~~ 1 l 〇3. 陶瓷生片,权利要求1-2之一所述的陶瓷组合物成形为片状。4. 陶瓷电子部件,具有由权利要求1-2之一所述的陶瓷组合物的烧结体构成的第1陶 瓷层。
【专利摘要】本发明提供了一种陶瓷组合物,所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成:B2O36~12、Al2O316~20、SrTiO330~40。本发明通过采用上述技术方案可以得到容易控制煅烧时的陶瓷烧结体的收缩行为的同时介电特性提高的陶瓷组合物,可以得到能够同时实现上述收缩行为的控制和介电特性的陶瓷组合物。具体而言,可以得到具有相对介电常数εr为45以上、Q值为800以上、绝缘电阻logIR为12以上的特性、并且容易控制煅烧时的收缩行为的烧结性良好的陶瓷组合物。
【IPC分类】C04B35/47
【公开号】CN105272221
【申请号】CN201510783907
【发明人】华文蔚
【申请人】华文蔚
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月14日
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