专利名称：聚(3,4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的制造方法
技术领域：
本发明涉及聚(3，4_ 二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的制造方 法、以及由该方法得到的水分散体。
背景技术：
透明导电膜可以使用于液晶显示器、电致发光显示器、等离子体显示器、电致变色 发光显示器、太阳能电池、触摸面板等透明电极以及电磁波密封材料等基材的涂层。最广泛 应用的透明导电膜是铟-锡的复合氧化物(ITO)的蒸镀膜，但成膜需要高温，存在成膜成本 高的问题。由涂布成膜法形成的ITO膜在成膜时也需要高温，其导电性受ITO的分散度影 响，雾度值也未必低。另外，ITO等无机氧化物膜，由基材的挠度而容易产生裂缝，因此，容 易引起导电性下降。另外，作为ITO原料的铟是稀有金属，近年来，因为透明导电膜的需要也增长，所 以现状是原料价格高涨。另一方面，作为以有机材料构成的透明导电膜，提出使用能够以低温并且低成本 进行成膜的导电性聚合物的方案。例如，在专利第2636968号公报中公开了水分散性良好 的聚(3，4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的制造方法。在基材上赋予含有其的水分 散体的涂层用组合物而形成的薄膜，防带电功能充分，但透明性和导电性不足。在特开平8-48858号公报中记载了在基材上赋予涂层用组合物形成的薄膜的导 电性提高。该涂层用组合物通过在上述专利第2636968号公报中公开的聚(3，4-二烷氧基 噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体中，添加具有选自二羟基、多羟基、酰胺基和内酰胺 基的基的化合物而得到。另外，在特开2000-153229号公报中记载了在基材上赋予含有专 利第2636968号公报中公开的聚(3，4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体和 具有ε >15介电常数的非质子性化合物的涂层用组合物，以低于100°C的温度使之干燥而 形成的薄膜的导电性提高。在这些公报中记载的涂层用组合物都是在上述专利第2636968号公报中公开的 聚(3，4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体中添加特定的化合物，使其性质 提高的组合物，导电性得到比较大的改善。但是，因为含有所使用的导电性聚合物的水分散 体本身是相同的，所以，得到的水分散体的透明性和导电性未必充分。在特开2004-59666号公报中公开了在聚阴离子存在下、使3，4_ 二烷氧基噻吩聚 合时，使用过氧二硫酸作为氧化剂，或在聚合时添加酸、使PH降低，由此可以得到包括能够 形成透明性和导电性优异的薄膜的复合体的水分散体。由这些方法形成具有比较优异的透明性和导电性的薄膜，但进一步要求开发能够形成透明性和导电性优异的薄膜的材料、及 其制造方法。
发明内容
本发明的课题在于解决上述以往的问题，其目的在于提供能够形成透明性和导电 性优异的导电性薄膜的、含有导电性聚合物成分的水分散体的制造方法和由该方法得到的 水分散体。本发明的发明人等为了解决上述课题，对在聚阴离子的存在下、使用氧化剂使3， 4_ 二烷氧基噻吩聚合时的聚合条件进行各种研讨，至此完成了本发明。本发明的聚(3，4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的第一制造方 法，包括如下聚合工序在聚阴离子存在下，使用氧化剂，使下式(1)所示的3，4-二烷氧基 噻吩(式中，R1和R2相互独立且为氢或Cy的烷基，或者一起形成CV4的亚烷基，该亚烷基 可以被任意取代)在水系溶剂中聚合，在该聚合工序中，该氧化剂通过在反应液中滴加含 有该氧化剂的溶液或分散液而添加。
权利要求
一种聚(3，4 二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的制造方法，其特征在于，包括如下聚合工序在聚阴离子的存在下，使用氧化剂，使下式(1)所示的3，4 二烷氧基噻吩在水系溶剂中聚合，式中，R1和R2相互独立且为氢或C1 4的烷基，或者一起形成C1 4的亚烷基，该亚烷基可以被任意取代，在该聚合工序中，反应液中的碱金属离子浓度保持在400ppm以下。FSA00000288439300011.tif
2. 一种由权利要求1所述的方法得到的聚(3，4_二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体 的水分散体。
全文摘要
本发明提供能够形成透明性和导电性优异的导电性薄膜的、含有导电性聚合物成分的水分散体的制造方法，和由该方法得到的水分散体。上述方法包括如下工序在聚阴离子的存在下，使用氧化剂，使3，4-二烷氧基噻吩在水系溶剂中聚合，在该聚合工序中，反应液中的碱金属离子浓度保持在400ppm以下。
文档编号C08L65/00GK101982486SQ20101029573
公开日2011年3月2日 申请日期2006年10月6日 优先权日2005年11月17日
发明者S·基希梅尔, W·勒韦尼希, 千种康男, 宫西恭子, 森田贵之 申请人:长濑化成株式会社;H.C.世泰科有限公司