本发明涉及单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用。
背景技术：
为了保证单晶硅片的制绒效果，需要对硅片进行如下预处理：1）清除硅片表面的有机沾污和金属杂质；2）去除硅片表面的机械损伤层。但现有工艺都将上述两种预处理分开进行，如通过双氧水加碱对硅片进行预处理，可将残留于硅片表面的油污和金属物去除，提升制绒前硅片表面的洁净度，但这种预处理并不会对硅片表面产生腐蚀，无法有效去除硅片表面的机械损伤层，故还需要另外的步骤来去除硅片表面的机械损伤层，且制绒前还需要对硅片进行漂洗，防止前道处理液混入制绒液，影响制绒液的功效。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用，本发明添加剂能大大提高预清洗液的清洗效果，预清洗液既可以清除硅片表面的有机沾污和金属杂质，又能去除硅片表面的机械损伤层，且预清洗后残留在硅片表面的预清洗液即使混入制绒液，也不会影响制绒液的绒效率效果，故经过预清洗液清洗后的硅片不需要再次漂洗，可直接进行表面制绒，进而提高制绒效率和效果。
为实现上述目的，本发明提供一种单晶硅片制绒预清洗液的添加剂，其各组分的质量百分含量为：聚乙二醇1%～20%，丙二醇丙醚0.1%～2.0%，水解聚马来酸酐1.0%～5.0%，余量为水。
优选的，所述水为去离子水。
本发明还提供一种单晶硅片制绒预清洗液，其含有碱溶液和上述添加剂，所述添加剂与碱溶液的质量比为0.2～3:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。
优选的，所述碱溶液为0.5～3wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
本发明还提供一种单晶硅片的制绒方法，先利用上述单晶硅片制绒预清洗液对单晶硅片进行预清洗，再制绒。
优选的，所述预清洗的清洗温度为75～90℃，清洗时间为500～1000s。
上述单晶硅片的制绒方法的具体步骤包括：
1）配置添加剂：将质量百分比为1%～20%的聚乙二醇、0.1%～2.0%的丙二醇丙醚、1.0%～5.0%的水解聚马来酸酐加入到余量的水中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液的添加剂；
2）配置预清洗液：将步骤1）制成的添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液；所述制绒预清洗液添加剂与碱溶液的质量比为0.2～3:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）预清洗：将单晶硅片浸入步骤2）制得的预清洗液中进行表面清洗，清洗温度为75～90℃，制清洗时间为500～1000s；
4）制绒：对预清洗后的单晶硅片进行表面制绒。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用，本发明添加剂能大大提高预清洗液的清洗效果，预清洗液既可以清除硅片表面的有机沾污和金属杂质，又能去除硅片表面的机械损伤层，且预清洗后残留在硅片表面的预清洗液即使混入制绒液，也不会影响制绒液的绒效率效果，故经过预清洗液清洗后的硅片不需要再次漂洗，可直接进行表面制绒，进而提高制绒效率和效果。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
一种单晶硅片制绒预清洗液的添加剂，其各组分的质量百分含量为：聚乙二醇1%～20%，丙二醇丙醚0.1%～2.0%，水解聚马来酸酐1.0%～5.0%，余量为水。
优选的，所述水为去离子水。
本发明还提供一种单晶硅片制绒预清洗液，其含有碱溶液和上述添加剂，所述添加剂与碱溶液的质量比为0.2～3:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。
优选的，所述碱溶液为0.5～3wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
本发明还提供一种单晶硅片的制绒方法，先利用上述单晶硅片制绒预清洗液对单晶硅片进行预清洗，再制绒。
优选的，所述预清洗的清洗温度为75～90℃，清洗时间为500～1000s。
上述单晶硅片的制绒方法的具体步骤包括：
1）配置添加剂：将质量百分比为1%～20%的聚乙二醇、0.1%～2.0%的丙二醇丙醚、1.0%～5.0%的水解聚马来酸酐加入到余量的水中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液的添加剂；
2）配置预清洗液：将步骤1）制成的添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液；所述制绒预清洗液添加剂与碱溶液的质量比为0.2～3:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）预清洗：将单晶硅片浸入步骤2）制得的预清洗液中进行表面清洗，清洗温度为75～90℃，制清洗时间为500～1000s；
4）制绒：对预清洗后的单晶硅片进行表面制绒。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。