一类含非稠环受体单元的n-型聚合物及其制备方法与应用与流程

文档序号:23652990发布日期:2021-01-15 13:49阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一类含非稠环受体单元的n-型聚合物,其特征在于,结构通式如式ⅰ所示:

所述式ⅰ中,共聚单元1为a2-d-a1-d-a2型非稠环单元,用式ⅱ表示:

所述式ⅱ中,a1单元选自下述结构式中的任一种:

其中,a1结构式中的r1均独立地选自h、卤素、碳原子数为1~50的直链或支链的烷基或烷氧基或烷硫基或烷硅基、烷基取代的芳基;所述烷基取代的芳基中的烷基为碳原子数为1~50的直链或支链烷基,芳基为苯环或者噻吩环;所述卤素为f、cl或i;所述a1结构式中的虚线表示与d单元的连接位点;

所述式ⅱ中,d单元选自下述结构式中的任一种:

其中,d结构式中的r2均独立地选自h、卤素、碳原子数为1~50的直链或支链的烷基或烷氧基或烷硫基或烷硅基、烷基取代的芳基;所述烷基取代的芳基中的烷基为碳原子数为1~50的直链或支链烷基,芳基为苯环或者噻吩环;所述卤素为f、cl或i;结构式中x代表c、o或s原子;所述d结构式中的虚线表示与a1单元和a2单元的连接位点;

所述式ⅱ中,a2单元选自下述结构式中的任一种:

所述a2结构式中的虚线:①表示a2单元与d单元的连接位点;②表示a2单元和共聚单元2的连接位点;

所述式ⅰ中,共聚单元2为共轭芳环单元,选自下述结构式中的任一种:

其中,共聚单元2结构式中的r均独立地选自h、卤素、碳原子数为1~50的直链或支链的烷基或烷氧基或烷硫基或烷硅基、烷基取代的芳基;所述烷基取代的芳基中的烷基为碳原子数为1~50的直链或支链烷基,芳基为苯环或者噻吩环;所述卤素为f或cl;结构式中x代表c、o或s原子;结构式中y代表h、f或cl原子;所述共聚单元2结构式中的虚线表示与共聚单元1的连接位点;

其中,n为聚合物重复单元的个数,为1~10000的自然数。

2.根据权利要求1所述的聚合物,其特征在于,所述共聚单元1中的一种结构为式ⅲ所示:

其中,式ⅲ中r1的定义同a1单元中的r1,r2的定义同d单元中的r2;所述式ⅲ中的虚线表示与共聚单元2的连接位点。

3.根据权利要求1或2所述的聚合物,其特征在于,所述式ⅰ中的一种聚合物结构为式ⅳ所示:

其中,式ⅳ中r1的定义同a1单元中的r1,r2的定义同d单元中的r2;n为1~10000的自然数。

4.一种制备权利要求1-3任一项所述的式ⅰ所示的聚合物的方法,其特征在于,包括如下步骤:

惰性气体氛围下,在反应溶剂中共聚单元1的单体同共聚单元2单体的摩尔比为1:1混合进行聚合反应,纯化即得;所述反应溶剂包括甲苯、邻二甲苯或氯苯中的至少一种;所述催化剂包括钯催化剂;所述聚合反应的反应温度为100~120℃,反应时间为12~16h,搅拌速率为500~1000rpm;所述混合的方式为物理共混;所述纯化的方式包括过滤、柱层析、索氏抽提及透析中的一种或一种以上。

5.权利要求1-4所述的含非稠环受体单元的n-型聚合物作为受体材料在有机太阳电池中的应用。


技术总结
本发明公开了一类含非稠环受体单元的n‑型聚合物及其制备方法与应用。所述的基于非稠环受体单元的n‑型聚合物的结构式如式Ⅰ所示,其中共聚单元1为A2‑D‑A1‑D‑A2型非稠环单元,A1和A2为缺电子单元,D为供电子单元;共聚单元2为共轭芳环单元,所述重复单元个数n为1~10000的自然数。本发明提供的聚合物合成成本相对较低,各中间体合成方法简单且易提纯,所得聚合物表现出宽的吸收范围、高的吸光系数,与p‑型半导体材料可以实现较好的光学吸收互补和能级匹配,应用于有机太阳电池中,器件具有良好的光电响应性能。

技术研发人员:段春晖;吴宝奇;曹镛
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2020.09.11
技术公布日:2021.01.15
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