基于叠氮化物的交联剂的制作方法

基于叠氮化物的交联剂的制作方法
【专利摘要】本发明提供式(1)化合物、其制备方法、包含这些化合物的溶液、使用该溶液制备器件的方法、可通过该方法获得的器件及双叠氮化物型化合物作为交联剂的用途。
【专利说明】基于叠氮化物的交联剂
[0001]本发明涉及双叠氮化物型化合物、其制备方法、包含这些化合物的溶液、使用该溶 液制备器件的方法、可通过该方法获得的器件及双叠氮化物型化合物作为交联剂的用途。 [0002 ]电子器件(例如场效晶体管(FET)器件、发光器件(LED)及光伏打(PV)器件）的制备 通常包括各层的施加及结构化(也称为图案化），例如电极的施加及结构化以及半导电层、 介电层及其他层(例如阻挡层)的施加及结构化。
[0003] 通常通过蒸发来施加电极材料，然后通过使用光刻来结构化电极材料层，光刻涉 及施加光致抗蚀层、将光致抗蚀层暴露于使用掩模的辐射下、移除未暴露于辐射下的光致 抗蚀剂、蚀刻所暴露的电极材料以及移除剩余光致抗蚀剂。
[0004] 施加半导电层、介电层及其他层(例如阻挡层）的最方便方式为溶液处理技术，例 如旋涂或印刷。当使用液体处理技术时，欲施加层的溶液不会溶解已存在于器件中的层至 关重要。因此，需要使用不会溶解已存在层的溶剂(所谓的正交溶剂），或使已存在于器件中 的层不可溶或较不溶于欲施加的下一层的溶剂的溶剂。使聚合物层不可溶或较不溶于欲施 加下一层的溶剂的一种方式为交联该聚合物层。取决于所使用交联剂，交联可通过热处理 或通过辐射处理来引发。辐射处理与热处理相比的优点在于，通过使用掩模仅交联聚合物 层的一部分，以使交联与结构化步骤可组合于一个步骤中。未交联聚合物可容易地通过使 用适宜溶剂洗涤来移除，而通过热处理交联的聚合物层的结构化通常使用光刻来实施，其 涉及如上文所概述用于电极的施加及结构化的一系列步骤。
[0005] 双叠氮化物型化合物为可通过辐射处理来活化的交联剂。业内已阐述了电子器件 制备中的若干双叠氮化物型化合物及其施加。
[0006] Cai,S.X. ；Glenn,D.J. ；Kanskar,M. ；ffybourne,M.N. ；Keana, J.F.W. Chem.Mater. 1994,6,1822-1829阐述了以下双叠氮化物型化合物
[0008] 含有上述交联剂的聚苯乙烯混合物评估为深uv及电子束抗蚀剂。
[0009] Yan,M.；Cai,S.X.；ffybourne,M.N.；KeanaJ.F.ff.J.Mater.Chem.1996,6,1249-1252阐述了以下双叠氮化物型化合物
[0011] 含有上述交联剂的聚酰亚胺混合物评估为负抗蚀剂。
[0012] Touwslager,F.J.；ffillard,N.P.；Leeuw,D.M.Applied Physics Letters2002, 81,4556阐述了用于自聚（3,4-亚乙基二氧基噻吩）（PEDOT)形成层的石印方法。完全水性方 法基于使用以下双叠氮化物型化合物的光交联PED0T
[0014] 施加该技术以制造所有聚合物场效晶体管及集成电路。
[0015] W0 04/100282阐述了形成聚合物器件的方法，其包括以下步骤：（i)将包含聚合物 或低聚物及交联结构部分的溶液沉积在基板上以形成层，（ii)在一定条件下固化步骤（i) 中所形成的层以形成不可溶交联聚合物，其特征在于交联结构部分以介于基于溶液中聚合 物或低聚物及交联结构部分的重复单元的总摩尔数为〇. 〇5mol %至5mol %范围内的量存在 于步骤(i)中。聚合物器件包括场效晶体管。交联结构部分优选在深紫外的窄透射窗中具有 吸收。通常，这将介于200nm至300nm范围内。W0 04/100282例示了以下交联结构部分：
[0017] W0 2007/004995阐述了一类交联化合物，该化合物包括（i)一个或多个氟化芳族 基团及（ii)一个或多个可电离基团，其中该交联化合物可溶于至少一种极性溶剂中。该类 交联化合物的通式通过式N3-Ar FZ(R)-N3(I)给出，其中ArFZ包含一个或多个氟化芳族基团， 且R包含一个或多个可电离基团，其中该交联化合物可溶于至少一种极性溶剂中。W0 2007/ 004995也阐述了形成包含所提供聚合物的器件的方法，该方法包括以下步骤：（i)将来自包 含聚合物及交联化合物的溶液的膜沉积在基板上，及（ii)在介于l〇〇°C至130°C之间的温度 下软烘焙膜;及（i i i)将步骤（i i)中的溶液暴露于波长介于250nm至450nm范围内的福射下。 例示的为下式的交联化合物
[0019] 其中X选自 I、PF6、BF4、Cl〇4及CF3C00。
[0020] WO 2009/068884阐述了经支撑聚合物异质结构及制造方法。该异质结构适用于一 系列需要包括光伏打器件及发光二极管器件在内的半导体器件的应用。例如，阐述了包括 以下步骤的方法:制备聚(9,9'_二辛基芴-共-双-N，N'-(4-丁基苯基)-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺）、聚苯乙烯及以下双叠氮化物型光交联剂于甲苯中的溶液，
[0022]将该溶液旋涂在载体上，通过甲基乙基酮处理移除聚苯乙烯，及将剩余样品暴露 于 UV 光（254nm)下。
[0023] Png,R.-Q.；Chia,P.-J.；Tang,J.-C.；Liu,B-；Sivaramakrishnan S.；Zhou,M.； Khong,S.-H.；Chan,H.S.O.；Burroughes,J.H.；Chua,L.-L.；Friend,R.H.；Ho, P.K.H.Nature Materials 2010,9(2) ,152-152阐述了通常可将位阻双(氟叠氮苯)混合于 聚合物有机半导体中，以使当暴露于深紫外光(254nm波长)下时发生光交联。位阻二(氟叠 氮苯)的实例为
[0025]例如，阐述0FET的制备，其包括以下步骤:使用p++_Si背栅极及石印图案化AU源极-漏极电极来光交联十八烷基三氯甲硅烷基化热氧化物栅极介电质上的聚2,5_双(3-十四烷 基噻吩-2-基)噻吩并[3，2-b ]噻吩)膜。
[0026] W0 2011/068482阐述了具有通式N3-ArF-W(I)的交联结构部分，其中Ar F包含具有 至少一个比相对于叠氮化物基团的间位氟庞大的非氟取代基的氟化叠氮苯基团，且W包含 吸电子基团。W0 2011/068482也阐述了包含交联结构部分及任选地聚合物或低聚物的溶 液。W0 2011/068482也阐述了形成聚合物器件的方法，其包括以下步骤：（a)将包含聚合物 或低聚物及交联结构部分的溶液沉积在基板上以形成层，及(b)固化该层以形成不可溶交 联聚合物。器件可为聚合物FET器件。例如，W0 2011/068482的实施例3阐述了以下交联结构 部分
[0028] 上述文献引文中所阐述的双叠氮化物型化合物通常在254nm的波长处吸收。
[0029] 然而，在电子器件的制备中，通常将在结构化电极材料层或其他层时使用的光致 抗蚀层暴露于介于300nm至450nm范围内的波长下，尤其暴露于365nm、405nm或436nm的波长 下，其对应于Hg灯的所谓的i线（365nm)、h线（405nm)及g线（436nm)。因此，将极方便地具有 也在介于300nm至450nm范围内的波长处吸收、优选在365nm、405nm或436nm的波长或接近这 些波长处具有其吸收最大值的双叠氮化物型化合物。这将允许使用同一波长制备用于光致 抗蚀层及用于交联聚合物层的器件，而无需调节光器件的波长或甚至在制备方法期间用适 于交联聚合物层的辐射器件来替代光器件。
[0030] 因此，本发明的目的提供在介于300nm至450nm范围内的波长处吸收、且理想地但 不必需地在靠近或接近通常用于光刻中的波长(例如365nm、405nm或436nm)处具有其吸收 最大值的双叠氮化物型化合物。
[0031 ]该目的通过权利要求1的化合物、权利要求8的方法、权利要求9的溶液、权利要求 12的方法及权利要求15的器件来解决。
[0032]本发明化合物具有下式
[0034] 其中
[0035] a为0、1 或2，
[0036] b为1、2、3或4，
[0037] c 为0或 1，
[0038] d为0、1、2、3或4，
[0039] e为〇、1 或2，
[0040] x为0、1 或2，
[0041] y 为〇、1 或2，
[0042] z为〇、1 或2，
[0043] w为0、1 或2，
[0044] n为0或 1，
[0045] Ar1与Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个 选自如下的取代基R a取代：Cuo烷基、C5-8环烷基、Cm芳基、5至12员杂芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0046] 其中R1Q与R11在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0047] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R aa取 代：苯基、C00R12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、卤素、OR12、SR 12、NRnR12、0C0R12 及 NR12COR13，
[0048] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、卤素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0049] 其中R12及R13在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0050] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar 2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B，
[0051 ] L1及L3在每次出现时彼此独立地为
[0053] 其中
[0054] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R2°、CONR2°R21、C0R2°、S0 3R2°、CN、N〇2或卤素，
[0055] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0056] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、卤素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23， [0057]其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R c 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、卤素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR 22 及 NR22COR23，
[0058] 其中R22及R23在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，
[0059]或，若L1或L3为
[0061 ]则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A，
[0062] L2为连接结构部分A，
[0063]且
[0064] R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C 5-8环烷基、C6-M芳基、5至12员杂 芳基、C00R3°、CONR3°R31、C0R3°、S0 3R3°、CN、N〇2、卤素、0R3°、SR3°、NR 3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31， [0065] 其中R3Q及R31在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0066] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基#取 代：苯基、COOR 32、CONR32R33、COR32、S03R 32、CN、N〇2、卤素、OR32、SR32、NR32R 33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0067] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R e 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、卤素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR 32 及 NR32COR33，
[0068] 其中R32及R33在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基。
[0069]芳族结构部分的实例为CH4芳族结构部分，例如
[0072]杂芳族结构部分的实例为5至14员杂芳族结构部分，例如
[0075] 其中尺^为&―1Q烷基。
[0076] Cl-1Q烷基及Cl-2Q烷基可为支化或直链的。Cl-10烷基的实例为甲基、乙基、丁基、异丁 基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、1，1-二甲基-3,3-二甲基丁基、壬基及 癸基。Cl-20烷基的实例为Cl-l〇烷基、十一烷基、十^烷基、十二烷基、十四烷基、十五烷基、十 八烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基及^十烷基。C3-6烷基的实例为异丙基、叔丁基及异 戊基。
[0077] C5-8环烷基的实例为环戊基、环己基、环庚基及环辛基。
[0078] C6-14芳基的实例为苯基及萘基。
[0079] 5至12员杂芳基的实例为
[0082]卤素的实例为F、Cl、Br及I。
[0083] L1及L3的实例(其中L1及L 3为
[0085]且R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A)为
[0088] 连接结构部分A的实例为&-1()亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C5-8亚环烷基、&-4亚烷基-C5- 8亚 环烷基_&-4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基_&-4亚烷基、C2-4亚烯基-C5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及 C2-4亚烯基_亚苯基_C2-4亚烯基，其在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基妒取 代:20 烷基、C5-8 环烷基、C6-W 芳基、5至 12 员杂芳基、C00R4Q、C0NR4QR41、C0R4Q、S0 3R4Q、CN、N〇2、 卤素、OR4。、SR4()、NR 4()R41、OCOR4。及 NR4()C0R41，
[0089] 其中R4Q及R41在每次出现时彼此独立地为H、Cm烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0090] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、卤素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0091]其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 Rfb 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、卤素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R 42 及 NR42C0R43，
[0092] 其中R42及R43在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0093] 其中&-1()亚烷基Xh亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0094] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基。
[0095] 连接结构部分B的实例为可经一个或多个Cm烷基取代的Q-4亚烷基，其中Q-4亚 烷基的一个或多个CH2基团可经〇 = 0、（0 = 0)0、（0 = 0)冊6()、302-顺6()、顺6()、冊 6()1?61、0或3替 代，
[0096] 其中R6Q及R61在每次出现时彼此独立地为Cho烷基。
[0097] &-4亚烷基的实例为亚甲基、亚乙基、亚丙基及亚丁基。Cho亚烷基的实例为&-4亚 烷基以及亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、亚壬基及亚癸基。
[0098] C2-4亚烯基的实例为亚甲烯基、亚乙烯基、亚丙烯基及亚丁烯基。C2-1Q亚烯基的实 例为C 2-4亚烯基以及亚戊烯基、亚己烯基、亚庚烯基、亚辛烯基、亚壬烯基及亚癸烯基。
[0099] C5-8亚环烷基的实例为亚环戊基、亚环己基、亚环庚基及亚环辛基。
[0100] 优选地，
[0101] a与e相同且为0或1，
[0102] b为 1、2或 3，
[0103] c 为0或 1，且
[0104] d为0、1、2或 3。
[0105] 更优选地，
[0106] a与e相同且为0或1，
[0107] b为1，
[0108] c 为0或 1，且
[0109] d为0或 1。
[0110] 优选地，
[0111] x与y相同且为0、1或2,且
[0112] z与w相同且为0、1或2。
[0113] 更优选地，
[0114] x与y相同且为0或1，且
[0115] z与w相同且为1或2。
[0116] 最优选地，
[0117] x与y相同且为0，
[0118] 2与界相同且为2。
[0119] 优选地，n为0。
[0120]优选地，Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个 或多个选自如下的取代基Ra取代:&-20烷基、C5-8环烷基、CH4芳基、5至12员杂芳基、C00R 1()、 CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0121 ] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，且
[0122]其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B。
[0123]更优选地，Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部 分，其可经一个或多个选自如下的取代基Ra取代:Cho烷基、C5-8环烷基、C 6-14芳基、5至12员 杂芳基、COOR1Q、CONR1QR n、COR1Q、S03R1Q、CN、N〇2、卤素、0R 1Q、SR1Q、NR1QRn、OCOR1Q 及 NR1QCORn，
[0124] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、Chq烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0125] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar 2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B。
[0126] 甚至更优选地，Ar1与Ar2相同且为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部分，其可经一 个或多个选自由&- 2〇烷基及0R1()组成的群的取代基Ra取代，
[0127] 其中R1Q在每次出现时彼此独立地为烷基，且
[0128] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接， 其中I/为连接结构部分B，其中该连接结构部分B为可经一个或多个Cho烷基取代的亚烷 基。
[0129] 最优选地，Ar1与Ar2相同且为
[0131] 其可经一个或多个选自由&-1()烷基及0R1()组成的群的取代基Ra取代，
[0132] 其中R1()在每次出现时彼此独立地为Cho烷基，且
[0133] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接， 其中I/为连接结构部分B，其中该连接结构部分B为经一个或多个Cho烷基取代的亚甲基。
[0134] 优选地，L1及L3在每次出现时彼此独立地为
[0136] 其中
[0137] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基、5至12员杂 芳基、COOR2°、CONR 2°R21、COR2°、S03R2°、CN、N〇2或卤素，
[0138] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0139] 或，若L1或L3为
[0141] 则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A。
[0142] 更优选地，L1与L3相同且为
[0144] 其中
[0145] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C 5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或卤素，
[0146] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基。
[0147] 甚至更优选地，L1与L3相同且为
[0149] 其中
[0150] R3 及 R4 在每次出现时彼此独立地为 H、&-2〇 烷基、C00R2Q、C0NR2QR21、C0R2Q、S0 3R2Q、CN、 N〇2或卤素，
[0151 ] 其中R20及R21在每次出现时彼此独立地为11或&- 2()烷基。
[0152]最优选地，L1与L3相同且为
[0154] 其中
[0155] R3 及R4为H。
[0156] 优选地，L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自：Cko亚烷基、C2-1Q亚烯 基、C 5-8亚环烷基、4亚烷基_C5-8亚环烷基4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基4亚烷基、C 2一4 亚烯基-C5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基-C2-4亚烯基，其在每次出现时可经一 个或多个选自如下的取代基R f取代Xno烷基、C5-8环烷基、C6-M芳基、5至12员杂芳基、 C00R4°、C0NR4°R41、C0R4°、S0 3R4°、CN、N〇2、卤素、0R4°、SR4°、NR 4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0157] 其中R4Q及R41在每次出现时彼此独立地为H、Cm烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0158] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、卤素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0159] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R fb 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、卤素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R 42 及 NR42C0R43，
[0160] 其中R42及R43在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0161] 其中&-1()亚烷基Xh亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH 2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0162] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为Cho烷基。
[0163] 更优选地，L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自亚烷基、C2-1Q亚烯 基、C 5-8亚环烷基、4亚烷基_C5-8亚环烷基4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基4亚烷基、C 2一4 亚烯基-C5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基-C2-4亚烯基，其在每次出现时可经一 个或多个选自如下的取代基R f取代Xno烷基、C5-8环烷基、C6-M芳基、5至12员杂芳基、 C00R4°、C0NR 4°R41、C0R4°、S03R4°、CN、N〇2、卤素、0R 4°、SR4°、NR4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0164] 其中R4Q及R41在每次出现时彼此独立地为H、Cm烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，且
[0165] 其中Cho亚烷基Xh亚烷基、C2-1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C 5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0166] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为Ci-iq烷基。
[0167] 甚至更优选地，L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自：&-1()亚烷基、C 2-10 亚烯基、C5-8亚环烷基、Ci-4亚烷基-C5-8亚环烷基_&-4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基-Ci-4亚烷 基、C2-4亚烯基-C 5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基-C2-4亚烯基，
[0168] 其中&-1()亚烷基XP4亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0169] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为Cho烷基。
[0170] 最优选地，L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A为Cho亚烷基，
[0171] 其中1()亚烷基的一个或多个 CH2 基团可经 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR5<)、 nr50、nr5Qr51、o或 S 替代，
[0172] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为Cho烷基。
[0173] 优选地，R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、&- 2〇烷基、C5-8环烷基、CH4芳基、5至 12 员杂芳基、C00R3Q、CONR3QR31、COR3。、S0 3R3°、CN、N〇2、卤素、OR3。、SR3Q、NR 3QR31、OCOR30或 NR3〇c〇R3i，
[0174] 其中R3Q及R31在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基。
[0175] 更优选地，R1与R2相同且为烷基或C5- 8环烷基。
[0176] 最优选地，R1与R2相同且为支化C3- 6烷基。
[0177]在式(1)的优选化合物中，n为0，且这些化合物具有下式
[0179] 其中
[0180] a为〇、1 或2，
[0181] b为1、2、3或4，
[0182] c 为0或 1，
[0183] d为0、1、2、3或4，
[0184] e为〇、1 或2，
[0185] x为0、1 或2，
[0186] y 为0、1 或2，
[0187] z为〇、1 或2，
[0188] w为0、1 或2，
[0189] Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个 选自如下的取代基Ra取代：Cuo烷基、C5-8环烷基、Cm芳基、5至12员杂芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0190] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0191] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R aa取 代：苯基、C00R12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、卤素、OR12、SR 12、NRnR12、0C0R12 及 NR12COR13，
[0192] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、卤素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0193] 其中R12及R13在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0194] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar 2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B，
[0195] L1及L3在每次出现时彼此独立地为
[0197] 其中
[0198] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C5-8环烷基、CH4芳基、5至12员杂 芳基、C00R2°、CONR2°R21、C0R2°、S0 3R2°、CN、N〇2或卤素，
[0199] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0200] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、卤素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0201] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 Rc 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、卤素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0202] 其中R22及R23在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，
[0203] 或，若L1或L3为
[0205]则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A，
[0206] L2为连接结构部分A，
[0207]且
[0208] R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R3°、CONR3°R31、C0R3°、S0 3R3°、CN、N〇2、卤素、0R3°、SR3°、NR 3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0209] 其中R3Q及R31在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0210] 其中d-2Q烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基#取 代：苯基、COOR32、CONR32R33、COR32、S0 3R32、CN、N〇2、卤素、OR32、SR32、NR 32R33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0211] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 Re 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、卤素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0212] 其中R32及R33在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基。
[0213] 在式(1)的更优选化合物中，n为0,且这些化合物具有式(1'），其中
[0214] a为0、1 或2，
[0215] b为1、2、3或4，
[0216] c 为〇或 1，
[0217] d为0、1、2、3或4，
[0218] e为〇、1 或2，
[0219] x为0、1 或2，
[0220] y 为〇、1 或2，
[0221] z为〇、1 或2，
[0222] w为〇、1 或2，
[0223] Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个 选自如下的取代基R a取代：Cuo烷基、C5-8环烷基、Cm芳基、5至12员杂芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S03R 1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR10R n、0C0R1。及 NR10CORn，
[0224] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，且
[0225] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B，
[0226] L1及L3在每次出现时彼此独立地为 L0228J 其中
[0229] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C5-8环烷基、CH4芳基、5至12员杂 芳基、C00R 2°、CONR2°R21、C0R2°、S03R 2°、CN、N〇2或卤素，
[0230] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0231]或，若L1或L3为
[0233] 则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A，
[0234] L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自亚烷基、C2-1Q亚烯基、C 5-8亚 环烷基XP4亚烷基-C5-8亚环烷基_&-4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基_&-4亚烷基、C2-4亚烯基_ C5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基-C2-4亚烯基，其在每次出现时可经一个或多 个选自如下的取代基R f取代AjO烷基、C5-8环烷基、C644芳基、5至12员杂芳基、C00R4' C0NR4°R41、C0R4°、S03R 4°、CN、N〇2、卤素、0R4°、SR4°、NR4°R 41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0235] 其中R4Q及R41在每次出现时彼此独立地为H、Cm烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0236] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、卤素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0237] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 Rfb 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、卤素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0238] 其中R42及R43在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0239] 其中Cho亚烷基Xh亚烷基、C2-1Q亚烯基、C 2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0240] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基，
[0241] 且
[0242] R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R 3°、CONR3°R31、C0R3°、S03R 3°、CN、N〇2、卤素、0R3°、SR3°、NR3°R 31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0243] 其中R3Q及R31在每次出现时彼此独立地为H、Cho烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基。
[0244] 在式(1)的甚至更优选化合物中，n为0,且这些化合物具有式(1'），其中
[0245] a与e相同且为0或1，
[0246] b为 1、2或 3，
[0247] c 为〇或 1，且
[0248] d为0、1、2或 3，
[0249] x与y相同且为0、1或2,且
[0250] 2与《相同且为0、1或2，
[0251 ] Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部分，其可经 一个或多个选自如下的取代基1^取代4-20烷基、C5-8环烷基、C644芳基、5至12员杂芳基、 C00R1。、CONR1%11、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR 1%11、0C0R1。及 NfCOR11，
[0252] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、&-2〇烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，且
[0253] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar 2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B，
[0254] L1与L3相同且为
[0256] 其中
[0257] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C 5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或卤素，
[0258] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、&- 2〇烷基、C5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0259] L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自：1Q亚烷基、C 2-1Q亚烯基、C5-8亚 环烷基XP4亚烷基-C 5-8亚环烷基_&-4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基_&-4亚烷基、C2-4亚烯基_ C5-8亚环烷基-C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基-C2-4亚烯基，其在每次出现时可经一个或多 个选自如下的取代基R f取代AjO烷基、C5-8环烷基、C644芳基、5至12员杂芳基、C00R4' C0NR 4°R41、C0R4°、S03R4°、CN、N〇2、卤素、0R 4°、SR4°、NR4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0260] 其中R4Q及R41在每次出现时彼此独立地为H、Cm烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，且
[0261] 其中&-1()亚烷基XP4亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0262] 其中R50及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基，
[0263] 且
[0264] R1与R2相同且为H、&-2〇烷基或C 5-8环烷基。
[0265] 在式(1)的最优选化合物中，n为0，且这些化合物具有式(1'），其中
[0266] a与e相同且为0或1，
[0267] b为1，
[0268] c 为0或 1，且
[0269] d为0或 1，
[0270] x与y相同且为0或1，且
[0271] 2与界相同且为1或2，
[0272] Ar1与Ar2相同且为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部分，其可经一个或多个选自由 &一2〇烷基及0R1()组成的群的取代基Ra取代，
[0273] 其中R1Q在每次出现时彼此独立地为2〇烷基，且
[0274] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接， 其中I/为连接结构部分B，其中该连接结构部分B为可经一个或多个Cho烷基取代的亚烷 基，
[0275] L1与L3相同且为
[0277] 其中
[0278] R3 及 R4 在每次出现时彼此独立地为 H、2〇 烷基、COOR2Q、CONR2QR21、COR2Q、S0 3R2Q、CN、 N〇2或卤素，
[0279] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为HSCho烷基，
[0280] L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A选自：心―1Q亚烷基、C 2-1Q亚烯基、C5-8亚 环烷基XP4亚烷基-C 5-8亚环烷基_&-4亚烷基、&-4亚烷基_亚苯基_&-4亚烷基、C2-4亚烯基_ C 5 一 8亚环烷基_C2-4亚烯基及C2-4亚烯基_亚苯基_C2-4亚烯基，
[0281] 其中&-1()亚烷基XP4亚烷基、C2- 1Q亚烯基、C2-4亚烯基及/或C5-8亚环烷基的一个或 多个CH2基团可经〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、顺5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0282] 其中R50及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基，
[0283] 且
[0284] R1与R2相同且为支化C3- 6烷基。
[0285] 在式(1)的尤其优选化合物中，n为0,且这些化合物具有式(1'），其中
[0286] a与e相同且为0或1，
[0287] b为1，
[0288] c 为〇或 1，且
[0289] d为0或 1，
[0290] x及y 为0,且
[0291] z 及，％2,
[0292] Ar1与Ar2相同且为
[0294] 其可经一个或多个选自由&-1()烷基及0R1()组成的群的取代基Ra取代，
[0295] 其中R1()在每次出现时彼此独立地为Cho烷基，且
[0296] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ar1与Ar2可另外通过一个或多个1/连接， 其中I/为连接结构部分B，其中该连接结构部分B为经一个或多个Cho烷基取代的亚甲基，
[0297] L1与L3相同且为
[0299] 其中
[0300] R3 及R4为H，
[0301] 且
[0302] L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分A为Cho亚烷基，
[0303]其中1()亚烷基的一个或多个 CH2 基团可经 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR5<)、 NR5Q、NR5()R51、0或S替代，L2为连接结构部分A，其中该连接结构部分厶为&― 1Q亚烷基，
[0304]其中 d-1Q 亚烷基的一个或多个 CH2 基团可经 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR50、 NR50、NR5QR51、O或 S 替代，
[0305] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基。
[0306] 其中R5Q及R51在每次出现时彼此独立地为1Q烷基。
[0307]本发明的一部分也为制备式(T)化合物的方法。
[0308]制备下式化合物的方法
[0310] 其中
[0311] a为〇、1 或2，
[0312] b为1、2、3或4，
[0313] c 为〇或 1，
[0314] d为0、1、2、3或 4，
[0315] e为〇、1 或2，
[0316] x为0、1 或2，
[0317] y 为〇、1 或2，
[0318] z为〇、1 或2，
[0319] w为〇、1 或2，
[0320] Ar1及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个 选自如下的取代基Ra取代：Cuo烷基、C5-8环烷基、Cm芳基、5至12员杂芳基、COOR 1' CONR10Rn、COR1。、S03R 1()、CN、N〇2、卤素、OR1。、SR1。、NR10R n、OCOR1。及 NR10CORn，
[0321 ] 其中R1Q及R11在每次出现时彼此独立地为H、&- 2〇烷基、C5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0322] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R aa取 代：苯基、COOR12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、卤素、OR12、SR 12、NRnR12、OCOR12 及 NR12COR13，
[0323] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、环戊基、环己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、卤素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0324] 其中R12及R13在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，且
[0325] 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar1、至少两个相邻Ar2及/或 Ar1与Ar 2可另外通过一个或多个1/连接，其中I/为连接结构部分B，
[0326] L1及L3在每次出现时彼此独立地为
[0328] 其中
[0329] R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C 5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或卤素，
[0330] 其中R2Q及R21在每次出现时彼此独立地为H、烷基、C 5-8环烷基、(Vm芳基或5至 12员杂芳基，
[0331] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、卤素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0332] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R c 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、卤素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR 22 及 NR22COR23，
[0333] 其中R22及R23在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，
[0334] 或，若L1或L3为
[0336] 则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A，
[0337] L2为连接结构部分A，
[0338] 且
[0339] R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cuo烷基、C 5-8环烷基、Cs-m芳基、5至12员杂 芳基、C00R3°、CONR 3°R31、C0R3°、S03R3°、CN、N〇2、卤素、0R 3°、SR3°、NR3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0340] 其中R3Q及R31在每次出现时彼此独立地为H、&-20烷基、C 5-8环烷基、CH4芳基或5至 12员杂芳基，
[0341] 其中Cho烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基#取 代：苯基、COOR 32、CONR32R33、COR32、S03R 32、CN、N〇2、卤素、OR32、SR32、NR32R 33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0342] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R e 取代:1()烷基、环戊基、环己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、卤素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR 32 及 NR32COR33，
[0343] 其中R32及R33在每次出现时彼此独立地为Cho烷基、环戊基、环己基或苯基，
[0344] 包括以下步骤:使下式化合物
[0346] 其中8、13、(3、(1、6、1、7、2、'\￥、厶1'1、厶1'2、11、1 3、12、1?1及1?2如针对式（1)化合物所描述，
[0347] 与，+(此-)m 反应，
[0348] 其中m为1、2或3,且M为金属。
[0349] M可为任何金属，例如碱金属、碱土金属或过渡金属。金属优选为碱金属，其更优选 为钠。
[0350] 该反应通常在溶剂或溶剂混合物中实施。优选地，该反应在水及有机溶剂(例如二 甲基甲酰胺）的混合物中实施。该反应通常在升高温度下、例如在介于80 °C至90 °C范围内的 温度下实施。
[0351] 取决于式(2)化合物的类型，该式(2)化合物可通过不同方法来制备。
[0352]式(2)化合物(其中a及e为1儿1与L3相同且为
[0354] R1与R2相同，X与y相同，且Zi^W相同）
[0355]可通过使下式化合物
[0357] 其中X为卤素、优选Br，且kc^cUAr^lAAr2如针对式（1)化合物所描述，与下式化 合物反应来制备
[0359]其中x + zjW、!?3及R4如针对式⑴化合物所描述，但x与y相同，z与w相同且R1 与R2相同。
[0360]该反应通常在适宜催化剂（例如Pd(0Ac)2/三(邻甲苯基)膦)存在下实施。该反应 通常在适宜溶剂(例如二甲基甲酰胺）中实施。该反应通常在升高温度下、例如在介于80°C 至110°C范围内的温度下实施。
[0361]式⑵化合物(其中a及e为0，!?1与R2相同，x与y相同，且2与《相同）可通过使下式化 合物
[0363] 其中X为卤素、优选Br，且kc^cUAr^lAAr2如针对式（1)化合物所描述，与下式化 合物反应来制备
[0365] 其中x、y、z、w、Ri及R2如针对式（1)化合物所描述，但x与y相同，z与w相同且R 1与R2 相同。
[0366] 该反应通常在适宜催化剂(例如Pd (PPh3 )4及Ag20)存在下实施。该反应通常在适宜 溶剂(例如二甲基甲酰胺）中实施。该反应通常在升高温度下、例如在介于70°C至110°C范围 内的温度下实施。
[0367] 式(2)化合物(其中a及e为1儿1与L3相同且为
[0369] R1与R2相同，x与y相同，且z与w相同）可通过使下式化合物
[0371]其中13、〇、(1^4、12^￥如针对式（1)化合物所描述，与下式化合物反应来制备
[0373] 其中X为卤素、优选8!'^、7、2、'\￥、1?1及1?2如针对式（1)化合物所描述，但1与7相同，2 与w相同且R 1与R2相同。
[0374] 该反应通常在适宜催化剂(例如Pd(PPh3)2Cl 2及Cul)存在下实施。该反应通常在适 宜溶剂中实施。该反应通常在升高温度下、例如在介于60°C至100°C范围内的温度下实施。
[0375] 式(6)化合物可通过用碱处理下式化合物来制备：
[0377] 其中Kc^cUAr^Ar2及L2如针对式⑴化合物所描述。
[0378] 该碱可为氢氧化钾。该反应通常在适宜溶剂(例如四氢呋喃及甲醇）中实施。该反 应通常在环境温度下、例如在介于15°C至30°C范围内的温度下实施。
[0379] 式(7)化合物可通过使下式化合物
[0381] 其中b、c、d、Ar1、Ar2及L2如针对式（1)化合物所描述
[0382] 与乙炔基三甲基硅烷反应来制备。
[0383] 该反应通常在适宜催化剂(例如Pd(PPh3)2Cl 2及Cul)存在下实施。该反应通常在适 宜溶剂中实施。该反应通常在升高温度下、例如在介于60°C至100°C范围内的温度下实施。
[0384] 式⑶化合物(其中Ar1与Ar2相同，b及d为1，c为1，X为Br且L2如针对式⑴化合物所 描述)可通过使下式化合物
[0386]与下式化合物反应来制备
[0388] 其中c为1且L2如针对式（1)化合物所描述。
[0389] 本发明的一部分也为包含一或多种式（1)化合物、一或多种聚合物及一或多种溶 剂的溶液。
[0390]聚合物定义为包含至少两个重复单元的化合物。优选地，聚合物具有10'OOODa至 30 ' 000 ' OOODa的分子量。更优选地，聚合物具有20 ' OOODa至10 ' 000 ' OOODa的分子量。
[0391] 聚合物可为适用于电子器件中的任何聚合物(例如介电聚合物、半导电聚合物)或 适于形成钝化层、囊封层或平坦化层的聚合物。
[0392] 优选地，聚合物为介电聚合物。
[0393]介电聚合物的实例为基于苯乙烯的聚合物、聚（甲基丙烯酸Ci-6烷基酯）（例如聚 (甲基丙烯酸甲酯）及聚（甲基丙烯酸叔丁基酯））、聚（丙烯酸(^-6烷基酯）及聚酰亚胺（例如 W0 2012/059386及PCT/IB2013/052426中所阐述的聚酰亚胺）。
[0394] 基于苯乙烯的聚合物为聚苯乙烯或包含苯乙烯单元的共聚物。基于苯乙烯的聚合 物的实例为聚苯乙烯、聚(4-甲氧基-苯乙烯)及苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物。优选的基于苯 乙烯的聚合物为聚苯乙烯。
[0395] 优选地，一或多种聚合物为介电聚合物。更优选地，一或多种聚合物为基于苯乙烯 的聚合物。更优选地，一或多种聚合物为聚苯乙烯。
[0396] 半导电聚合物的实例为聚噻吩（例如聚3-己基噻吩(P3HT))、聚芴、聚二乙炔、聚2， 5-亚噻吩基乙烯、聚对苯乙炔(PPV)及包含具有二酮吡咯并吡咯基团的重复单元的聚合物 (DPP聚合物）。
[0397] 优选地，半导电材料为包含具有二酮吡咯并吡咯基团的单元的聚合物(DPP聚合 物)。
[0398] DPP聚合物的实例及其合成阐述于例如US 6,451，459B1、W02005/049695、W0 2008/000664、W0 2010/049321、W0 2010/049323、W0 2010/108873、W0 2010/115767、W0 2010/136353及W0 2010/136352 中。
[0399] 优选地，DPP聚合物包含选自如下的单元、优选基本上由其组成
[0400] 下式的聚合物单元
[0402]下式的共聚物单元
[0404]下式的共聚物单元
[0406]及下式的共聚物单元
[0408] 其中
[0409] n'为4至 1000，
[0410] x'为0.995至0.005，
[0411] y'为〇.〇〇5至0.995，
[0412] x'+y' =1;
[0413] r'为0.985至0.005，
[0414] s'为0.005 至0.985，
[0415] t'为0.005至0.985，
[0416] u'为0.005至0.985，
[0417] r'+s'+t'+u'=1;
[0418] A为下式的基团
[0420] 其中
[0421] a'为 1、2或 3，
[0422] a" 为0、1、2或 3，
[0423] b，为0、1、2或 3，
[0424] b" 为0、1、2或 3，
[0425] (：'为0、1、2或3，
[0426] c" 为〇、1、2或 3，
[0427] d，为0、1、2或 3，
[0428] d" 为0、1、2或 3，
[0429]条件为若a"为0，则b"不为0;
[0430] R4QQ及R41Q彼此独立地选自：H、&-3Q烷基、C 5-8环烷基、C6-w芳基、C00R5QQ及C (0) NH2，
[0431] 其中妒°°为&-3q烷基，
[0432] 其中3〇烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的Rk取代：卤素、OH、N0 2、CN、 c6-14芳基及C5-8环烷基;及/或被o、coo、oco或S间隔，
[0433] 其中C5-8环烷基及C6- 14芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的R1取代:&一10 烷基、0-Ckq烷基、S-&-K)烷基及卤素，
[0434] ▲，^，^，^，^，^，^，及六一彼此独立地为杂芳族或芳族环体系，
[0435] B、D及E彼此独立地为下式的基团
[0437] 或式（24)的基团，
[0438] 条件为若B、D及E为式(24)的基团，则其不同于A，其中
[0439] k，为1，
[0440] 1'为0或 1，
[0441] 1~'为0或1，
[0442] 2'为0或1，且
[0443] Ar51、Ar52、Ar53及Ar54彼此独立地为下式的基团
[0445] 其中
[0446] R42()在每次出现时为11或&-3〇烷基，其中烷基可被一个或多个0间隔。
[0447] 优选地，
[0448] n'为4至200,更优选5至100，
[0449] x'为0.2 至0.8，
[0450] y'为 0.8 至 0.2,且
[0451] x'+y'=l〇
[0452] 优选地，▲，^，^，^，^，^，^，及六^彼此独立地为选自如下的杂芳 族或芳族环体系
[0455] 其中
[0456] R43Q在每次出现时为H、&-3q烷基、卤素或0_&- 3q烷基，
[0457] 其中&-3〇烷基可经一个或多个C6-14芳基或C5- 8环烷基取代及/或被一个或多个0或S 间隔，
[0458] 1?431为&-3。烷基、C6-w 芳基、0_&-3。烷基或 COOR440，
[0459] 其中 1?44°为&-3〇 烷基，
[0460]其中&-3〇烷基可经苯基、卤素或C00R441取代及/或被一个或多个〇或3间隔，
[0461 ] 其中CH4芳基可经Cho烷基、Cho全卤代烷基或烷基取代，且
[0462] R432及R433彼此独立地为HXho烷基、CH4芳基、5至12员杂芳基、C 2-1Q烯基、(：2-10炔 基或O-&-30烷基，
[0463] 其中3〇烷基及0_&-3〇烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基1^取 代:苯基、S-&- 1Q烷基、〇-&-1Q烷基、CN、NR441R442、C0NR 441R442及卤素;及/或被一个或多个C0、 0)0、3、0或置443间隔，
[0464] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R n 取代:1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 441R442、C0NR441R442及卤素；
[0465] 其中R441、R442及R443彼此独立地为H、&- 1Q烷基或苯基，
[0466] 或
[0467] R432 与 R433-起形成式 CR45°R451 的基团，
[0468] 其中R45Q及R451彼此独立地为HXho烷基、CH4芳基或5至12员杂芳基，
[0469] 其中Cho烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基Rp取代：苯基、S-Cm烷基、O-Cm烷基、CN、NR 452R453、CONR452R453及卤素;及/或被一个或多个C0、C00、S、0或 NR 454间隔，
[0470] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 R q 取代:1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 452R453、CONR452R453及卤素；
[0471] 其中R452、R453及R454彼此独立地为HXu烷基或苯基，
[0472] 或
[0473] R432及R433与其所连接的C原子一起形成5或6员环，其中该5至6员环可经一个或多 个选自如下的取代基矿取代:&- 3〇烷基、C6-W芳基、5至12员杂芳基、C2-1Q烯基、C2- 1Q炔基及0-Cl-30烷基，
[0474] 其中烷基及O-Cho烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基1^取 代:苯基、S-&- 1Q烷基、0_&-1Q烷基、CN、NR46°R461、C0NR 46°R461及卤素;及/或被一个或多个C0、 0)0、3、0或顺462间隔，
[0475] 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基 Rt取代: 1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 46QR461、C0NR46QR461及卤素；
[0476] 其中R46Q、R461及R462彼此独立地为H、 1()烷基或苯基。
[0477] 更优选地，DPP聚合物包含选自由下式的聚合物单元组成的群的单元、优选基本上 由其组成
[0479] 其中
[0480] n，为4至 100,且
[0481 ] A为下式的基团
[0483] 其中
[0484] a，为1，
[0485] a" 为 2
[0486] b'、b"、c'、c"、d'及d"为0，
[0487] R4QQ及R41Q彼此独立地为&-3〇烷基，且
[0488] Ar1()及Ar11为杂芳族或芳族环体系，其为
[0490] 其中
[0491 ] R43Q在每次出现时为H。
[0492]优选地，溶液包含一或多种式（1)化合物、一或多种聚合物及一或多种溶剂，其中 该溶液包含
[0493] i)于lml组合物中的0. lmg至500mg-或多种聚合物，及
[0494] ii)基于一或多种聚合物的重量为0.1重量％至20重量％的一或多种式（1)化合 物。
[0495] 更优选地，溶液包含一或多种式（1)化合物、一或多种聚合物及一或多种溶剂，其 中该溶液包含
[0496] i)于lml组合物中的1 .Omg至250mg-或多种聚合物，及
[0497] ii )基于一或多种聚合物的重量为0.5重量％至15重量％的一或多种式（1)化合 物。
[0498] 更优选地，溶液包含一或多种式（1)化合物、一或多种聚合物及一或多种溶剂，其 中该溶液包含
[0499] i)于lml组合物中的5mg至1 OOmg-或多种聚合物，及
[0500] ii)基于一或多种聚合物的重量为1重量％至10重量％的一或多种式（1)化合物。
[0501] 具体而言，溶液包含一或多种式（1)化合物、一或多种聚合物及一或多种溶剂，其 中该溶液包含
[°502] i)于lml组合物中的5mg至60mg-或多种聚合物，及
[0503] ii)基于一或多种聚合物的重量为2重量％至8重量％的一或多种式（1)化合物。
[0504]若聚合物为聚苯乙烯，则溶剂优选为&-1()烷酸Cho烷基酯，例如乙酸丁基酯。
[0505] 若聚合物为DPP聚合物，则溶剂优选为芳族溶剂，例如甲苯。
[0506] 本发明的一部分也为制备器件的方法，该方法包括以下步骤：（i)将本发明溶液沉 积在载体上以形成层，及（ii)将步骤(i)的层暴露于辐射下以形成聚合物层。
[0507]优选地，器件为电子器件。电子器件的实例为发光二极管(LED)器件、场效晶体管 (FET)器件、光伏打(PV)器件、光检测器件、传感器件及调频鉴定(RFID)标签。
[0508]更优选地，器件为发光二极管(LED)器件、场效晶体管(FET)器件或光伏打(PV)器 件。
[0509] 更优选地，器件为场效晶体管(FET)器件。
[0510] 场效晶体管(FET)器件包含介电层、半导电层、基板、栅极电极及源极/漏极电极。
[0511] 若本发明器件为场效晶体管(FET)器件，则聚合物层可为半导电层或介电层。优选 地，其为介电层。
[0512] 若聚合物层为介电层，则聚合物场效晶体管(FET)器件的半导电层可自一或多种 上文所提及的半导电聚合物或者自小分子形成。优选地，其自一或多种DPP聚合物形成。 [0513]若聚合物层为半导电层，则场效晶体管(FET)器件的介电层可自一或多种上文所 提及的介电聚合物或者自小分子形成。优选地，其自一或多种基于苯乙烯的聚合物形成。
[0514] 介电层可具有5nm至2000nm、优选10nm至lOOOnm的厚度。
[0515] 半导电层可具有5nm至2000nm、优选10nm至lOOOnm的厚度。
[0516] 基板可为任何适宜基板，例如玻璃或塑料基板(例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚对 苯二甲酸乙二醇酯及聚萘二甲酸乙二醇酯）。
[0517] 栅极电极以及源极/漏极电极可自任何适宜金属形成，例如金、银、钽、铝、钨或铟 锡氧化物。栅极电极以及源极/漏极电极可具有lnm至200nm、优选5nm至100nm的厚度。
[0518]场效晶体管(FET)器件可具有多种设计。
[0519]场效晶体管(FET)器件的一种可能的设计为底部栅极、底部触点设计。该设计描述 于图9中。
[0520]场效晶体管(FET)器件的另一可能设计为顶部栅极、底部触点设计。该设计描述于 图10中。
[0521]载体取决于及本发明溶液的一或多种聚合物。
[0522]若器件为顶部栅极、底部触点聚合物场效晶体管(FET)器件且一或多种聚合物为 介电聚合物，则载体为FET的半导电层。
[0523]若器件为顶部栅极、底部触点聚合物场效晶体管(FET)器件且一或多种聚合物为 半导电聚合物，则载体为FET的基板。
[0524] 可以多种方式将本发明溶液沉积在载体上。优选地，溶液借助液体处理技术(例如 旋涂、溶液浇注、喷墨、柔版印刷、凹版印刷或槽模涂覆)来沉积。
[0525] 优选在步骤（ii)之前，将步骤（i)的层加热至介于50°C至150°C范围内的温度。更 优选在步骤(ii)之前，将步骤(i)的层加热至介于80°C至130°C范围内的温度。
[0526]优选地，步骤（ii)的福射具有介于300nm至450nm范围内的波长。
[0527] 例如，福射可具有365nm、405nm或436nm的波长。
[0528] 步骤（ii)中所使用福射的福射剂量可介于lmj/cm2至1000mJ/cm2范围内。优选地， 其介于5mJ/cm 2至300mJ/cm2范围内，最优选介于10mJ/cm2至100mJ/cm 2范围内。
[0529] 步骤(ii)可在惰性气体氛围（例如氮或氩氛围）下实施。
[0530] 可在步骤(ii)期间施加介于50°C至150°C范围内、尤其介于80°C至130°C范围内的 温度。
[0531]例如，若聚合物层为介电层且器件为顶部栅极、底部触点场效晶体管(FET)器件， 则该器件可按如下进行制备：可通过在适宜基板(例如玻璃)上石印图案化适宜源极/漏极 材料(例如金)来形成源极电极及漏极电极。然后可用半导电层覆盖源极/漏极电极，这通过 将半导电聚合物(例如DPP聚合物)于适宜溶剂(例如甲苯）中的溶液旋涂在基板上来实施。 可加热湿半导电层。然后可用介电层覆盖半导电层，这通过将适宜溶剂(例如乙酸丁基酯） 中的包含一或多种本发明的式（1)化合物、一或多种介电聚合物(例如聚苯乙烯）的溶液旋 涂在半导电层上来实施。可将湿介电层加热至80°C至100°C，且然后通过辐射来固化。然后 可通过例如气相沉积适宜源极/漏极材料(例如金)将栅极电极沉积在介电层上。
[0532] 本发明的一部分也为可通过本发明方法获得的器件。
[0533] 本发明的一部分也为式(1)化合物作为交联剂用于交联一或多种聚合物的用途。
[0534] 本发明的式（1)化合物有利之处在于，式（1)化合物在介于300nm至450nm范围内的 波长处吸收。具体而言，这些化合物可在365nm、405nm或436nm的波长下活化，这些波长为当 前用于制备显示器用器件（例如控制场效晶体管(FET))的工业光刻方法中所使用的波长。 式（1)化合物允许针对光刻以及针对聚合物层的交联使用相同波长来制备器件。因此，在器 件的制备方法期间无需调节光器件的波长或甚至用适于交联聚合物的辐射器件来替代光 器件。
[0535] 式（1)化合物有利之处在于，其在介于300nm至450nm范围内的波长下、甚至在使用 低福射剂量(例如介于5mJ/cm 2至300mJ/cm2范围内或介于10mJ/cm2至100mJ/cm2范围内的福 射剂量)时为有效的交联剂。式（1)化合物为用于介电层(例如基于聚苯乙烯的聚合物层)的 尤其有效的交联剂。交联后，聚合物层几乎不再溶于用于施加该层的溶剂中。因此，可在不 溶解聚合物层的情况下施加下一层，例如电极材料层或阻挡层。式(1)化合物的有效交联也 允许使用光掩模来结构化(图案化)聚合物层。
[0536]此外，式（1)化合物可溶于有机溶剂中，且有机溶剂通常用于制备器件。取决于欲 施加的聚合物层，式（1)化合物可经选择以溶解于用于欲施加的聚合物层的溶剂中。例如， 若溶剂为极性更强的有机溶剂（例如乙酸丁基酯），则理想地选择式（1)化合物（其中Ar 1及 Ar2经一个或多个取代基Cl_2Q烷基取代），以增加于极性更强的有机溶剂中的溶解度。
[0537]图1显示分别在_3V(三角形）、_30V(方形)源极电压Vds下，实施例6的包括自配制剂 B形成的介电层的顶部栅极、底部触点(TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与栅极电压Vgs的关 系(转移曲线）。
[0538] 图2显示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的栅极电压￥明下，实施例6的 包括自配制剂B形成的介电层的顶部栅极、底部触点（TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与漏 极电压Vds的关系(输出曲线）。
[0539]图3显示分别在_3V(三角形）、_30V(方形）的源极电压Vds下，实施例7的包括自配制 剂C形成的介电层的顶部栅极、底部触点(TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与栅极电压Vgs的 关系(转移曲线）。
[0540] 图4显示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的栅极电压￥明下，实施例7的 包括自配制剂C形成的介电层的顶部栅极、底部触点（TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与漏 极电压Vds的关系(输出曲线）。
[0541] 图5显示分别在-3V(三角形）、-30V(方形）的源极电压Vds下，实施例8的包括自配制 剂E形成的半导电层的顶部栅极、底部触点(TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与栅极电压V gs 的关系(转移曲线）。
[0542] 图6显示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的栅极电压￥明下，实施例8的 包括自配制剂E形成的半导电层的顶部栅极、底部触点（TGBC)场效晶体管的漏极电流Ids与 漏极电压Vds的关系(输出曲线）。
[0543]图7显示使用Axio Imager显微镜获取的实施例9的自配制剂C形成的光图案化介 电层的显微镜图像。
[0544]图8显示使用Axio Imager显微镜获取的实施例10的自配制剂D形成的光图案化半 导体层的显微镜图像。
[0545]图9显示场效晶体管(FET)器件的底部栅极、底部触点设计。
[0546]图10显示场效晶体管(FET)器件的顶部栅极、底部触点设计。
[0547]图11显示自配制剂C形成的聚合物介电层的膜保留比（dl/d2)与辐射施加剂量的 关联性。
[0548] 实施例1
[0549] 化合物la的制备
[0551 ]化合物2a的制备
[0552] 在90 °C 下在N2下，将2，7-二溴-9，9-二己基-9H-芴（3a) (492mg，1 ? OOmmo 1)、2，3，4， 5，6_五氣苯乙稀（4Aa/4Ba) (524mg，2 ? 7mmol)、P(邻甲苯基）3( 12mg，0 ? 04mmol)及Pd(0Ac)2 (4.511^，0.021111]1〇1)于三乙胺(0.871]1〇中的混合物加热1天。将反应混合物冷却至室温，且用 二氯甲烷(3 X 15mL)萃取。最后用水(3 X 30mL)洗涤有机层。然后经MgSCk干燥有机相并在减 压下蒸发。通过柱层析使用己烷作为洗脱剂纯化粗产物，以获得淡黄色固体状化合物2a (370mg,64%)〇
[0553] 化合物la的制备
[0554] 在90 °C 下加热NaN3 (73mg, 1 ? lmmo 1)及化合物 2a (367mg, 0 ? 5mmo 1)于DMF (9 ? OmL)及 水（1.4mL)中的混合物，直至通过TLC不再监测到起始材料。将反应混合物冷却至室温，用水 稀释，用乙酸乙酯萃取且用水(3X30mL)洗涤。经MgS0 4干燥有机层并在减压下移除溶剂。通 过柱层析(二氯甲烷：己烷5:95)纯化固体，以获得橙色固体状化合物la(115mg，35 % )。入max =386nm及408nm。
[0555] 实施例2
[0556] 化合物lb的制备
[0558] 化合物2b的制备
[0559] 在85°C 下，将2，5-二溴噻吩（3b) (1 ? 0g，4 ? lmmol)、2，3，4，5，6-五氟苯基硼酸（5Aa/ 5Ba) (2? lg，10 ? 3mmol)、Pd(PPh3)4(763mg，0 ? 7mmo1)、Ag2〇( 1 ? 9g，8? 2mmol)及K3PO4三水合物 (7.025g)于DMF (30mL)中的混合物搅拌过夜。然后经由硅藻土过滤混合物，倾倒至水中并用 二氯甲烷（3X25mL)萃取。用水（3次）洗涤合并的有机层，经MgS0 4干燥且在减压下移除溶 剂。通过柱层析使用己烷作为洗脱剂纯化粗产物，以获得白色粉末状化合物2b(767mg， 45%)〇
[0560]化合物lb的制备
[0561 ]在90 °C 下加热NaN3 (17 lmg，2 ? 6mmo 1)及化合物 2b (500mg，1 ? 2mmo 1)于DMF (20mL)及 水(3mL)中的混合物。通过TLC监测反应。将混合物冷却至室温，用水稀释，用乙酸乙酯萃取 且用水(3X25mL)洗涤。经MgS0 4干燥萃取物且在减压下移除溶剂。通过柱层析使用梯度洗 脱（己烷至己烷/二氯甲烷75 : 25)来纯化粗产物，以获得褐橙色固体状化合物lb(382mg， 69 % )。Xmax = 386nm。
[0562] 实施例3
[0563] 化合物lc的制备
[0565] 化合物3〇的制备
[0566] 将 2-溴-3-己基噻吩（94&/983)(3.〇11^，14.8111111〇1)及琥珀酰氯（83)(0.7311^， 6 ? 4mmol)于无水DCM(5mL)中的混合物逐滴添加至AlCl3(2 ? lg，15 ? 5mmol)于无水DCM(5mL) 中的冷却(0 °C)悬浮液中。然后在室温下将反应混合物搅拌2.5h，且最后回流30min。将反应 混合物倾倒至冰中，然后添加浓H C1并搅拌1 h。用D C M (3 X 3 0 m L)萃取水层，用H C1溶液 (10 % )、水及饱和NaHC03溶液洗涤。最后，经Na2S〇4干燥有机层且在减压下移除溶剂。通过用 热乙醇洗涤来纯化粗固体，获得橙色固体状化合物3c(0.87g，产率:30 % )。
[0567] 化合物2c的制备
[0568] 在90 °C 下，将化合物3c (0 ? 6g，1 ? Ommol)、2，3，4，5，6-五氟苯乙烯（4Aa/4Ba) (0.4mL, 2.7mmol)、Pd(0Ac)2(6mg ,0 ? 02mmol)及三（邻甲苯基）勝（0 ? 015g ,0 ? 05mmol)于三乙 胺（1.18mL，8.50mmol)及DMF( 3mL)中的混合物加热过夜。通过TLC及LC/MS监测反应且加热， 直至不再观察到起始材料。在减压下移除三乙胺，且用DCM(3X30mL)萃取反应混合物。用水 (100mL)及盐水（100mL)洗涤有机层，经MgS0 4干燥，且在减压下移除溶剂。通过柱层析使用 己烷/DCM(1:1)作为洗脱剂纯化粗制物，获得橙色固体状化合物2c(0.17g，产率26% )。
[0569] 化合物lc的制备
[0570] 将化合物2c( 150mg，0.2mmol)溶解于DMF(3.50mL)中，且随后添加水(0.50mL)中的 叠氮化钠(90mg，1.5mmol)。在90°C下将反应混合物加热3h，且通过TLC监测。将水添加至反 应混合物中，用乙酸乙酯(3X25mL)萃取且经MgS0 4干燥。在减压下移除溶剂后，通过柱层析 DCM/甲醇（10:1)作为洗脱剂纯化粗产物。最后，于己烷中沉淀化合物lc，获得红色沉淀。在 Buchner过滤器上过滤固体，以获得20%产率的化合物1(3。人_ = 405]11]1
[0571 ] 实施例4 [0572]化合物Id的制备
[0574] 化合物7a的制备
[0575] 将乙炔基三甲基硅烷(0.60mL，4.25mmol)于三乙胺（8mL)中的溶液缓慢添加至化 合物3d( 1 ? Og，1 ? 93mmol)、（PPh3)2PdCl2(0 ? 068g，0 ? lOmmol)及鹏化铜（0 ? 02g，0 ? lOmmol)于 三乙胺(20mL)中的溶液中。在70°C下将所得混合物加热过夜。通过TLC监测反应，使用己烷 作为洗脱剂。后处理:在减压下蒸发三乙胺且通过硅胶上的柱层析纯化残余物，获得95%产 率的黄色固体状化合物7a(0.97g，1.8mmol)。
[0576] 化合物6a的制备
[0577] 用甲醇（10mL)稀释20 %K0H水溶液（2 ? 50mL)且添加至化合物7a(0 ? 97g，1 ? 75mmol) 于THF(18mL)中的溶液中。然后在室温下搅拌反应混合物，直至通过TLC(洗脱剂己烷)不再 观察到起始材料。用己烷(3X15mL)萃取粗反应混合物，且用水（lX25mL)洗涤有机相，并经 Na 2S04干燥。在减压下移除溶剂后，然后通过柱层析使用己烷作为洗脱剂纯化残余物，获得 定量产率的黄色油状化合物6a(0.7g，1.8mmol)，其未经任何进一步纯化即直接用于下一步 骤中。
[0578] 化合物2d的制备
[0579] 将化合物6a(0.20g，0.50mmo 1)于三乙胺（lmL)中的溶液缓慢添加至溴-五氟苯 (4Aa/4Ba)(0.14mL，l .09111111〇1)、（？？113)2?(1(：12(0.0178,0.02111111〇1)及碘化铜（0.0058， 0.02mmol)于三乙胺（llmL)中的溶液中。然后在70°C下将反应混合物加热过夜，且通过TLC 监测。后处理:在减压下移除三乙胺且通过硅胶上的柱层析(洗脱剂己烷)纯化残余物，获得 59%产率的白色固体状化合物2d(0.21g，0.29mmol)。
[0580]化合物Id的制备
[0581 ] 将水（lmL)中的叠氮化钠(0.158,2.30臟〇1)添加至化合物2(1(0.218,0.29111111〇1)的 DMF溶液(5mL)中，且在90 °C下将混合物加热3hr。后处理:将水添加至反应混合物中，随后用 乙酸乙酯（3X10mL)萃取。将有机相集合在一起且经MgS04干燥。在减压下移除溶剂后，通过 硅胶上的柱层析(洗脱剂己烷)纯化残余物，获得50%产率的黄色固体状化合物ld(0.11g， 0.15mm〇 1) 〇Amax = 365nm〇
[0582] 实施例5
[0583] 配制剂A、B、C、D及E的制备
[0584] 配制剂A为40mg/ml聚苯乙稀(Mw约 2，000，000，由Pres sure Chemicals供应）于乙 酸丁基酯/甲苯(23/2以体积计）中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量为2重量％的化 合物lb。化合物lb如实施例2中所阐述来制备。
[0585] 配制剂B为40mg/ml聚苯乙稀(Mw约 2，000，000，由Pres sure Chemicals供应）于乙 酸丁基酯中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量为4重量％的化合物la。化合物la如实 施例1中所阐述来制备。
[0586] 配制剂C为40mg/ml聚苯乙稀(Mw约 2，000，000，由Pres sure Chemicals供应）于乙 酸丁基酯中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量为4重量％的化合物Id。化合物Id如实 施例4中所阐述来制备。
[0587] 配制剂D为W0 2010/049321的实施例1的20mg/ml二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合 物于甲苯中的溶液，其另外含有基于二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物的重量为4重量％ 的化合物lb。化合物lb如实施例2中所阐述来制备。
[0588] 配制剂E为W0 2010/049321的实施例1的0.75重量％的二酮吡咯并吡咯（DPP)-噻 吩聚合物于甲苯中的溶液，其另外含有基于二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物的重量为4 重量％的化合物lb。化合物lb如实施例2中所阐述来制备。
[0589] 配制剂A至E通过在室温下分别将聚苯乙烯及二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物 与交联剂混合于溶剂中来制备。
[0590] 实施例6
[0591] 包括自配制剂B形成的介电层的顶部栅极、底部触点场效晶体管(FET)器件的制备
[0592] 通过阴影掩模的热蒸发将金沉积至玻璃基板上，以形成约60nm厚的源极/漏极电 极膜(通道长度：50圓，通道宽度：500mi)。经由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)过滤器过滤W0 2010/049321的实施例1的二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液， 且然后通过旋涂（lOOOrpm，30秒)来施加。在90°C下在热板上将湿半导电层干燥30秒。经由 0.45微米过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂B，且然后通过旋涂（3000rpm，30秒）来施 加。在90°C下在热板上将湿介电层预烘焙2分钟，以获得520nm厚的层。在90°C下使用365nm (辐射剂量为960mJ/cm 2)对聚合物介电层实施UV固化。在介电层上经由阴影掩模蒸发金栅 极电极(厚度约80nm) 〇
[0593]使用Keithley 4200-SCS半导体表征系统来量测顶部栅极、底部触点场效晶体管 (FET)器件的特征。包括自配制剂B形成的介电层的器件的分别在-3V(三角形）、-30V(方形） 的源极电压Vds下的漏极电流Ids与栅极电压V gs的关系(转移曲线)显示于图1中。包括自配制 剂B形成的介电层的器件的在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的栅极电压￥明下的 漏极电流Ids与漏极电压V ds的关系(输出曲线)显示于图2中。
[0594] 结果描述于表1中。
[0596] 表1 ?
[0597] 实施例7
[0598] 包括自配制剂C形成的介电层的顶部栅极、底部触点场效晶体管(FET)器件的制备
[0599] 通过阴影掩模的热蒸发将金沉积至玻璃基板上，以形成约60nm厚的源极/漏极电 极膜(通道长度：50圓，通道宽度：500mi)。经由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)过滤器过滤W0 2010/049321的实施例1的二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液， 且然后通过旋涂（lOOOrpm，30秒)来施加。在90°C下在热板上将湿半导电层干燥30秒。经由 0.45微米过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂C，且然后通过旋涂（3500rpm，30秒）来施 加。在90°C下在热板上将湿介电层预烘焙2分钟，以获得520nm厚的层。在100°C与氮流下使 用365nm(辐射剂量为1120mJ/cm 2)对介电层实施UV固化。在介电层上经由阴影掩模蒸发金 栅极电极(厚度约80nm) 〇
[0600] 使用Keithley 4200-SCS半导体表征系统来量测顶部栅极、底部触点场效晶体管 (FET)器件的特征。包括自配制剂C形成的介电层的器件的分别在-3V(三角形）、-30V(方形） 的源极电压V ds下的漏极电流Ids与栅极电压Vgs的关系(转移曲线)显示于图3中。包括自配制 剂C形成的介电层的器件的在5￥、〇￥、-5￥、-1〇￥、-15￥、-2〇￥、-25￥及-3〇￥的栅极电压￥0下的 漏极电流Ids与漏极电压Vds的关系(输出曲线)显示于图4中。
[0601] 结果描述于表2中。
[0603] 表2.
[0604] 实施例8
[0605]包括自配制剂E形成的聚合物半导电层的顶部栅极、底部触点聚合物场效晶体管 (FET)器件的制备
[0606]通过阴影掩模的热蒸发将金沉积至玻璃基板上，以形成约60nm厚的源极/漏极电 极膜(通道长度:50mi，通道宽度:500mi)。通过旋涂（1000rpm，30秒)来施加配制剂E。在90°C 下在热板上将湿聚合物半导电层干燥30秒，且然后在90°C下使用365nm(辐射剂量为 2400mJ/cm 2)实施UV固化。通过旋涂(3000rpm,30秒)来施加由Pressure Chemicals供应的 聚苯乙烯于乙酸丁基酯中的4.0重量％溶液，并在90°C下干燥30秒。在介电层上经由阴影掩 模蒸发金栅极电极(厚度约80nm) 〇
[0607]使用Keithley 4200-SCS半导体表征系统来量测顶部栅极、底部触点场效晶体管 (FET)器件的特征。包括自配制剂E形成的半导电层的器件的分别在-3 V (三角形）、-30 V (方 形）的源极电压Vds下的漏极电流Ids与栅极电压Vgs的关系(转移曲线）显示于图5中。包括自 配制剂E形成的半导电层的聚合物器件的在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的栅 极电压V gs下的漏极电流Ids与漏极电压Vds的关系(输出曲线)显示于图6中。
[0608] 结果描述于表3中。
[0610] 表3.
[0611] 实施例9
[0612] 在聚合物半导电层顶部的自配制剂C形成的聚合物介电层的光图案化
[0613] 经由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)过滤器过滤W0 2010/049321的实施例1的二酮吡 咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液，且通过旋涂（1，500rpm，30秒)施 加至洁净二氧化硅基板。在90 °C下在热板上将湿聚合物半导电层干燥30秒。经由0.45微米 过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂C，且然后通过旋涂（3,500rpm，30秒)施加在聚合物 半导电层的顶部。在90°C下在热板上将湿聚合物介电层预烘焙2分钟，以获得520nm厚的层。 使阴影掩模在介电层的顶部上对准，然后使用365nm(辐射剂量为60mJ/cm 2)在氮流下进行 固化。通过将膜于乙酸丁基酯中浸没1分钟、然后用氮鼓泡且在90°C下加热5分钟使固化膜 显影。
[0614]使用Axio Imager显微镜获取的自配制剂C开$成的光图案化聚合物介电层的显微 镜图像显示于图7中。
[0615] 实施例1〇
[0616] 自配制剂D形成的半导体层的光图案化
[0617] 经由0.45微米过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂D，且然后通过旋涂（1， 500rpm，30秒)施加在二氧化硅基板的顶部上。使阴影掩模在半导电层的顶部上对准，然后 在90°C下使用365nm(辐射剂量为2400mJ/cm 2)进行固化。通过将膜于甲苯中浸没1分钟使固 化膜显影，然后用氮鼓泡且在90°C热板上加热5分钟。
[0618]使用Axio Imager显微镜获取的自配制剂D形成的光图案化半导体层的显微镜图 像显示于图8中。
[0619] 实施例11
[0620]分别自配制剂A、配制剂C形成的固化介电层对溶剂溶解的稳定性
[0621]经由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)过滤器分别过滤实施例5中所阐述的配制剂A、配 制剂C二者，且通过旋涂(3500rpm，30s)涂覆在洁净二氧化硅基板上。在90 °C下在热板上将 湿介电层加热2分钟，以获得550nm厚的膜。在90°C下使用365nm(辐射剂量为960mJ/cm2)对 自配制剂A形成的介电层实施UV固化。在100°C下使用365nm(辐射剂量为1120mJ/cm2)在氮 流下对自配制剂C形成的介电层实施UV固化。通过将介电层于乙酸丁基酯中浸没1分钟、然 后在90°C下加热5分钟来使介电层显影。使用Veeco Dektak 150量测固化后显影(dl)前及 显影(d2)后介电层的厚度，以获得膜保留比（d2/dl)。
[0622] 结果描述于表4中。
[0624] 表4.
[0625] 实施例12
[0626] 自配制剂D形成的固化半导电层对溶剂溶解的稳定性
[0627] 经由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂D，且通过 旋涂（1500rpm, 30s)涂覆在洁净二氧化娃基板上。在90 °C下在热板上将湿聚合物半导电层 加热2分钟，冷却至60°C，且然后在90°C下使用365nm(辐射剂量为约2400mJ/cm 2)对聚合物 半导电层实施UV固化。通过将层于甲苯中浸没1分钟、然后在90°C下加热5分钟使聚合物半 导电层显影。使用Veeco Dektak 150量测固化后显影(dl)前及显影(d2)后聚合物半导电层 的厚度，以获得膜保留比（d2/dl)。
[0628] 结果描述于表5中。
[0630] 表5.
[0631] 实施例13
[0632] 包括自配制剂C形成的介电层的电容器的制备
[0633] 经由0.45微米过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂C，且通过旋涂（3500rpm，30 秒)施加在经铟锡氧化物（IT0)电极预涂覆的洁净玻璃基板上。在90°C下在热板上将湿介电 层预烘焙2分钟，以获得500nm厚的层。在100°C与氮流下使用365nm(辐射剂量为1120mJ/ cm2)对介电层实施UV固化。然后在<1X1(T6托（1.3Xl(T4Pa)下经由阴影掩模将金电极(面积 =0.785mm 2)气相沉积在介电层上。
[0634] 因此以下列方式表征所获得的电容器：自使用Agilent E4980A Precision LCR计 (信号振幅为1V)量测的复合物电容推断相对电容率。
[0635] 结果描述于表6中。
[0637] 表6.
[0638] 如可自表6导出，介电常数未受添加化合物Id的影响。
[0639] 实施例14
[0640] 辐射剂量对固化聚合物层的效应的评估
[0641 ] 经由0.45微米过滤器过滤实施例5中所阐述的配制剂C，且通过旋涂（3500rpm，30 秒)施加在二氧化硅基板上。在90°C下在热板上将湿介电层预烘焙2分钟，以获得550nm厚的 层。使用具有不同福射剂量的365nm使用氮流对介电层实施UV固化。通过将介电层于乙酸丁 基酯中浸没1分钟、然后在90°C下加热5分钟来使介电层显影。使用Veeco Dektak 150量测 固化后显影(dl)前及显影(d2)后介电层的厚度，以获得膜保留比（d2/dl)。
[0642] 自配制剂C形成的介电层的膜保留比（dl/d2)与所施加辐射剂量的关联性描述于 图11中。
[0643] 图11显示所施加辐射剂量可降低至20mJ/cm2,且膜保留比仍保持在90%以上。
【主权项】
1.下式化合物其中 a为0、1或2， b为1、2、3或4， C为0或1， d为0、1、2、3或4， e为0、1或2， X为0、1或2， y为0、1或2， Z为0、1或2， W为0、1或2， η为0或1， Ari及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个选自 如下的取代基R3取代:Ci-20烷基、Cs-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、COOR"、CONRWrIi、 CORio、SO3R10、CN、N02、面素、ORio、SR …、NR …Rii、0C0R …及 NR …CORii， 其中Ri化Rii在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基或5至12员 杂芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R33取代： 苯基、C00R12、CONR12r13、C0R12、S03R12、CN、N02、面素、0R12、SR12、NR11r12、0C0R12 及 NR12c〇r13， 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R3b取 代：Ci-10 烷基、环戊基、环己基、C00Rl2、C0NRl2Rl3、C0Rl2、S03Rl2、CN、N02、面素、0Rl2、SRl2、 nr12r13、0C0R12 及 nr12cor13， 其中ru及RI3在每次出现时彼此独立地为C1-10烷基、环戊基、环己基或苯基，且 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻Ar\至少两个相邻Ar2及/或Ari与 Ar2可另外通过一个或多个L3连接，其中L3为连接结构部分B， 。及L3在每次出现时彼此独立地为其中 R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Ci-20烷基、C日-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、 COOr2〇、CONR2〇r2i、COr2〇、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及rU在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基Rb取代:苯 基、COOR22、CONR22r23、COR22、S03R22、CN、N02、面素、0R22、SR22、NR22r23、OCOR22及NR22c〇R23， 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基r取 代：Ci-10烷基、环戊基、环己基、COOR22、C0NR22R23、COR 22、S03R22、CN、N02、面素、OR22、SR22、 NR22r23、0C0R22及NR22c〇R23， 其中R22及R23在每次出现时彼此独立地为Ci-10烷基、环戊基、环己基或苯基， 或，若Li或L3为则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A， L2为连接结构部分A， 且 R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、 COOr3°、C0NR3 VI、COr3°、S03R3°、CN、N02、面素、0R3°、SR3°、NR3 VI、OCOr3° 或 NR3°C0R3i， 其中rW及R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基Rd取代:苯 基、COOR32、CONR32r33、COR32、S03R32、CN、N02、面素、0R32、SR32、NR32r33、OCOR32及NR32c〇R33， 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基R6取 代：Ci-10烷基、环戊基、环己基、COOR32、C0NR32R33、COR 32、S03R32、CN、N02、面素、OR32、SR32、 NR32r33、0C0R32及NR32c〇R33， 其中R32及R33在每次出现时彼此独立地为Ci-10烷基、环戊基、环己基或苯基。2. 根据权利要求1的化合物，其中n = 0,且式(1)化合物具有下式其中Rl、R2、x、y、z、w、Ll、A;rl、L2、Ar2、L3、a、b、c、d及e如权利要求l中所描述。3. 根据权利要求1或2的化合物，其中 Ari及Ar2在每次出现时彼此独立地为芳族或杂芳族结构部分，其可经一个或多个选自 如下的取代基R3取代:Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、COOR"、CONRi VI、 CORio、S〇3R1〇、CN、N02、面素、ORio、SR …、NR …r1i、OCOR …及 NR …CORii， 其中rW及Rii在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-14芳基或5至12员 杂芳基，且 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻ΑΛ至少两个相邻Ar2及/或Ari与 Ar2可另外通过一个或多个L3连接，其中L3为连接结构部分B，且 Li及L3在每次出现时彼此独立地为其中 R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、 COOR20、CONR2〇r2i、COR20、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基， 或，若Li或L3为则R3及R4与其所连接的C原子一起形成5至7员非芳族环体系A。4.根据权利要求1-3中任一项的化合物，其中 L2为连接结构部分A，其中连接结构部分A选自：Ci-io亚烷基、C2-10亚締基、C5-8亚环烷基、 Cl-4亚柄基-C日-8亚环柄基-Cl-4亚柄基、Cl-4亚柄基-亚苯基-Cl-4亚柄基、〔2-4亚締基-C日-8亚环 烷基-C2-4亚締基及C2-4亚締基-亚苯基-C2-4亚締基，其在每次出现时可经一个或多个选自如 下的取代基Rf取代：Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、C00R4\C0NR 4Vi、 COr4〇、S〇3R4〇、CN、N02、面素、Or4〇、SR40、NR4〇r4i、OCOR40 及 NR4〇COr4i， 其中R4化R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-io烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8环烷基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基Rfa取代： 苯基、C00R42、C0NR42r43、C0R42、S03R42、CN、N02、面素、0R42、SR42、NR42r43、0C0R42及NR42c〇R43， 其中C6-14芳基及5至12员杂芳基在每次出现时可经一个或多个选自如下的取代基Rfb取 代：Ci-10烷基、环戊基、环己基、C00R42、C0NR"R"、C0R"、S03R42、CN、N02、面素、OR 42、SR42、 NR42r43、0C0R42及NR42c〇R43， 其中R42及R43在每次出现时彼此独立地为Ci-10烷基、环戊基、环己基或苯基，且 其中Cl-10亚烷基、Cl-4亚烷基、C2-10亚締基、C2-4亚締基及/或C5-8亚环烷基的一个或多个 C 出基团可经C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出现时彼此独立地为。-1〇烷基，且 R1及R2在每次出现时彼此独立地为H、Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、 coor3°、C0NR3 VI、cor3°、s〇3r3°、CN、n〇2、面素、or3°、sr3°、nr3 VI、ocor3° 或 nr3°cor3i， 其中rW及R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基。5. 根据权利要求1-4中任一项的化合物，其中 a与e相同且为0或1， b为1、2或3， C为0或1，且 d为0、1、2或3， X与y相同且为〇、1或2,且 Z与W相同且为0、1或2， Ar咳Ar咱每次出现时彼此独立地为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部分，其可经一个 或多个选自如下的取代基R3取代:Ci-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、COOR"、 coNRi VI、corw、s〇3rw、CN、n〇2、面素、orw、srw、NRi VI、ocorw 及 nri°corii， 其中rW及Rii在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-14芳基或5至12员 杂芳基， 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的至少两个相邻ΑΛ至少两个相邻Ar2及/或Ari与 Ar2可另外通过一个或多个L3连接，其中L3为连接结构部分B， Li与L3相同且为其中 R3及R4在每次出现时彼此独立地为H、Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、 COOR20、CONR2〇r2i、COR20、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-2〇烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基， L2为连接结构部分A，其中连接结构部分A选自：Ci-io亚烷基、C2-10亚締基、C5-8亚环烷基、 Cl-4亚柄基-C日-8亚环柄基-Cl-4亚柄基、Cl-4亚柄基-亚苯基-Cl-4亚柄基、〔2-4亚締基-C日-8亚环 烷基-C2-4亚締基及C2-4亚締基-亚苯基-C2-4亚締基，其在每次出现时可经一个或多个选自如 下的取代基Rf取代：Cl-20烷基、C5-8环烷基、C6-14芳基、5至12员杂芳基、C00R4\C0NR 4Vi、 COr4〇、S〇3R4〇、CN、N02、面素、Or4〇、SR40、NR4〇r4i、OCOR40 及 NR4〇COr4i， 其中R4化R"在每次出现时彼此独立地为H、Ci-io烷基、Cs-8环烷基、C6-M芳基或5至12员 杂芳基，且 其中Cl-lO亚烷基、Cl-4亚烷基、C2-10亚締基、C2-4亚締基及/或C5-8亚环烷基的一个或多个 C 出基团可经C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出现时彼此独立地为。-1〇烷基，且 Ri与R2相同且为H、。-2日烷基或C日-巧烷基。6. 根据权利要求5的化合物，其中 a与e相同且为0或1， b为1， c为Ο或1，且 d为Ο或1， X与y相同且为Ο或1，且 Ζ与W相同且为1或2， Ari与Ar2相同且为C6-14芳族或5至12员杂芳族结构部分，其可经一个或多个选自由Ci-20 烷基及ORId组成的群的取代基R3取代， 其中Rl嘴每次出现时彼此独立地为。-20烷基，且 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ari与Ar可另外通过一个或多个L3连接，其中L3 为连接结构部分B，其中连接结构部分B为可经一个或多个Ci-io烷基取代的Ci-4亚烷基， Li与L3相同且为其中 R3及R4在每次出现时彼此独立地为Η、Ci-20烷基、COORW、C0NR2 VI、CORW、SO浊W、CN、N02 或面素， 其中rW及R2唯每次出现时彼此独立地为呢的-20烷基， L2为连接结构部分A，其中连接结构部分A选自：Ci-io亚烷基、C2-10亚締基、C5-8亚环烷基、 Cl-4亚柄基-C日-8亚环柄基-Cl-4亚柄基、Cl-4亚柄基-亚苯基-Cl-4亚柄基、〔2-4亚締基-C日-8亚环 烷基-C2-4亚締基及C2-4亚締基-亚苯基-C2-4亚締基， 其中Cl-10亚烷基、Cl-4亚烷基、C2-10亚締基、C2-4亚締基及/或C5-8亚环烷基的一个或多个 C 出基团可经C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出现时彼此独立地为。-1〇烷基，且 Rl与R2相同且为支化C3-6烷基。7.根据权利要求6的化合物，其中 X与y相同且为0， Z与W相同且为2， Ari与Ar2相同且为其可经一个或多个选自由Cl-10烷基及ORW组成的群的取代基R3取代， 其中Rl嘴每次出现时彼此独立地为。-10烷基，且 其中皆连接至L2或若c = 0则彼此连接的Ari与Ar可另外通过一个或多个L3连接，其中L3 为连接结构部分B，其中连接结构部分B为经一个或多个Cl-10烷基取代的亚甲基， Li与L3相同且为其中 R3及R4为H，且 L2为连接结构部分A,其中连接结构部分A为Ci-io亚烷基， 其中Ci-io亚烷基的一个或多个C此基团可经C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NRW、S〇2-NRW、NR5d、 ^5吨51、0或8替代， 其中RW及R5唯每次出现时彼此独立地为Ci-io烷基。8. -种制备根据权利要求2的下式化合物的方法，其中a、b、c、d、e、x、y、z、w、A;rl、Ar2、Ll、L3、L2、Rl及R2如针对式（l)化合物所描述， 与 Μ"+(Ν3-)m 反应， 其中m为1、2或3，且Μ为金属。9. 一种溶液，其包含一或多种根据权利要求1-7中任一项的式（1)化合物、一或多种聚 合物及一或多种溶剂。10. 根据权利要求9的溶液，其中一或多种聚合物为介电聚合物。11. 根据权利要求10的溶液，其中一或多种聚合物为基于苯乙締的聚合物。12. -种制备器件的方法，所述方法包括W下步骤：（i)将根据权利要求9-11中任一项 的溶液沉积在载体上W形成层，及(ii)将步骤(i)的层暴露于福射下W形成聚合物层。13. 根据权利要求12的方法，其中器件为电子器件。14. 根据权利要求12或13的方法，其中步骤（ii)的福射具有介于300nm至450nm范围内 的波长。15. -种器件，其可通过根据权利要求12-14中任一项的方法获得。16. 根据权利要求1-7中任一项的式（1)化合物的用途，其作为用于交联一或多种聚合 物的交联剂。
【文档编号】C08K5/28GK105849170SQ201480038716
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2014年6月30日
【发明人】M·周, F·G·布鲁内提, E·马丁, S·贝克尔, 堂依伊织, R·N·桑托索, M·S·拉姆
【申请人】巴斯夫欧洲公司