本发明涉及一种纳米改性水性涂料及其制备方法，涉及涂料生产加工技术领域。
背景技术：
一般来说，纳米涂料必须满足两个条件：首先，涂料中至少有一相的粒径尺寸在1-100nm的粒径范围；其次，纳米相的存在使涂料的性能要有明显的提高或具有新的功能。
但是，现有的纳米涂料，主要存在涂膜流平性差、耐候性、耐人工老化性能不高等缺陷。
技术实现要素：
为了克服现有技术中所存在的上述技术问题，本发明的目的在于提供一种纳米改性水性涂料及其制备方法。
为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：
一种纳米改性水性涂料，由如下重量份的原料制成：
水性氟碳乳液27-40份、
硅烷偶联剂1-5份、
滑石粉1-5份、
云母粉1-5份、
纳米二氧化钛1-5份、
丙二醇甲醚1-5份、
密着剂1-5份、
润湿剂1-5份、
消泡剂1-5份、
填料1-5份、
表面活性剂1-5份、
防火剂1-5份、
抗菌剂1-5份、
水性蜡1-5份、
成膜助剂1-5份、
增稠剂1-5份、
聚氧化丙烯二醇1-5份、
硅酸钾1-5份、
月桂基二甲基氧化胺1-5份、
苦荞麦提取物1-5份、
去离子水10-15份。
优选的，本发明的一种纳米改性水性涂料，由如下重量份的原料制成：
水性氟碳乳液35份、
硅烷偶联剂1.5份、
滑石粉2.5份、
云母粉3.5份、
纳米二氧化钛5份、
丙二醇甲醚4.5份、
密着剂2份、
润湿剂3份、
消泡剂1份、
填料2份、
表面活性剂5份、
防火剂4份、
抗菌剂1份、
水性蜡3份、
成膜助剂2.5份、
增稠剂3份、
聚氧化丙烯二醇4.5份、
硅酸钾1.5份、
月桂基二甲基氧化胺4份、
苦荞麦提取物3份、
去离子水12份。
本发明的纳米改性水性涂料的制备方法，步骤如下：
1)、向反应釜中加入水性氟碳乳液、硅烷偶联剂、滑石粉、云母粉、纳米二氧化钛、丙二醇甲醚，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时；
2)、接着向反应釜中加入密着剂、润湿剂、消泡剂、填料、表面活性剂、防火剂、抗菌剂、水性蜡，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时；
3)、最后向反应釜中加入成膜助剂、增稠剂、聚氧化丙烯二醇、硅酸钾、月桂基二甲基氧化胺、苦荞麦提取物、去离子水，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时。
本发明的有益效果主要表现在：
纳米改性涂料，通过合理组分及配比，使涂料的涂膜流平性好、耐候性、耐人工老化性能高，较之传统的纳米涂料，可以提升约70％。
具体实施方式
实施例1
一种纳米改性水性涂料，由如下重量份的原料制成：
水性氟碳乳液35份、
硅烷偶联剂1.5份、
滑石粉2.5份、
云母粉3.5份、
纳米二氧化钛5份、
丙二醇甲醚4.5份、
密着剂2份、
润湿剂3份、
消泡剂1份、
填料2份、
表面活性剂5份、
防火剂4份、
抗菌剂1份、
水性蜡3份、
成膜助剂2.5份、
增稠剂3份、
聚氧化丙烯二醇4.5份、
硅酸钾1.5份、
月桂基二甲基氧化胺4份、
苦荞麦提取物3份(将苦荞麦加其7倍重量的水，进行煎煮，过滤后将滤液浓缩成流浸膏，然后干燥获得粉末状的提取物)、
去离子水12份。
纳米改性水性涂料的制备方法，步骤如下：
1)、向反应釜中加入水性氟碳乳液、硅烷偶联剂、滑石粉、云母粉、纳米二氧化钛、丙二醇甲醚，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时。
2)、接着向反应釜中加入密着剂、润湿剂、消泡剂、填料、表面活性剂、防火剂、抗菌剂、水性蜡，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时。
3)、最后向反应釜中加入成膜助剂、增稠剂、聚氧化丙烯二醇、硅酸钾、月桂基二甲基氧化胺、苦荞麦提取物、去离子水，保持转速为1000转/分钟，搅拌混合1小时。
实施例2
一种纳米改性水性涂料，由如下重量份的原料制成：
水性氟碳乳液27份、
硅烷偶联剂5份、
滑石粉1份、
云母粉5份、
纳米二氧化钛1份、
丙二醇甲醚5份、
密着剂1份、
润湿剂5份、
消泡剂1份、
填料5份、
表面活性剂1份、
防火剂5份、
抗菌剂1份、
水性蜡5份、
成膜助剂1份、
增稠剂5份、
聚氧化丙烯二醇1份、
硅酸钾5份、
月桂基二甲基氧化胺1份、
苦荞麦提取物5份、
去离子水10份。
制备方法同实施例1。
实施例3
一种纳米改性水性涂料，由如下重量份的原料制成：
水性氟碳乳液40份、
硅烷偶联剂1份、
滑石粉5份、
云母粉1份、
纳米二氧化钛5份、
丙二醇甲醚1份、
密着剂5份、
润湿剂1份、
消泡剂5份、
填料1份、
表面活性剂5份、
防火剂1份、
抗菌剂5份、
水性蜡1份、
成膜助剂5份、
增稠剂1份、
聚氧化丙烯二醇5份、
硅酸钾1份、
月桂基二甲基氧化胺5份、
苦荞麦提取物1份、
去离子水15份。
制备方法同实施例1。
以下将结合实施例，对本发明进行较为详细的说明。但是，实施例内容仅是对本发明所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。