有机发光装置的制作方法
相关申请的交叉引用
将2016年4月8日向韩国知识产权局提交的且名称为“有机发光装置”的韩国专利申请第10-2016-0043503号，通过引用以其整体并入本文。
本申请实施方式涉及有机发光装置。
背景技术：
有机发光装置为自发光装置，具有宽视角、高对比度、短响应时间和优异的亮度、驱动电压和响应速度特性，并且产生全色图像。
有机发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发光层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区向发光层移动，并且由第二电极提供的电子可穿过电子传输区向发光层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发光层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，由此产生光。
技术实现要素：
本申请实施方式可通过以下实现：提供有机发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间堆叠的以数量m包括的发光单元；以及以数量m-1包括的电荷产生层，所述发光单元各自包括至少一个发光层，所述电荷产生层在所述发光单元中的两个相邻的发光单元之间，所述电荷产生层各自包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，其中m为等于或大于2的整数，由所述发光单元中的至少一个发射的光的最大发射波长不同于由至少一个其他发光单元发射的光的最大发射波长，n型电荷产生层中的至少一个包括至少一种第一化合物和含金属的材料，所述第一化合物由式1表示，所述含金属的材料包括金属、金属络合物或其组合，所述p型电荷产生层包括不含氨基的化合物，并且不包括含氨基的化合物，所述发光单元中的至少一个在其第一电极侧还包括空穴传输(ht)-发光辅助层，并且所述ht-发光辅助层包括至少一种第二化合物，所述第二化合物由式2表示：
<式1>
<式2>
其中式1中的各b1独立地选自由式1a表示的基团和由式1b表示的基团，
其中式1和1b中的环a1、环a11和环a12各自独立地选自c5-c60碳环基和c1-c60杂环基，其中式1b中的环a11和环a12是分离的或者通过单键连接，其中式1b中的t1至t4各自独立地为碳或氮，其中式1中的c1和c2各自独立地为选自1至3的整数，其中式1a、1b和2中的l1至l3和l11至l13各自独立地选自取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，其中式1a、1b和2中的a1至a3和a11至a13各自独立地为选自0至4的整数，其中式1b中的l4为单键、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'或*-n(r5)-c(＝r6)-*'，其中r5和r6是分离的或者被连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，其中式1a中的ar1和ar2各自独立地选自取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，其中式1和1b中的r1、r2和r4至r6各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)和-s(＝o)2(q1)，其中式1b中的r1和r2是分离的或者被连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，其中式1和1b中的b1、b2和b4各自独立地为选自0至5的整数，其中，当b4为2、3、4或5时，式1中的两个r4是分离的或者通过单键、*-c(r7)(r8)-*'、*-n(r7)-*'、*-o-*'或*-s-*'连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，其中r7和r8与r1的限定相同，其中式2中的r11至r13各自独立地选自取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团和-si(q1)(q2)(q3)，其中式2中的b11至b13各自独立地为选自1至5的整数，并且其中所述取代的c5-c60碳环基、所述取代的c1-c60杂环基、所述取代的c3-c10亚环烷基、所述取代的c1-c10亚杂环烷基、所述取代的c3-c10亚环烯基、所述取代的c1-c10亚杂环烯基、所述取代的c6-c60亚芳基、所述取代的c1-c60亚杂芳基、所述取代的二价的非芳族稠合多环基团、所述取代的二价的非芳族稠合杂多环基团、所述取代的c1-c60烷基、所述取代的c2-c60烯基、所述取代的c2-c60炔基、所述取代的c1-c60烷氧基、所述取代的c3-c10环烷基、所述取代的c1-c10杂环烷基、所述取代的c3-c10环烯基、所述取代的c1-c10杂环烯基、所述取代的c6-c60芳基、所述取代的c6-c60芳氧基、所述取代的c6-c60芳硫基、所述取代的c1-c60杂芳基、所述取代的单价的非芳族稠合多环基团和所述取代的单价的非芳族稠合杂多环基团中的至少一个取代基选自：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；各自被选自以下中的至少一个取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q11)(q12)(q13)和-s(＝o)2(q11)；c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基；各自被选自以下中的至少一个取代的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q21)(q22)(q23)和-s(＝o)2(q21)；以及-si(q31)(q32)(q33)和-s(＝o)2(q31)，其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、被c1-c60烷基取代的c6-c60芳基、被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基、三联苯基、c1-c60杂芳基、被c1-c60烷基取代的c1-c60杂芳基、被c6-c60芳基取代的c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将是清楚的，在所述附图中：
图1图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图；
图2图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图；
图3图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图；以及
图4图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述示例性实施方式；然而它们可以不同的形式体现并且不应当被解释为限于本文列举的实施方式。而是，提供这些实施方式，从而本公开将是透彻和完全的，并且将充分地传达示例性实施方案给本领域技术人员。
在附图中，为了清楚说明可放大层和区的尺寸。还将理解，当层或元件被称为在另一个层或元件“上”时，其可直接在另一个层或元件上，或者还可存在中间层。另外，将理解，当层被称为在另一个层“下面”时，其可直接在下面，也可存在一个或多个中间层。此外，还将理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可为两个层之间唯一的层，或者也可存在一个或多个中间层。通篇相同的参考编号指代相同的元件。
根据实施方式的有机发光装置可包括：例如，第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间堆叠的数量为m的发光单元；以及在数量为m的发光单元中的两个相邻的发光单元之间的数量为m-1的电荷产生层，所述发光单元各自包括至少一个发光层，所述电荷产生层各自包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。
m为等于或大于2的整数。例如，m可为2或3。例如，在包括数量为m的发光单元和数量为m-1的电荷产生层，且m为2的装置中，意为装置包括两个发光单元和一个电荷产生层。在包括数量为m的发光单元和数量为m-1的电荷产生层，且m为3的装置中，意为装置包括三个发光单元和两个电荷产生层。
由发光单元中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于由至少一个其他发光单元发射的光的最大发射波长。
在一个或多个实施方式中，m可为2，并且发光单元可包括发射第一颜色光的第一发光单元和发射第二颜色光的第二发光单元。第一颜色光的最大发射波长可不同于第二颜色光的最大发射波长。例如，第一发光单元和第二发光单元可以该陈述的顺序从第一电极依次堆叠。
例如第一颜色光可为蓝色光并且第二颜色光可为黄色光；或者第一颜色光可为蓝色光并且第二颜色光可为红色光和绿色光的混合光。在一个或多个实施方式中，第一颜色光和第二颜色光的混合光可为白光。
第一颜色光和第二颜色光可各自独立地为磷光或荧光。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为荧光，并且第二颜色光可为磷光。
在一个或多个实施方式中，m可为3，发光单元可包括发射第一颜色光的第一发光单元、发射第二颜色光的第二发光单元和发射第三颜色光的第三发光单元。例如，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元可以该陈述的顺序从第一电极依次堆叠。
例如，
i)第一颜色光的最大发射波长≠第二颜色光的最大发射波长≠第三颜色光的最大发射波长；
ii)第一颜色光的最大发射波长＝第二颜色光的最大发射波长≠第三颜色光的最大发射波长；
iii)第一颜色光的最大发射波长＝第三颜色光的最大发射波长≠第二颜色光的最大发射波长；或者
iv)第二颜色光的最大发射波长＝第三颜色光的最大发射波长≠第一颜色光的最大发射波长。
在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为黄色光，第二颜色光可为蓝色光，并且第三颜色光可为蓝色光。在一个或多个实施方式中，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光的混合光可为白光。
第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可各自独立地为磷光或荧光。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为磷光，并且第二颜色光和第三颜色光可为荧光。
n型电荷产生层中的至少一个可包括至少一种第一化合物和含金属的材料，第一化合物可由式1表示，并且含金属的材料可包括金属、金属络合物或其组合。下文将详细描述至少一种第一化合物和含金属的材料。
在一个或多个实施方式中，数量为m-1的n型电荷产生层中的至少一个可包括至少一种第一化合物和含金属的材料或者由其组成。
数量为m-1的p型电荷产生层可包括不含氨基的化合物，并且可不包括含氨基的化合物。如本文中使用的，在术语“不含氨基的化合物”和“含氨基的化合物”中的“氨基”指*-n(r')(r")(其中r'和r"为任何取代基，并且*表示与任何化学种类的结合位点)。例如，p型电荷产生层可不包括如上文所述的由*-n(r')(r")表示的基团。在实施方案中，在不含氨基的化合物中的氨基可不意指杂环中的氮，例如，作为环的一部分的-n＝，或氰基-cn。
在一个或多个实施方式中，数量为m-1的p型电荷产生层可由不含氨基的化合物组成。下文将详细描述不含氨基的化合物的实例。
发光单元中的至少一个还可包括设置在其第一电极侧的ht-发光辅助层。ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物，并且所述第二化合物可由式2表示。
如本文中使用的术语“至少一种第一化合物”和“至少一种第二化合物”可意为“第一化合物”和“第二化合物”可各自包括一种或多种选自属于式1和2的范畴的化合物。
例如，包括至少一种第一化合物的n型电荷产生层可仅包括化合物1-1或者可包括化合物1-1和1-2的混合物，作为至少一种第一化合物。而且，包括至少一种第二化合物的ht-发光辅助层可仅包括化合物2-2或可包括化合物2-2和2-3的混合物，作为至少一种第二化合物。
在一个或多个实施方式中，发光单元中的至少一个还可包括设置在第一电极侧的ht-发光辅助层，并且ht-发光辅助层可由至少一种第二化合物组成。下文将详细描述至少一种第二化合物。
在实施方案中，第一化合物可由式1表示。在实施方案中，第二化合物可由式2表示。
<式1>
<式2>
式1中的各b1可独立地为由式1a和式1b中的一个表示的基团。
式1和1b中的环a1、环a11和环a12可各自独立地选自c5-c60碳环基和c1-c60杂环基。
例如，式1和1b中的环a1、环a11和环a12可各自独立地选自苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
在一个或多个实施方式中，式1b中的环a11和a12可为分离的或者可任选地通过单键连接(例如，参见下文式1b(11))。
式1b中的t1至t4可各自独立地为碳或氮。根据环a11和环a12，t1和t2可通过单键、双键或有机连接基团连接，并且根据环a11和环a12，t3和t4可通过单键、双键或有机连接基团连接。
例如，在式1b中，
t1至t4可为碳；或者
t1和t2可为碳，并且t3和t4可为氮，并且
环a11和环a12可各自独立地选自苯基、萘基、吡啶基、吲哚并咔唑基、吲哚基、异吲哚基和吲哚并吡咯基。
式1中的c1和c2可各自独立地为选自1至3的整数。c1表示环a1的数量，其中c1大于或等于2，两个或更多个环a1可彼此相同或不同，并且可通过单键连接。c2表示b1的数量，其中c2大于或等于2，两个或更多个b1可彼此相同或不同。
在一个或多个实施方式中，式1中的c1可为1、2或3，并且c2可为1或2。
式1a、1b和2中的l1至l3和l11至l13可各自独立地选自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团。
例如，式1a和1b中的l1至l3可各自独立地选自：
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚螺-苯并芴-芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚螺-苯并芴-芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
其中q31至q33可各自独立地选自：
c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及
各自被选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。
式2中的l11至l13可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
其中q31至q33各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，
式1a和1b中的环a1可为由式3-1至3-59和3-61至3-113中的一个表示的基团，
式1a和1b中的l1至l3可各自独立地为由式3-1至3-59和3-61至3-104和3-113中的一个表示的基团，并且
式2中的l11至l13可各自独立地为由式3-1至3-24和3-101至3-104中的一个表示的基团：
其中，在式3-1至3-113中，
y1可为o、s、c(z3)(z4)、n(z5)或si(z6)(z7)，z3和z4可为分离的或者可任选地被连接以形成五元环或六元环，并且z6和z7可为分离的或者可任选地被连接以形成五元环或六元环，
z1至z9可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、甲苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和联苯基，
r7与上文描述的相同，
d2可为选自0至2的整数，
d3可为选自0至3的整数，
d4可为选自0至4的整数，
d5可为选自0至5的整数，
d6可为选自0至6的整数，
d8可为选自0至8的整数，并且
*和*'各自表示与邻近原子的结合位点。
式1a、1b和2中的a1至a3和a11至a13可各自独立地为0、1、2、3或4。a1表示l1的数量、其中a1为0，*-(l1)a1-*'可为单键，并且当a1大于或等于2时，两个或更多个l1可彼此相同或不同。a2、a3和a11至a13可通过参考关于a1提供的描述以及式1a和1b的结构来理解。
在一个或多个实施方式中，a1至a3和a11至a13可各自独立地为0、1、2或3。
式1b中的l4可为单键、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'或*-n(r5)-c(＝r6)-*'，并且r5和r6可为分离的或者可任选地被连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基(例如，参见式1b-3或1b-4中的环a13)。r5和r6与下文描述的相同。
式1a中的ar1和ar2可各自独立地选自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团。
例如，式1a中的ar1和ar2可各自独立地选自：
环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33可各自独立地选自：
c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及
各自被选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。
式1和1b中的r1、r2和r4至r6可各自独立地选自或包括，例如，氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)和-s(＝o)2(q1)。
式1b中的r1和r2可为分离的或者可任选地被连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基。
在式1中，选自数量为b4的r4中的两个可为分离的或者可任选地通过单键、*-c(r7)(r8)-*'、*-n(r7)-*'、*-o-*'或*-s-*'连接以形成取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基(例如，参见以下式3-105等)。r7和r8与上文结合r1所描述的相同。
例如，r1、r2和r4至r8可各自独立地选自：
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；
各自被选自以下中的至少一个取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基和联苯基；
环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
-si(q1)(q2)(q3)，
其中q1至q3和q31至q33可各自独立地选自：
c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及
各自被选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。
式1和1b中的b1、b2和b4可各自独立地为选自0至5的整数。b1表示r1的数量，其中b1大于或等于2，两个或更多个r1可彼此相同或不同。b2和b4可通过参考关于b1提供的描述以及式1和1b的结构来理解。
在一个或多个实施方式中，b1、b2和b4可各自独立地为0、1、2或3。
式2中的r11至r13可各自独立地选自或包括，例如，取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团和-si(q1)(q2)(q3)。q1至q3与上文描述的相同。
例如，式2中的r11至r13可各自独立地选自：
环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
-si(q1)(q2)(q3)，
其中q1至q3和q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
式2中的b11至b13可各自独立地为选自1至5的整数。b11表示r11的数量，其中当b11大于或等于2时，两个或更多个r11可彼此相同或不同。b12和b13可通过参考关于b11提供的描述以及式2的结构来理解。
例如，b11至b13可为1。
在一个或多个实施方式中，
式1a中的ar1和ar2可各自独立地选自由式5-1至5-55和6-1至6-125表示的基团，
式1b中的r1、r2和r4至r8可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、由式5-1至5-55表示的基团、由式6-1至6-125表示的基团和-si(q1)(q2)(q3)，
式2中的r11至r13可各自独立地为由式5-1至5-55中的一个表示的基团：
在式5-1至5-55和6-1至6-125中，
y31可为o、s、c(z33)(z34)、n(z35)或si(z36)(z37)，z33和z34可为分离的或者可任选地被连接以形成五元环或六元环，并且z36和z37可为分离的或者可任选地被连接以形成五元环或六元环，
y41可为n或c(z41)，y42可为n或c(z42)，y43可为n或c(z43)，y44可为n或c(z44)，y51可为n或c(z51)，y52可为n或c(z52)，y53可为n或c(z53)，y54可为n或c(z54)，在式6-118至6-121中，选自y41至y43和y51至y54的至少一个可为n，并且在式6-122中选自y41至y44和y51至y54的至少一个可为n，
z31至z38、z41至z44和z51至z54可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q1至q3和q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和联苯基，
e2可为选自0至2的整数，
e3可为选自0至3的整数，
e4可为选自0至4的整数，
e5可为选自0至5的整数，
e6可为选自0至6的整数，
e7可为选自0至7的整数，
e9可为选自0至9的整数，并且
*表示与邻近原子的结合位点。
在一个或多个实施方式中，在式2中，选自r11至r13的至少一个可为由式5-13至5-36和5-47至5-49中的一个表示的基团；
在实施方案中，式2中的r11可为由式5-13至5-36和5-47和5-49中的一个表示的基团，条件是式5-13至5-36中的y31为n(z35)。
在实施方案中，式2中的r11可为由式5-13至5-36和5-47至5-49中的一个表示的基团，条件是式5-13至5-36中的y31为n(z35)，并且式2中的r12可为由式5-13至5-42中的一个表示的基团，条件是式5-13至5-36中的y31为c(z33)(z34)。
在实施方案中，在式2中，选自r11至r13的至少一个可为由式5-13至5-36中的一个表示的基团，条件是式5-13至5-36中的y31为o或s。
在实施方案中，在式2中，选自r11至r13的至少一个可为由式5-13至5-42中的一个表示的基团，条件是式5-13至5-36中的y31可为o、s或c(z33)(z34)，并且式2可不包括咔唑环。
在一个或多个实施方式中，式1中的b1可为由以下式1a或式1b-1至1b-4中的一个表示的基团。
在式1b-1至1b-4中，
环a11、环a12、t1至t4、l3、a3、r1、r2、b1和b2与上文描述的相同，
t5和t6可各自独立地为碳或氮，
环a13与上文关于环a11描述的相同，
r3、r9和r10与上文关于r1描述的相同，
b3与上文关于b1描述的相同，并且
*表示与邻近原子的结合位点。
在一个或多个实施方式中，式1中的b1可为由以下式1a或式1b(1)至1b(12)中的一个表示的基团。
在式1b(1)至1b(12)中，
l3、a3、r1、r2、b1和b2与上文描述的相同，
r3、r9和r10与上文关于r1描述的相同，
b3与上文关于b1描述的相同，
r2a至r2c与上文关于r2描述的相同，
r3a和r3b与上文关于r3描述的相同，并且
*表示与邻近原子的结合位点。
在一个或多个实施方式中，第一化合物可选自化合物1-1至1-62。
在一个或多个实施方式中，第二化合物可选自化合物2-1至2-101。
含金属的材料可包括碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。
例如，含金属的材料可包括选自li、na、k、rb、cs、mg、ca、ce、nd、sm、eu、tb、th、yb、lu和y的至少一个。
在实施方案中，n型电荷产生层中的至少一个可包括至少一种第一化合物和含金属的材料，条件是含金属的材料与至少一种第一化合物的重量比在约0.01:100至约15:100的范围内。当含金属的材料与至少一种第一化合物的重量比在这些范围内时，可实现具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的有机发光装置。
p型电荷产生层中包括的不含氨基的化合物可包括，例如，hat-cn、f4-tcnq或由式221表示的化合物。
<式221>
在式221中，
r221至r223可各自独立地选自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，条件是选自r221至r223中的至少一个可具有选自以下的至少一个取代基：氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基。
例如，r221至r223可各自独立地选自被选自氰基和-f的至少一个取代的c6-c20芳基(例如，苯基或萘基)。
在实施方案中，p型电荷产生层可由不含氨基的化合物组成。
发光单元中的至少一个在其第二电极侧还可包括电子传输(et)-发光辅助层。et-发光辅助层可加速由电荷产生层供应的电子朝发光层的移动。下文将结合电子传输区的材料描述在et-发光辅助层中可包括的材料。
n型电荷产生层、p型电荷产生层、ht-发光辅助层和et-发光辅助层的厚度可各自独立地在约0.1nm至约100nm，例如，约1nm至约50nm的范围内。当n型电荷产生层、p型电荷产生层、ht-发光辅助层和et-发光辅助层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加下实现具有优异特性的有机发光装置。
有机发光装置中的m可为2或3。其中m为2的有机发光装置的实施方式将结合图1至3描述，并且其中m为3的有机发光装置的实施方式将结合图4描述。
在一个或多个实施方式中，有机发光装置中的m可为2，并且发光单元可包括第一发光单元和第二发光单元。
在实施方案中，电荷产生层可包括第一电荷产生层。
第一电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，
第一发光单元可设置在第一电极和第一电荷产生层之间，
第二发光单元可设置在第一电荷产生层和第二电极之间，
第一电荷产生层的n型电荷产生层可包括至少一种第一化合物和含金属的材料，
第二发光单元还可包括在第二发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且
第二发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物。
在一个或多个实施方式中，在其中m为2的有机发光装置中，第一发光单元还可包括在第一发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第一发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物。第一发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物与第二发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物可彼此相同或不同。
在一个或多个实施方式中，有机发光装置中的m可为3，并且发光单元可包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。
在实施方案中，电荷产生层可包括第一电荷产生层和第二电荷产生层。
第一电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，并且第二电荷产生层可设置在第二发光单元和第三发光单元之间，
第一发光单元可设置在第一电极和第一电荷产生层之间，
第二发光单元可设置在第一电荷产生层和第二电荷产生层之间，
第三发光单元可设置在第二电荷产生层和第二电极之间，
选自第一电荷产生层的n型电荷产生层和第二电荷产生层的n型电荷产生层的至少一个可包括至少一种第一化合物和含金属的材料，
选自第二发光单元和第三发光单元的至少一个还可包括ht-发光辅助层，并且
选自第二发光单元和第三发光单元的至少一个中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物。
在一个或多个实施方式中，在其中m为3的有机发光装置中，i)第一电荷产生层的n型电荷产生层和第二电荷产生层的n型电荷产生层可各自包括至少一种第一化合物和含金属的材料，ii)第二发光单元还可包括在第二发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第二发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物，并且iii)第三发光单元还可包括在第三发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第三发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物。第一电荷产生层中包括的至少一种第一化合物与第二电荷产生层中包括的至少一种第一化合物可彼此相同或不同。第二发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物与第三发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物可彼此相同或不同。
在一个或多个实施方式中，在其中m为3的有机发光装置中，i)第一电荷产生层的n型电荷产生层和第二电荷产生层的n型电荷产生层可各自包括至少一种第一化合物和含金属的材料，ii)第一发光单元还可包括在第一发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第一发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物，iii)第二发光单元还可包括在第二发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第二发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物，并且iv)第三发光单元还可包括在第三发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第三发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物。第一电荷产生层中包括的至少一种第一化合物与第二电荷产生层中包括的至少一种第一化合物可彼此相同或不同，并且第一发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物、第二发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物以及第三发光单元的ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物可彼此相同或不同。
有机发光装置还可包括在数量为m的发光单元中的与第一电极相邻的发光单元和第一电极之间的空穴传输区，并且
空穴传输区可包括具有-3.5ev或更低的最低未占有分子轨道(lumo)能级的p-掺杂剂。下文将详细描述空穴传输区。
在一个或多个实施方式中，空穴传输区可包括至少一种第二化合物，并且ht-发光辅助层中包括的至少一种第二化合物与空穴传输区中包括的至少一种第二化合物可彼此相同或不同。
在一个或多个实施方式中，有机发光装置还可包括在数量为m的发光单元中的与第二电极相邻的发光单元和第二电极之间的电子传输区。下文将详细描述电子传输区。
在有机发光装置中，i)m大于或等于2，ii)数量为m-1的n型电荷产生层中的至少一个可包括至少一种第一化合物和含金属的材料，并且第一化合物可由式1表示，iii)数量为m-1的p型电荷产生层可包括不含氨基的化合物，并且可不包括含氨基的化合物，并且iv)数量为m的发光单元中的至少一个还可包括设置在第一电极侧的ht-发光辅助层，ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物，并且第二化合物可由式2表示，如上文所述。因此，有机发光装置可具有低驱动电压、高发光效率和长寿命。
在一个或多个实施方式中，在数量为m-1的电荷产生层中，第n个电荷产生层(其中n为选自1至m的整数)中包括的n型电荷产生层和p型电荷产生层可彼此直接接触。n型电荷产生层可包括如上文所述的由式1表示的膦氧化物类化合物(第一化合物)和含金属的材料，并且p型电荷产生层可不包括如上文所述的由*-n(r')(r")表示的氨基(其中r'和r"为任何取代基，并且*表示与化学种类的结合位点)，(例如，p型电荷产生层由f4-tcnq、hat-cn或由式221表示的化合物组成)。因此，通过n型电荷产生层中包括的由式1表示的膦氧化物类化合物(第一化合物)与n型电荷产生层中包括的含金属的材料之间的相互作用，可改善装置稳定性。即使n型电荷产生层与不包括氨基的p型电荷产生层进行接触，可防止n型电荷产生层中包括的材料与p型电荷产生层中包括的材料彼此混合，由此实现具有高效率和长寿命的有机发光装置。
在一个或多个实施方式中，
在数量为m的发光单元中的第n个发光单元可包括在第n个发光单元的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，
第n个发光单元中包括的ht-发光辅助层可包括至少一种第二化合物(由式2表示的单胺类化合物)，并且
第n个发光单元中包括的ht-发光辅助层与在数量为m-1的电荷产生层中的第n-1个电荷产生层的p型电荷产生层可彼此直接接触，其中n可为选自1至m的整数。
同样地，由于第n个发光单元中包括的ht-发光辅助层包括至少一种第二化合物(由式2表示的单胺类化合物)，ht-发光辅助层可具有宽的能带隙和深的最高占有分子轨道(homo)能级(相对大的homo能级绝对值)。因此，可促进到p型电荷产生层中的电荷注入，由此实现具有高效率和长寿命的有机发光装置。
在一个或多个实施方式中，在数量为m的发光单元中的第n个发光单元可包括在第n个发光单元中包括的发光层和第一电极之间的ht-发光辅助层，并且第n个发光层中包括的发光层可直接接触第n个发光层中包括的ht-发光辅助层，其中n可为选自1至m的整数。
[图1至4的描述]
图1至3图示说明根据实施方式的其中m为2的有机发光装置11、12和13的示意性截面图，并且图4图示说明其中m为3的有机发光装置21的示意性截面图。
图1的有机发光装置11可具有包括以下的结构：以该陈述的顺序依次堆叠的第一电极110、空穴传输区151、第一发光单元153-1、第一电荷产生层155-1、第二发光单元153-2、电子传输区159和第二电极190。
空穴传输区151可包括空穴注入层151-1和空穴传输层151-2，第一发光单元153-1可包括发光层153-1-em和et-发光辅助层153-1-et，第一电荷产生层155-1可包括n型电荷产生层155-1-n和p型电荷产生层155-1-p，第二发光单元153-2可包括ht-发光辅助层153-2-ht、发光层153-2-em和et-发光辅助层153-2-et，并且电子传输区159可包括电子传输层159-1和电子注入层159-2。
图2的有机发光装置12具有与图1的有机发光装置11基本上相同的结构，只是第二发光单元153-2包括第一发光层153-2-em1和第二发光层153-2-em2，而不是发光层153-2-em。
图3的有机发光装置13具有与图1的有机发光装置11基本上相同的结构，只是第一发光单元153-1还包括在发光层153-1-em和第一电极110之间(即，设置在第一电极110侧)的ht-发光辅助层153-1-ht。
图4的有机发光装置21为其中m为3的有机发光装置。
有机发光装置21可具有包括以下的结构：以该陈述的顺序依次堆叠的第一电极110、空穴传输区151、第一发光单元153-1、第一电荷产生层155-1、第二发光单元153-2、第二电荷产生层155-2、第三发光单元153-3、电子传输区159和第二电极190。
空穴传输区151可包括空穴注入层151-1和空穴传输层151-2，第一发光单元153-1可包括ht-发光辅助层153-1-ht、发光层153-1-em和et-发光辅助层153-1-et，第一电荷产生层155-1可包括n型电荷产生层155-1-n和p型电荷产生层155-1-p，第二发光单元153-2可包括ht-发光辅助层153-2-ht、发光层153-2-em和et-发光辅助层153-2-et，第二电荷产生层155-2可包括n型电荷产生层155-2-n和p型电荷产生层155-2-p，并且第三发光单元153-3可包括ht-发光辅助层153-3-ht、发光层153-3-em和et-发光辅助层153-3-et。
下文中，将参考图1至4描述根据一个或多个实施方式的有机发光装置11、12、13和21的结构及其制造方法。
[第一电极110]
在实施方案中，可在第一电极110之下或在第二电极190之上额外地设置基板。基板可为玻璃基板或塑料基板，各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易操作性和防水性。
第一电极110可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可选自具有高功函的材料以便于空穴注入。
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)及其任意组合。当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合。
第一电极110可具有单层结构或者包括两个或更多个的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[空穴传输区151]
空穴传输区151可具有i)由单个层(包括单种材料)组成的单层结构、ii)由单个层(包括多种不同的材料)组成的单层结构或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
空穴传输区151可包括选自空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光辅助层和电子阻挡层(ebl)中的至少一个层。
例如，空穴传输区151可具有单层结构或多层结构，所述单层结构包括单个层(包括多种不同的材料)，所述多层结构具有空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层/发光辅助层、空穴传输层/发光辅助层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中对于每种结构，构成层以该陈述的顺序从第一电极110依次堆叠。
空穴传输区151可包括选自m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、pedot/pss(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)和由式202表示的化合物中的至少一种：
<式202>
在式202中，
l201至l204可各自独立地选自取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
l205可选自*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代或未取代的c1-c20亚烷基、取代或未取代的c2-c20亚烯基、取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
xa5可为选自1至10的整数，并且
r201至r204和q201可各自独立地选自取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团。
例如，在式202中，r201和r202可任选地通过单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接，并且r203和r204可任选地通过单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接。
在一个或多个实施方式中，在202中，
l201至l205可各自独立地选自：
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，
其中q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，xa1至xa4可各自独立地为0、1或2。
在一个或多个实施方式中，xa5可为1、2、3或4。
在一个或多个实施方式中，r201至r204和q201可各自独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基；以及
各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，
其中q31至q33与上文描述的相同。
在一个或多个实施方式中，在式202中，i)r201和r202可通过单键连接和/或ii)r203和r204可通过单键连接。
在一个或多个实施方式中，在式202中，选自r201至r204中的至少一个可选自：
咔唑基；以及
被选自以下的至少一个取代的咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在一个或多个实施方式中，由式202表示的化合物可由式202a表示：
<式202a>
在一个或多个实施方式中，由式202表示的化合物可由式202a-1表示：
<式202a-1>
在式202a和202a-1中，
l201至l203、xa1至xa3、xa5和r202至r204与上文描述的相同，并且
r211和r212与关于r203描述的相同，
r213至r216可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
空穴传输区151可包括选自化合物ht28至ht36中的至少一个化合物：
在一个或多个实施方式中，空穴注入层151可包括至少一种由式2表示的化合物，但是也可替代地包括其他材料。
空穴传输区151的厚度可在约10nm至约1,000nm，或者约10nm至约100nm的范围内。当空穴传输区151包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可在约
发光辅助层可通过根据由发光层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区的电子的流动。发光辅助层和电子阻挡层可包括上文描述的材料。
[p-掺杂剂]
除了上文描述的材料之外，空穴传输区151还可包括电荷产生材料以改善导电性。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散于空穴传输区中。
电荷产生材料可为例如p-掺杂剂。
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂的最低未占有分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更低。
p-掺杂剂可包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种。
例如，p-掺杂剂可包括选自以下的至少一种：
醌衍生物，比如四氰醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(f4-tcnq)；
金属氧化物，比如钨氧化物和钼氧化物；
1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈(hat-cn)；以及
由式221表示的化合物。
[第一发光单元153-1、第二发光单元153-2和第三发光单元153-3]
第一发光单元153-1、第二发光单元153-2和第三发光单元153-3中的每个包括发光层。发光层可具有单层结构或包括两个或更多个发射不同颜色的光的层的多层结构。
在一个或多个实施方式中，发光层可包括主体和掺杂剂。
下文将详细描述主体和掺杂剂。
掺杂剂可包括选自磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。
基于100重量份的主体，发光层中的掺杂剂的量一般可在约0.01至约15重量份的范围内。
发光层的厚度可在约10nm至约100nm，以及在一些实施方式中，约20nm至约60nm的范围内。当发光层的厚度在这些范围内时，在驱动电压无显著增加下可获得优异的发光特性。
图1和2中图示说明的空穴传输-发光辅助层153-2-ht；图3中图示说明的，选自第一发光单元153-1的ht-发光辅助层153-1-ht和第二发光单元153-2的ht-发光辅助层153-2-ht中的至少一个；以及图4中图示说明的选自第一发光单元153-1的ht-发光辅助层153-1-ht、第二发光单元153-2的ht-发光辅助层153-2-ht和第三发光单元153-3的ht-发光辅助层153-3-ht中的至少一个，可包括至少一种第二化合物。
图1至4中图示说明的，用于形成第一发光单元153-1的et-发光辅助层153-1-et、第二发光单元153-2的et-发光辅助层153-2-et和第三发光单元153-3的et-发光辅助层153-3-et的材料，可与关于电子传输区描述的相同。
[主体]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：
<式301>
[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。
在式301中，
ar301可为取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，
xb11可为1、2或3，
l301可选自取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xb1可为选自0至5的整数，
r301可选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)和-p(＝o)(q301)(q302)，并且
xb21可为选自1至5的整数，
其中q301至q303可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，在式301中，ar301可选自：
萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在式301中，当xb11大于或等于2时，两个或更多个ar301可通过单键连接。
在一个或多个实施方式中，由式301表示的化合物可由式301-1或301-2表示：
<式301-1>
<式301-2>
在式301-1和301-2中，
a301至a304可各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
x301可为o、s或n-[(l304)xb4-r304]，
r311至r314可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，并且
l301、xb1、r301和q31至q33与上文描述的相同，
l302至l304各自独立地与关于l301描述的相同，
xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，并且
r302至r304各自独立地与关于r301描述的相同。
例如，在式301、301-1和301-2中，l301至l304可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
其中q31至q33与上文描述的相同。
在一个或多个实施方式中，在式301、301-1和301-2中，r301至r304可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33与上文描述的相同。
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可选自be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物和zn络合物。
主体可包括选自9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4′-双(n-咔唑基)-1,1′-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)和化合物h1至h55中的至少一个：
[磷光掺杂剂]。
磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属络合物：
<式401>
m(l401)xc1(l402)xc2
<式402>
在式401和402中，
m可选自铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)和铥(tm)，
l401可选自由式402表示的配位体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1大于或等于2时，两个或更多个l401可彼此相同或不同，
l402可为有机配位体，并且xc2可为选自0至4的整数，其中当xc2大于或等于2时，两个或更多个l402可彼此相同或不同，
x401至x404可各自独立地为氮或碳，
x401和x403可通过单键或双键连接，并且x402和x404可通过单键或双键连接，
a401和a402可各自独立地选自c5-c60碳环基或c1-c60杂环基，
x405可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c＝*'，其中q411和q412可为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
x406可为单键、o或s，
r401和r402可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)、其中q401至q403可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基和c1-c20杂芳基，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
在一个或多个实施方式中，式402中的a401和a402可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)x401可为氮，并且x402可为碳，或者ii)x401和x402可各自同时为氮。
在一个或多个实施方式中，式402中的r402和r401可各自独立地选自：
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；
各自被选自以下中的至少一个取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基和降冰片烯基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
各自被选自以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，
其中q401至q403可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，当在式401中的xc1大于或等于2时，两个或更多个l401中的两个a401可为分离的或者可任选地通过作为连接基团的x407连接，或者两个或更多个l401中的两个a402可为分离的或者可任选地通过作为连接基团的x408连接(参见化合物pd1至pd4和pd7)。x407和x408可各自独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)＝c(q414)-*'(其中q413和q414可各自独立地为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)。
式401中的l402可为单价、二价或三价有机配位体。例如，l402可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸盐)、-c(＝o)、异腈、-cn和磷(例如，磷化氢或亚磷酸盐)。
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可选自，例如，化合物pd1至pd25(例如，化合物pd9＝prd/化合物pd13＝pgd/化合物pd20＝pyd)：
[荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物。
<式501>
在式501中，
ar501可为取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，
l501至l503可各自独立地选自取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xd1至xd3可各自独立地为选自0至3的整数；
r501和r502可各自独立地选自取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，并且
xd4可为选自1至6的整数。
在一个或多个实施方式中，式501中的ar501可选自：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
各自被选自以下中的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
在一个或多个实施方式中，式501中的l501至l503可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基；以及
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
在一个或多个实施方式中，式502中的r501和r502可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
例如，荧光掺杂剂可选自化合物fd1至fd22：
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可选自以下化合物。
[第一电荷产生层155-1和第二电荷产生层155-2]
在一个或多个实施方式中，在图1至4中，每个第一电荷产生层155-1的n型电荷产生层155-1-n和每个第二电荷产生层155-2的n型电荷产生层155-2-n可由至少一种第一化合物和含金属的材料组成。
在一个或多个实施方式中，在图1至4中，每个第一电荷产生层155-1的p型电荷产生层155-1-p和每个第二电荷产生层155-2的p型电荷产生层155-2-p，可由如上文所述的不含氨基的化合物组成。
在一个或多个实施方式中，在图1至4中，每个第一电荷产生层155-1的p型电荷产生层155-1-p和每个第二电荷产生层155-2的p型电荷产生层155-2-p可由hat-cn、f4-tcnq或由式221表示的化合物组成。
[电子传输区159]
电子传输区159可具有i)由单个层(所述单个层包括单种材料)组成的单层结构、ii)由单个层(所述单个层包括多种不同的材料)组成的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区159可包括选自缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个层。
例如，电子传输区159可具有电子传输层/电子注入层、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层、电子控制层/电子传输层/电子注入层或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中对于每种结构，构成层从发光层依次堆叠。
电子传输区159(例如，电子传输区159中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个π电子耗尽的含氮环。
术语“π电子耗尽的含氮环”指具有至少一个*-n＝*'部分作为成环部分的c1-c60杂环基。
例如，“π电子耗尽的含氮环”可为i)具有至少一个*-n＝*'部分的五元至七元杂单环基团；ii)杂多环基团，其中两个或更多个各自具有至少一个*-n＝*'部分的五元至七元杂单环基团彼此稠合；或者iii)杂多环基团，其中至少一个具有至少一个*-n＝*'部分的五元至七元杂单环基团与至少一个c5-c60碳环基稠合。
π电子耗尽的含氮环的实例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、异苯并噻唑、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑。
例如，电子传输区159可包括由式601表示的化合物：
<式601>
[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。
在式601中，
ar601可为取代或未取代的c5-c60碳环基或取代或未取代的c1-c60杂环基，
xe11可为1、2或3，
l601可选自取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团；
xe1可为选自0至5的整数，
r601可选自取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，
其中q601至q603可各自独立地为c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
xe21可为选自1至5的整数。
在一个或多个实施方式中，选自数量为xe11的ar601中的至少一个和/或选自数量为xe21的r601中的至少一个可包括π电子耗尽的含氮环。
在一个或多个实施方式中，式601中的环ar601可选自：
苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
其中q31至q33可各自独立地选自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11大于或等于2时，两个或更多个ar601可通过单键连接。
在一个或多个实施方式中，式601中的ar601可为蒽基。
在一个或多个实施方式中，由式601表示的化合物可由式601-1表示：
<式601-1>
在式601-1中，
x614可为n或c(r614)、x615可为n或c(r615)、x616可为n或c(r616)，并且选自x614至x616中的至少一个可为n，
l611至l613可各自独立地与关于l601的描述基本上相同，
xe611至xe613可各自独立地与关于xe1的描述基本上相同，
r611至r613可各自独立地与关于r601的描述基本上相同，
r614至r616可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，在式601和601-1中，l601和l611至l613可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚
在一个或多个实施方式中，在式601和601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
在一个或多个实施方式中，在式601和601-1中，r601和r611至r613可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、
-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，
其中q601和q602与上文描述的基本上相同。
电子传输区159可包括选自化合物et1至et36中的至少一个化合物：
在一个或多个实施方式中，电子传输区159可包括选自以下中的至少一个化合物：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)和ntaz。
在一个或多个实施方式中，电子传输区159可包括由式1表示的第一化合物。
缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约2nm至约100nm的范围内，以及在一个或多个实施方式中，约3nm至约30nm的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围内时，在驱动电压无显著增加下可获得优异的空穴阻挡特性或电子控制特性。
电子传输层的厚度可在约10nm至约100nm，以及在一些实施方式中，约15nm至约50nm的范围内。当电子传输层的厚度在该范围内时，在驱动电压无显著增加下可获得令人满意的电子传输特性。
除了上文描述的材料，电子传输区159(例如，电子传输区中的电子传输层)还可包括含金属的材料。
含金属的材料可包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可包括选自以下的金属离子：li离子、na离子、k离子、rb离子和cs离子，并且碱土金属络合物可包括选自以下中的金属离子：be离子、mg离子、ca离子、sr离子和ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配位体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基二苯基噁二唑、羟基二苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯。
例如，含金属的材料可包括li络合物。例如，li络合物可包括，例如，化合物et-d1(8-羟基喹啉锂，liq)或化合物et-d2。
电子传输区159可包括促进来自第二电极190的电子的注入的电子注入层。所述电子注入层可直接接触第二电极190。
电子注入层可具有i)包括单个层(所述单个层包括单种材料)的单层结构、ii)包括单个层(所述单个层包括多种不同的材料)的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括li、na、k、rb、cs、mg、ca、er、tm、yb或其任意组合。
碱金属可选自li、na、k、rb和cs。在一个或多个实施方式中，碱金属可为li、na或cs。在一个或多个实施方式中，碱金属可为li或cs。
碱土金属可选自mg、ca、sr和ba。
稀土金属可选自sc、y、ce、yb、gd和tb。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
碱金属化合物可选自碱金属氧化物(比如li2o、cs2o或k2o)和碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)。在一个或多个实施方式中，碱金属化合物可选自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki。
碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物(比如bao、sro、cao、baxsr1-xo(0<x<1)或baxca1-xo(0<x<1))。在一个或多个实施方式中，碱土金属化合物可选自bao、sro和cao。
稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、sco3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一个或多个实施方式中，稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括如上文描述的碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，并且与碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物的金属离子配位的配位体可各自独立地选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基二苯基噁二唑、羟基二苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯。
电子注入层可由以下组成：如上面描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可均匀地或不均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可在约0.1nm至约10nm，以及在一些实施方式中，约0.3nm至约9nm的范围内。当电子注入层的厚度在上文描述的范围内时，电子注入层在驱动电压无显著增加下可具有令人满意的电子注入特性。
在一个或多个实施方式中，每个有机发光装置11、12、13和21的电子传输区159可包括电子传输层和电子注入层。
选自电子传输层和电子注入层中的至少一个层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[第二电极190]
第二电极190可设置在具有这样的结构的电子传输层159上。第二电极190可为阴极，其为电子注入电极，并且在这方面，用于形成第二电极190的材料可为具有低功函的材料，并且这样的材料可为金属、合金、导电性化合物或其混合物。
第二电极190可包括选自以下中的至少一种：锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、ito和izo。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
在上文中，已经关于图1-4描述了根据实施方式的有机发光装置。
构成空穴传输区的层、每个发光层、每个电荷产生层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种适当的方法在某区域中形成，所述方法选自真空沉积、旋转涂布、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导的热成像。
当构成空穴传输区的层、每个发光层、每个电荷产生层和构成电子传输区的层通过沉积形成时，取决于用于形成层的化合物和要形成的每个层的结构，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约0.001nm/sec至约10nm/sec的沉积速率下进行。
当构成空穴传输区的层、每个发光层、每个电荷产生层和构成电子传输区的层通过旋转涂布形成时，取决于要包括在层中的化合物和要形成的每个层的结构，旋转涂布可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和约80℃至200℃的热处理温度下进行。
[取代基的一般定义]
如本文中使用的术语“c1-c60烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链饱和脂肪族烃单价基团，并且非限制性实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文中使用的术语“c1-c60亚烷基”指与c1-c60烷基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c2-c60烯基”指通过在c2-c60烷基的中间或末端代入至少一个碳碳双键而形成的烃基，并且其非限制性实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“c2-c60亚烯基”指与c2-c60烯基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c2-c60炔基”指通过在c2-c60烷基的中间或末端代入至少一个碳碳三键而形成的烃基，并且非限制性实例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“c2-c60亚炔基”指与c2-c60炔基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中a101为c1-c60烷基)表示的单价基团，并且其非限制性实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如本文中使用的术语“c3-c10环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其非限制性实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文中使用的术语“c3-c10亚环烷基”指与c3-c10环烷基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c1-c10杂环烷基”指具有至少一个选自n、o、si、p和s的杂原子作为成环原子和1至10个碳原子的单价饱和单环基团，并且其非限制性实例包括1,2,3,4-噁三唑啶基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“c1-c10亚杂环烷基”指与c1-c10杂环烷基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c3-c10环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳碳双键并且不具有芳香性的单价单环基团，并且其非限制性实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文中使用的术语“c3-c10亚环烯基”指与c3-c10环烯基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c1-c10杂环烯基”指在其环中具有至少一个选自n、o、si、p和s的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价单环基团。c1-c10杂环烯基的非限制性实例为4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“c1-c10亚杂环烯基”指与c1-c10杂环烯基具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c6-c60芳基”指包括具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团，并且如本文中使用的术语“c6-c60亚芳基”指包括具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c6-c60芳基的非限制性实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和
如本文中使用的术语“c1-c60杂芳基”指具有杂环芳族体系(除了1至60个碳原子以外，具有至少一个选自n、o、si、p和s的杂原子作为成环原子)的单价基团。如本文中使用的术语“c1-c60亚杂芳基”指具有杂环芳族体系(除了1至60个碳原子以外，具有至少一个选自n、o、si、p和s的杂原子作为成环原子)的二价基团。c1-c60杂芳基的非限制性实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当c1-c60杂芳基和c1-c60亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠接。
如本文中使用的术语“c6-c60芳氧基”指-o-a102(其中a102为c6-c60芳基)，并且本文中使用的c6-c60芳硫基表示-s-a103(其中a103为c6-c60芳基)。
如本文中使用的术语“单价的非芳族稠合多环基团”指这样的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或更多个环，仅具有碳原子作为成环原子，以及分子结构整体的非芳香性。单价的非芳族稠合多环基团的具体实例为芴基。本文中使用的术语“二价的非芳族稠合多环基团”指与单价的非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“单价的非芳族稠合杂多环基团”指这样的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或更多个环，除了碳原子以外，还具有选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子，并且具有分子结构整体的非芳香性。单价的非芳族稠合杂多环基团的实例为咔唑基。本文中使用的术语“二价的非芳族稠合杂多环基团”指与单价的非芳族稠合杂多环基团具有相同的结构的二价基团。
如本文中使用的术语“c5-c60碳环基”指其中成环原子仅为碳原子的具有5至60个碳原子的单环或多环基团。c5-c60碳环基可为芳族碳环基或非芳族碳环基。c5-c60碳环基可为环(比如苯)、单价基团(比如苯基)或二价基团(比如亚苯基)。在一个或多个实施方式中，取决于连接到c5-c60碳环基的取代基的数量，c5-c60碳环基可为三价基团或四价基团。
如本文中使用的术语“c1-c60杂环基”指与c1-c60碳环基具有相同结构的基团，只是除了碳(碳原子的数量可在1至60范围内)以外，使用选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子。
如本文中使用的，选自取代的c5-c60碳环基、取代的c1-c60杂环基、取代的c3-c10亚环烷基、取代的c1-c10亚杂环烷基、取代的c3-c10亚环烯基、取代的c1-c10亚杂环烯基、取代的c6-c60亚芳基、取代的c1-c60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代的单价的非芳族稠合杂多环基团的取代基中的至少一个取代基可选自：
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)；
c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)；以及
-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，
其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、被c1-c60烷基取代的c6-c60芳基、被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基、三联苯基、c1-c60杂芳基、被c1-c60烷基取代的c1-c60杂芳基、被c6-c60芳基取代的c1-c60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团。
如本文中使用的术语“ph”可指苯基；如本文中使用的术语“me”可指甲基；如本文中使用的术语“et”可指乙基；如本文中使用的术语“ter-bu”或“but”可指叔丁基；并且如本文中使用的术语“ome”可指甲氧基。
如本文中使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换言之，“联苯基”为具有c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文中使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换言之，“三联苯基”为具有被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另有定义，本文中使用的*和*'，各自指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
在下文中，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的有机发光装置。在描述合成例中使用的用语“使用b代替a”指使用相同摩尔当量的b代替a。
为了强调一个或多个实施方式的特性，提供以下实施例和对比例，但是可以理解的是，这些实施例和对比例不应被解释为限制实施方式的范围，这些对比例也不应被解释为在实施方式的范围之外。而且，可以理解的是，实施方式不限于实施例和对比例中描述的特定细节。
[实施例]
实施例1
空穴传输区的合成
通过将其上沉积有厚度为120nm(15ω/cm2)的ito层的ito玻璃基板(康宁制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小来制备阳极，使用丙酮、异丙醇和纯水超声清洗ito玻璃基板(阳极)各15分钟，然后使ito玻璃基板(阳极)暴露于紫外线照射30分钟，并暴露于臭氧，以进行清洁。然后将ito玻璃基板(阳极)安装在真空沉积设备上。
将m-tdata(97wt％)和f4-tcnq(3wt％)共沉积在ito(阳极)玻璃基板上以形成具有20nm厚度的空穴注入层，并且将npb沉积在空穴注入层上以形成具有150nm厚度的空穴传输层，由此形成空穴传输区。
第一发光单元的形成
将and(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有20nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有30nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第一发光单元。
第一电荷产生层的形成
将化合物1-1(95wt％)和li(5wt％)共沉积在第一发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第一电荷产生层。
第二发光单元的形成
将化合物2-2沉积在第一电荷产生层上以形成具有30nm厚度的ht-发光辅助层，将cbp(85wt％)和pyd(15wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有30nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有10nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第二发光单元。
电子传输区和第二电极的形成
将bphen和liq以1:1的重量比(例如，各50wt％)共沉积在第二发光单元上以形成具有30nm厚度的电子传输层，并且将liq沉积在电子传输层上以形成具有1nm厚度的电子注入层。然后，将al沉积在电子注入层上以形成具有200nm厚度的第二电极(阴极)，由此完成有机发光装置的制造。
实施例2至7
以与实施例1中相同的方式制造实施例2至7的有机发光装置，只是各自如表1所示改变第一电荷产生层的n型电荷产生层的材料和第一发光单元的ht-发光辅助层的材料。
实施例8
空穴传输区、第一发光单元和第一电荷产生层的形成
空穴传输区、第一发光单元和第一电荷产生层以与实施例1中相同的方式在ito(阳极)玻璃基板上依次形成。
第二发光单元的形成
将化合物2-2沉积在第一电荷产生层上以形成具有30nm厚度的ht-发光辅助层，将cbp(99wt％)和pyd(1wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有10nm厚度的第一发光层，并且将cbp(90wt％)和pgd(10wt％)共沉积在第一发光层上以形成具有20nm厚度的第二发光层。然后，将bphen沉积在第二发光层上以形成具有10nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第二发光单元。
电子传输区和第二电极的形成
电子传输区和第二电极以与实施例1中相同的方式形成在第二发光单元上，由此完成有机发光装置的制造。
实施例9和10
以与实施例8中相同的方式制造实施例9和10的有机发光装置，只是各自如表1所示改变第一电荷产生层的n型电荷产生层的材料和第一发光单元的ht-发光辅助层的材料。
实施例11
空穴传输区的形成
通过将其上沉积有厚度为120nm(15ω/cm2)的ito层的ito玻璃基板(康宁制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小来制备阳极，使用丙酮、异丙醇和纯水超声清洗ito玻璃基板(阳极)各15分钟，然后使ito玻璃基板(阳极)暴露于紫外线照射30分钟并暴露于臭氧以进行清洁。然后，将ito玻璃基板(阳极)安装在真空沉积设备上。
将化合物2-2(97wt％)和pd(3wt％)共沉积在ito(阳极)玻璃基板上以形成具有20nm厚度的空穴注入层，并且将npb沉积在空穴注入层上以形成具有130nm厚度的空穴传输层，由此形成空穴传输区。
第一发光单元的形成
将化合物2-22沉积在空穴传输区上以形成具有20nm厚度的ht-发光辅助层，将and(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有20nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有30nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第一发光单元。
第一电荷产生层的形成
将化合物1-31(95wt％)和yb(5wt％)共沉积在第一发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第一电荷产生层。
第二发光单元、电子传输区和第二电极的形成
第二发光单元、电子传输区和第二电极以与实施例1中相同的方式在第一电荷产生层上依次形成，由此完成有机发光装置的制造。
实施例12
空穴传输区的形成
通过将其上沉积有厚度为120nm(15ω/cm2)的ito层的ito玻璃基板(康宁制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小来制备阳极，使用丙酮、异丙醇和纯水超声清洗ito玻璃基板(阳极)各15分钟，然后使ito玻璃基板(阳极)暴露于紫外线照射30分钟并暴露于臭氧以进行清洁。然后，将ito玻璃基板(阳极)安装在真空沉积设备上。
将m-tdata(97wt％)和f4-tcnq(3wt％)共沉积在阳极上以形成具有20nm厚度的空穴注入层，并且将npb沉积在空穴注入层上以形成具有130nm厚度的空穴传输层，由此形成空穴传输区。
第一发光单元的形成
将化合物2-39沉积在空穴传输区上以形成具有20nm厚度的ht-发光辅助层，将cbp(85wt％)和pyd(15wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有30nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有30nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第一发光单元。
第一电荷产生层的形成
将化合物1-1(95wt％)和yb(5wt％)共沉积在第一发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第一电荷产生层。
第二发光单元的形成
将化合物2-93沉积在第一电荷产生层上以形成具有30nm厚度的ht-发光辅助层，将adn(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有20nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有30nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第二发光单元。
第二电荷产生层的形成
将化合物1-7(95wt％)和yb(5wt％)共沉积在第二发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第二电荷产生层。
第三发光单元的形成
将化合物2-93沉积在第二电荷产生层上以形成具有30nm厚度的ht-发光辅助层，将adn(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有20nm厚度的发光层，并且将bphen沉积在发光层上以形成具有10nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第三发光单元。
电子传输区和第二电极的形成
电子传输区和第二电极以与实施例1中相同的方式形成在第三发光单元上，由此完成有机发光装置的制造。
对比例1
以与实施例1中相同的方式制造对比例1的有机发光装置，只是第一电荷产生层的n型电荷产生层的材料和第一发光单元的ht-发光辅助层的材料各自如表1所示改变。
对比例2
空穴传输区和第一发光单元的形成
空穴传输区和第一发光单元以与实施例1中相同的方式在阳极上依次形成。
第一电荷产生层的形成
将bcp(95wt％)和li(5wt％)共沉积在第一发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将化合物2-2和化合物pd共沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第一电荷产生层。
第二发光单元的形成
将化合物2-2沉积在第一电荷产生层上以形成具有30nm厚度的ht-发光辅助层，将cbp(99wt％)和prd(1wt％)共沉积在ht-发光辅助层上以形成具有10nm厚度的第一发光层，并且将cbp(90wt％)和pgd(10wt％)共沉积在第一发光层上以形成具有20nm厚度的第二发光层。然后将bphen沉积在第二发光层上以形成具有10nm厚度的et-发光辅助层，由此形成第二发光单元。
电子传输区和第二电极的形成
电子传输区和第二电极以与实施例1中相同的方式在第二发光单元上依次形成，由此完成有机发光装置的制造。
对比例3
空穴传输区和第一发光单元的形成
空穴传输区和第一发光单元以与实施例1中相同的方式在阳极上依次形成。
第一电荷产生层的形成
将化合物1-1(95wt％)和yb(5wt％)共沉积在第一发光单元上以形成具有10nm厚度的n型电荷产生层，并且将化合物2-2和化合物pd共沉积在n型电荷产生层上以形成具有15nm厚度的p型电荷产生层，由此形成第一电荷产生层。
第二发光单元、电子传输区和第二电极的形成
第二发光单元、电子传输区和第二电极以与实施例1中相同的方式在第一电荷产生层上依次形成，由此完成有机发光装置的制造。
对比例4
以与对比例1中相同的方式制造对比例4的有机发光装置，只是n型电荷产生层的材料如表1所示改变。
实施例1至12和对比例1至4的有机发光装置具有如表1所示的结构：
[表1]
评价例1
通过使用keithleysmu236和pr650亮度测量计在5ma/cm2下测定实施例1至12和对比例1至4的有机发光装置的驱动电压、发光效率(cd/a)和寿命(t97)。其结果示于表2中。通过评价有机发光装置的亮度达到相对于100％的初始亮度的97％时流逝的时间期间来测量寿命(t97)。
[表2]
参考表2，可以看出相对于对比例1至4的那些有机发光装置，实施例1至12的有机发光装置具有低驱动电压、高发光效率和长寿命。
根据一个或多个实施方式的有机发光装置可同时具有高效率和长寿命。
本申请实施方式可提供具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的有机发光装置。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了具体的术语，但是它们仅以一般性的和描述性的意义使用和理解，而不是为了限制的目的。在一些例子中，如在本申请递交之时本领域普通技术人员所清楚的，除非另有具体说明，关于特定实施方式描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或者与关于其他实施方式描述的特征、特性和/或要素组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不背离如权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可作出各种形式上和细节上的改变。
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