技术特征：
技术总结
本申请提供一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法，包括步骤：S1、获得包括量子点的第一混合液；S2、以H2S气体作为硫源，在第一温度下为量子点包覆ZnS壳层，得到具有ZnS壳层包覆的量子点；其中，第一温度的范围为20～60℃。本申请以H2S气体作为硫源，在较低的温度下实现了量子点上ZnS壳层的较好包覆，且由于在包覆ZnS壳层时未使用具有强配位能力的硫源配体，使得所制备的具有ZnS壳层包覆的量子点的后期转相过程更加容易。
技术研发人员：陈寰宇;李鑫;王允军
受保护的技术使用者：苏州星烁纳米科技有限公司
技术研发日：2018.09.27
技术公布日：2019.01.18