剂是2-四氢萘酮，或包含至少50%重量的2-四氢萘酮和另外至少一种其 它溶剂。
[0076] 在某些实施例中，适用于本发明的可能的芳族醚溶剂有：3_苯氧基甲苯、丁 氧基苯、苄基丁基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1，2-二甲氧 基_4_ (1_丙烯基）苯、1，4_苯并二噁烧、1，3_二丙基苯、2, 5_二甲氧基甲苯、4_乙基本乙 醚、1，2, 4-三甲氧基苯、4-(1_丙烯基）-1，2-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯 基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1，2-二甲氧基苯。
[0077] 在一个优先的实施例中，所述的芳族醚溶剂是如下所示的3-苯氧基甲苯：
[0078]
[0079] 在某些实施例中，基于芳族醚的溶剂体系是一混合物，可以包含的芳族醚溶剂在 溶剂总重量的至少50 %。优选地，包含的芳族醚溶剂在溶剂总重量的至少70 %;更优地，包 含的芳族醚溶剂在溶剂总重量的至少90%。最优地，所述的基于芳族醚的溶剂体系包含至 少99 %重量比的芳族醚溶剂，或基本上由芳族醚溶剂组成，或完全由芳族醚溶剂组成。
[0080] 在一个优先的实施例中，本发明涉及的一种印刷油墨，其特征在于，所述的基于芳 族醚的有机溶剂是3-苯氧基甲苯，或包含至少50%重量的3-苯氧基甲苯和另外至少一种 其它溶剂。
[0081] 在某一个实施例中，3-苯氧基甲苯，或其与其他醚溶剂，或其与其它非醚溶剂的混 合物均能很好的适用于所述的基于芳族醚的溶剂体系。
[0082] 在一个具体的实施例中，基于芳族醚的溶剂体系可以包含的3-苯氧基甲苯在溶 剂总重量的至少50%。优选地，包含的3-苯氧基甲苯在溶剂总重量的至少70% ;更优地， 包含的3-苯氧基甲苯在溶剂总重量的至少90%。最优地，所述的基于芳族醚的溶剂体系 包含至少99%重量比的3-苯氧基甲苯，或基本上由3-苯氧基甲苯组成，或完全由3-苯氧 基甲苯组成。
[0083] 在另一些实施例中，所述的印刷油墨进一步包含有另一种有机溶剂。有机溶剂的 例子，包括（但不限于）：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烧、三氯甲烧、氯苯、邻二氯苯、 四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1，4二氧杂环己烷、丙酮、甲 基乙基酮、1，2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2, 2-四氯乙烷、醋酸乙酯、 醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合 物。
[0084] 所述的印刷油墨还可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂， 润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。
[0085] 所述的印刷油墨可以通过多种技术沉积得到量子点薄膜，适合的打印或涂布技术 包括（但不限于）喷墨打印，喷印（NozzlePrinting)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂 布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭 缝型挤压式涂布等。优选的打印技术是凹版印刷，喷印及喷墨印刷。有关打印技术，及其对 有关油墨的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等的详细信息请参见HelmutKipphan主编的《印 刷媒体手册：技术和生产方法》(HandbookofPrintMedia:TechnologiesandProduction Methods),ISBN3-540-67326-1。一般地，不同的打印技术对所采用的油墨有不同的特性要 求。例如，适用于喷墨打印的印刷油墨，需要对油墨的表面张力、粘度、及浸润性进行调控， 使得油墨在印刷温度下（比如室温，25°C)能够很好地经由喷嘴喷出而不至于干燥于喷嘴 上或堵塞喷嘴，或能在特定的基板上形成连续、平整和无缺陷的薄膜。
[0086] 按照本发明的印刷油墨，包含至少一种无机纳米材料。
[0087] 在某些实施例中，无机纳米材料的平均粒径约在1到lOOOnrn范围内。在某些优先 的实施例中，无机纳米材料的平均粒径约在1到l〇〇nm。在某些更为优先的实施例中，无机 纳米材料的平均粒径约在1到20nm，最好在1到10nm。
[0088] 所述的无机纳米材料可以选自不同的形状，包含但不限于球形、立方体、棒状、盘 形或支化结构等不同纳米形貌，以及各种形状颗粒的混合物。
[0089] 在一个优先的实施例中，所述的无机纳米材料是量子点材料，具有非常狭窄的、单 分散的尺寸分布，即颗粒与颗粒之间的尺寸差异非常小。优选地，单分散的量子点在尺寸 上的偏差均方根小于15%rms;更优地，单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于10% rms;最优地，单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于5%rms。
[0090] 在某些优先的实施例中，所述的无机纳米材料是无机半导体材料。
[0091 ] 在另一个优先的实施例中，所述的无机纳米材料是发光材料。
[0092] 在某些优先的实施例中，所述的发光无机纳米材料是量子点发光材料。
[0093] 一般地，发光量子点可以在波长380纳米到2500纳米之间发光。例如，已发现，具 有CdS核的量子点的发光波长位于约400纳米到560纳米范围；具有CdSe核的量子点的发 光波长位于约490纳米到620纳米范围；具有CdTe核的量子点的发光波长位于约620纳米 至IJ680纳米范围；具有InGaP核的量子点的发光波长位于约600纳米到700纳米范围；具有 PbS核的量子点的发光波长位于约800纳米到2500纳米范围；具有PbSe核的量子点的发光 波长位于约1200纳米到2500纳米范围；具有CuInGaS核的量子点的发光波长位于约600 纳米到680纳米范围；具有ZnCuInGaS核的量子点的发光波长位于约500纳米到620纳米 范围；具有CuInGaSe核的量子点的发光波长位于约700纳米到1000纳米范围；
[0094] 在一个优选的实施例中，所述的量子点材料包含至少一种能够发出发光峰值波长 位于450nm~460nm的蓝光、或发光峰值波长位于520nm~540nm的绿光、或发光峰值波长 位于615nm~630nm的红光，或它们的混合物。
[0095] 所包含的量子点可以选自特殊的化学组成、形貌结构和/或大小尺寸，以获得在 电刺激下发出所需波长的光。关于量子点的发光性质与其化学组成、形貌结构和/或大 小尺寸的关系可以参见AnnualReviewofMaterialSci.，2000, 30, 545-610 ;0ptical MaterialsExpress. ,2012, 2, 594-628;NanoRes, 2009, 2, 425-447。特此将上述列出的专 利文件中的全部内容并入本文作为参考。
[0096] 量子点的窄的粒径分布能使量子点具有更窄的发光光谱（J.Am.Chem. Soc.，1993, 115, 8706;US20150108405)。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子 点的尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
[0097] 优选地，发光量子点是半导体纳米晶体。在一个实施例中，半导体纳米晶体的尺寸 为约5纳米到约15纳米的范围内。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子点的 尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
[0098] 所述的半导体纳米晶体包括至少一种半导体材料，其中半导体材料可选为元素 周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、ii-iv-vi 族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物或他们的混合物。具体所述的半导体材料的实 例包括，但不限制于：IV族半导体化合物，由单质Si、Ge、C和二元化合物SiC、SiGe组成； II-VI族半导体化合物，由二元化合物包括CdSe、CdTe、CdO、CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、 ZnO、HgO、HgS、HgSe、HgTe，三元化合物包括CdSeS、CdSeTe、CdSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、 CgHgS、CdHgSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgSeSe及四元化合 物包括CgHgSeS、CdHgSeTe、CgHgSTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、HgZnSeTe、HgZnSTe、CdZnSTe、 HgZnSeS、组成；III-V族半导体化合物，由二元化合物包括A1N、A1P、AlAs、AlSb、GaN、GaP、 GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb，三元化合物包括A1NP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、 GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、和四元化合物包 括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GalnNP、GalnNAs、GalnNSb、GalnPAs、GalnPSb、InAlNP、 InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb组成；IV-VI族半导体化合物，由二元化合物包括SnS、 SnSe、SnTe、PbSe、PbS、PbTe，三元化合物包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、 PbSTe、PbSeS、PbSeTe和四元化合物包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe组成。
[0099] 在一个优先的实施例中，发光量子点包含有II-VI族半导体化合物，优先选自CdS e，CdS，CdTe，ZnO,ZnSe，ZnS，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，CdZnSe及它们的任何组合。在合适的实 施方案中，由于CdSe的合成相对成熟而将此材料用作用于可见光的发光量子点。
[0100] 在另一个优先的实施例中，发光量子点包含有III-V族半导体化合物， 优先选自InAs，InP，InN，GaN，InSb，InAsP，InGaAs，GaAs，GaP，GaSb，AlP，AlN， AlAs，AlSb，CdSeTe，ZnCdSe及它们的任何组合。
[0101] 在另一个优先的实施例中，发光量子点包含有IV-VI族半导体化合物，优先选自 PbSe,PbTe,PbS,PbSnTe,Tl2SnTe5及它们的任何组合。
[0102] 在一个优选的实施例中，量子点为一核壳结构。核与壳分别相同或不同地包括一 种或多种半导体材料。
[0103] 所述的量子点的核可以选自上述的元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、 III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物。具 体的用于量子点核的实例包括但不限制于ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、 MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、Ga