磁控溅射环包装件的制作方法
【专利摘要】一种磁控溅射环包装件，用于包装所述磁控溅射环，所述磁控溅射环包括磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端，所述磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端形成开口，包括：包覆所述磁控溅射环的第一膜层；第一端口保护件，包覆位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端；第二端口保护件，包覆位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端。采用本实用新型的磁控溅射环包装件可以有效的保护在内的磁控溅射环。
【专利说明】磁控溅射环包装件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种磁控溅射环包装件。
【背景技术】
[0002]物理气相沉积(PVD, Physical Vapor Deposit1n)是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基板上成膜，而最终达到对基板表面镀膜的目的。
[0003]图1为物理气相沉积中应用磁控溅射环的溅射反应器。请参考图1，该磁控溅射反应器包括具有侧壁114的腔室112，腔室112通常是高真空室，大体上为圆筒形。靶材100被设置在腔室112的上部区域中，且基板118被设置在腔室112的下部区域中。基板118被保持在基座120上，基座120沿圆筒形侧壁的中心轴线TT设置并且与靶材100相对，所述基座120通常包括静电卡盘。靶材100将通过适当的支承构件(未示出)被保持，所述支承构件可包括动力源。可设置上部罩(未示出)以罩住靶材100的边缘。靶材100的材料可包括例如招、镉、钴、铜、金、铟、钥、镍、银、钮、钼、铼、钌、银、锡、钽、钛、鹤、银和锌中的一种或多种。这些元素可以以元素、化合物或合金的形式存在。
[0004]基板118可包括半导体晶片，例如单晶硅晶片。
[0005]溅射材料从靶材100的表面中溅射出来且被导向基板118。溅射材料122由箭头表示。通常情况下，磁控溅射环200被设置在腔室112内，安装在靶材100与基板118之间。施加在磁控溅射环200上的电流产生的电场通过影响整个溅射腔室的磁场来改进溅射材料122的取向，且引导溅射材料与基板118的上表面相对正交，以提高溅射过程中所形成薄膜的均匀性。
[0006]参考图2，磁控溅射环200内环表面和外环表面具有花纹。磁控溅射环200包括磁控溅射环首端201和磁控溅射环尾端202，磁控溅射环首端201和磁控溅射环尾端202之间形成开口 203。现有技术中，参考图3，当磁控溅射环200需要存储或运输时，需要在磁控溅射环200上包覆一层塑料膜204。该塑料膜204为磁控溅射环包装件，保护磁控溅射环200内环表面和外环表面的花纹在存储或运输过程中不受损伤。该塑料膜204内为真空密封条件，可以延长磁控溅射环200的存储寿命。
[0007]然而，采用现有技术的磁控溅射环包装件对磁控溅射环的保护效果不佳。
实用新型内容
[0008]本实用新型解决的问题是采用现有技术的磁控溅射环包装件对磁控溅射环的保护效果不佳。
[0009]为解决上述问题，本实用新型提供一种磁控溅射环包装件，所述磁控溅射环包括磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端，所述磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端形成开口，包括:
[0010]包覆所述磁控溅射环的第一膜层；
[0011]第一端口保护件，包覆位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端；
[0012]第二端口保护件，包覆位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端。
[0013]可选的，所述第一端口保护件与第二端口保护件一体成型。
[0014]可选的，所述第一端口保护件与第二端口保护件连接。
[0015]可选的，所述第一端口保护件内具有第一凹槽，位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端插入所述第一凹槽。
[0016]可选的，所述第二端口保护件内具有第二凹槽，位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端插入所述第二凹槽。
[0017]可选的，所述磁控溅射环还包括:包覆所述第一膜层、第一端口保护件和第二端口保护件的第二膜层。
[0018]可选的，所述第一膜层和第二膜层的氧气透过量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa,透湿量小于或等于3ml/m2.24hr。
[0019]可选的，所述第一膜层和第二膜层的厚度大于或等于90 μ m，密度大于或等于
0.960g/cm3。
[0020]可选的，所述第一膜层和第二膜层的拉伸强度大于或等于100N/15mm，抗刺破强度大于或等于10N。
[0021]可选的，所述磁控溅射环包装件为真空密封包装件。
[0022]与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点:
[0023]第一端口保护件包覆位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端并保护磁控溅射环首端。第二端口保护件包覆位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端并保护磁控溅射环尾端。即使在运输或存储的过程中，第一端口保护件和第二端口保护件相互摩擦，甚至相互碰撞，也不会透过第一膜层在磁控溅射环首端产生划痕，同时也不会透过第一膜层在磁控溅射环尾端表面产生划痕，从而可以有效的保护磁控溅射环。该磁控溅射环进行磁控溅射时，也不会产生异常放电现象。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1是现有技术中物理气相沉积中应用磁控溅射环的溅射反应器；
[0025]图2是磁控溅射环的立体结构示意图；
[0026]图3是现有技术的磁控溅射环包装件包装图2的磁控溅射环时的立体结构示意图；
[0027]图4是本实用新型的磁控溅射环包装件包装磁控溅射环时的立体结构示意图；
[0028]图5是本实用新型的第一端口保护件和第二端口保护件的立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0029]经发现和研究，采用现有技术的磁控溅射环包装件对磁控溅射环200的保护效果不佳的原因如下:
[0030]参考图3，在存储或运输过程中，磁控溅射环首端201和磁控溅射环尾端202容易发生碰撞或摩擦，即使磁控溅射环200表面有塑料膜204包覆，这些碰撞或摩擦也会使磁控溅射环首端201表面和磁控溅射环尾端202表面产生划痕。当具有划痕的磁控溅射环200应用于磁控溅射时，会发生异常放电现象，从而影响溅射环境，进而影响在基板上的成膜质量。
[0031]现有技术中，为了防止在磁控溅射环首端201表面和磁控溅射环尾端202表面产生划痕，会采取增加塑料膜204的厚度或者会增加塑料膜204的层数等措施来防止划痕现象产生，但是上述措施的防划痕效果不佳。
[0032]针对以上技术问题，本实用新型提供了一种磁控溅射环包装件。该磁控溅射环包装件包括包覆所述磁控溅射环的第一膜层；第一端口保护件，包覆位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端；第二端口保护件，包覆位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端。采用本实用新型的磁控溅射环包装件能够有效的保护磁控溅射环。
[0033]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例做详细的说明。
[0034]参考图4，本实施例中，磁控溅射环3具有磁控溅射环首端31和磁控溅射环尾端32，磁控溅射环首端31和磁控溅射环尾端32组成开口(图未示)。用于包装磁控溅射环3的磁控溅射环包装件包括:
[0035]包覆所述磁控溅射环3的第一膜层4 ；
[0036]第一端口保护件51，包覆位于磁控溅射环首端31的第一膜层4和磁控溅射环首端31 ；
[0037]第二端口保护件52，包覆位于磁控溅射环尾端32的第一膜层4和磁控溅射环尾端32。
[0038]第一端口保护件51包覆位于磁控溅射环首端31的第一膜层4和磁控溅射环首端31并保护磁控溅射环首端31。第二端口保护件52包覆位于磁控溅射环尾端32的第一膜层4和磁控溅射环尾端32并保护磁控溅射环尾端32。即使在运输或存储的过程中，第一端口保护件51和第二端口保护件52相互摩擦，甚至相互碰撞，也不会透过第一膜层4在磁控溅射环首端31产生划痕，同时也不会透过第一膜层4在磁控溅射环尾端32表面产生划痕，从而可以有效的保护磁控溅射环3。该磁控溅射环3进行磁控溅射时，也不会产生异常放电现象。
[0039]本实施例中，继续参考图4，第一膜层4为长条形袋状结构，包括第一膜层首端41和第一膜层尾端42，第一膜层首端41为长条形袋状结构的袋口。磁控溅射环尾端32从第一膜层首端41进入长条形袋状结构，直至磁控溅射环尾端32与第一膜层尾端42相贴合。此时，磁控派射环首端31与第一膜层首端41相贴合,且第一膜层首端41被密封。第一膜层4并不包覆磁控溅射环3内环以内处。
[0040]其他实施例中，第一膜层还可以为方形袋结构或圆形袋结构。当磁控溅射环装入第一膜层时，磁控派射环内环以内处都包括在第一膜层内。
[0041]本实施例中，第一膜层4的氧气透过量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa、透湿量小于或等于3ml/m2.24hr。
[0042]氧气透过量的含义为在恒定温度和单位压力差下，在稳定透过时，单位时间内透过第一膜层的单位面积的氧气的体积。第一膜层4的氧气透过量越小，第一膜层4内的磁控溅射环3的保存时间会越久。
[0043]透湿量的含义为在恒定温度和水蒸气压力差下，在稳定透过时，单位时间内透过第一膜层4的单位面积的水蒸气的体积。第一膜层4的透湿量越小，第一膜层4内的磁控溅射环3的保存时间会越久。
[0044]为了更好的保护第一膜层4内的磁控溅射环3的内表面和外表面的花纹，需要第一膜层4的厚度大于或等于90 μ m,密度大于或等于0.960g/cm3,第一膜层4的拉伸强度大于或等于100N/15mm，抗刺破强度大于或等于10N。
[0045]继续参考图4，磁控溅射环包装件还包括第一端口保护件51。第一端口保护件51包覆位于磁控溅射环首端31的第一膜层4和磁控溅射环首端31。
[0046]本实施例中，结合参考图4和图5，第一端口保护件51内具有第一凹槽511，套有磁控溅射环首端31的第一膜层首端41和磁控溅射环首端31—起插入第一凹槽511内。而且，磁控溅射环首端31和第一膜层首端41不会从第一凹槽511内滑落。
[0047]本实施例中，第一端口保护件51的材料较软，不会使插入第一凹槽511内的磁控溅射环首端31和第一膜层4受损。
[0048]继续结合参考图4和图5，磁控溅射环包装件还包括第二端口保护件52。第二端口保护件52包覆位于磁控溅射环尾端32的第一膜层4和磁控溅射环尾端32。
[0049]本实施例中，第二端口保护件52内具有第二凹槽(图未示)，套有磁控溅射环尾端32的第一膜层尾端42和磁控溅射环尾端32 —起插入第二凹槽内。而且，磁控溅射环尾端32和第一膜层尾端42不会从第二凹槽内滑落。
[0050]本实施例中，第二端口保护件52的材料较软，不会使插入第二凹槽内的磁控溅射环尾端32和第一膜层4受损。
[0051]本实施例中，第一端口保护件51和第二端口保护件52为一体成型结构。这样，第一端口保护件51和第二端口保护件52相互之间不会移动，进一步保证第一端口保护件51和第二端口保护件52之间不会发生摩擦甚至碰撞的情况。从而进一步减少磁控溅射环表面出现划痕的概率。
[0052]其他实施例中，第一端口保护件和第二端口保护件也可以为互相连接结构。其他实施例中，第一端口保护件与第二端口保护件也可以为分体结构，也属于本实用新型保护的范围。
[0053]本实施例中，为了进一步保护磁控溅射环3不受损，磁控溅射环包装件还包括第二膜层(图未示)。所述第二膜层包覆所述第一膜层4、第一端口保护件51和第二端口保护件52。
[0054]第二膜层的材料与第一膜层4的材料相同。
[0055]其他实施例中，磁控溅射环包装件不具有第二膜层也属于本实用新型的保护范围。
[0056]本实施例中，第一膜层4、第二膜层内都为真空密封状态，可以使磁控溅射溅射环3在第一膜层4和第二膜层内的保存时间更久。
[0057]虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种磁控溅射环包装件，用于包装磁控溅射环，所述磁控溅射环包括磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端，所述磁控溅射环首端和磁控溅射环尾端形成开口，其特征在于，包括: 包覆所述磁控溅射环的第一膜层； 第一端口保护件，包覆位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端； 第二端口保护件，包覆位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端。
2.如权利要求1所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一端口保护件与第二端口保护件一体成型。
3.如权利要求1所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一端口保护件与第二端口保护件连接。
4.如权利要求1所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一端口保护件内具有第一凹槽，位于磁控溅射环首端的第一膜层和磁控溅射环首端插入所述第一凹槽。
5.如权利要求1所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第二端口保护件内具有第二凹槽，位于磁控溅射环尾端的第一膜层和磁控溅射环尾端插入所述第二凹槽。
6.如权利要求1所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述磁控溅射环还包括:包覆所述第一膜层、第一端口保护件和第二端口保护件的第二膜层。
7.如权利要求6所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一膜层和第二膜层的氧气透过量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa,透湿量小于或等于3ml/m2.24hr。
8.如权利要求6所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一膜层和第二膜层的厚度大于或等于90 μ m,密度大于或等于0.960g/cm3。
9.如权利要求6所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述第一膜层和第二膜层的拉伸强度大于或等于100N/15mm，抗刺破强度大于或等于10N。
10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的磁控溅射环包装件，其特征在于，所述磁控溅射环包装件为真空密封包装件。
【文档编号】B65D77/26GK203997450SQ201420448664
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月8日 优先权日:2014年8月8日
【发明者】姚力军, 潘杰, 相原俊夫, 大岩一彦, 王学泽, 李小萍 申请人:宁波江丰电子材料股份有限公司