一种环保型温敏膜成型系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及温敏膜制造设备，具体为一种环保型温敏膜成型系统。
【背景技术】
[0002]目前，温敏膜制造的过程中，喷嘴将其喷到基板上时由于基板的大小是固定的；而喷嘴的移动过程中可能会发生移动幅度过大而导致温敏膜被喷到基板的范围之外。这种情况不但浪费物料同时也会对环境造成一定的污染。
【发明内容】
[0003]本发明所解决的技术问题在于提供一种环保型温敏膜成型系统，以解决上述【背景技术】中的缺点。
[0004]本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种环保型温敏膜成型系统，包括传感器、防粘滑陶瓷、基板、加热装置、校准机构和喷射嘴，所述加热装置安装在机体中部的导轨柱上，所述加热装置的两侧分别各设有一个所述喷射嘴，所述基板和防粘滑陶瓷安装在一起并位于所述加热装置的前方，所述校准机构位于机体的顶部，所述传感器位于所述加热装置的下方。
[0005]本发明中，所述传感器包括上方的距离感应器和右侧的厚度感应器，分别用于感应喷射嘴的高度和喷出的膜的厚度。
[0006]本发明中，所述防粘滑陶瓷位于基板的后方，所述基板可以从防粘滑陶瓷上拆下。
[0007]本发明中，所述加热装置包括线圈和磁柱。
[0008]本发明中，所述校准机构通过无线信号与所述传感器连接，可以让校准机构随时校准喷射嘴的高度。
[0009]本发明的有益效果:校准机构和传感器的配合可以时时调整喷射嘴的运动范围而不至于出现喷射到基板以外的距离。而防粘滑陶瓷可以用于收集回收少量出到距离的温敏膜，不至于其污染环境。
[0010]
【附图说明】
[0011]图1为一种环保型温敏膜成型系统示意图。
[0012]图中:1-传感器，2-防粘滑陶瓷，3-基板，4-加热装置，5-校准机构，6_喷射嘴，
7-机体，8-导轨柱。
【具体实施方式】
[0013]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
[0014]一种环保型温敏膜成型系统，包括传感器1、防粘滑陶瓷2、基板3、加热装置4、校准机构5和喷射嘴6，所述加热装置4安装在机体7中部的导轨柱8上，所述加热装置4的两侧分别各设有一个所述喷射嘴6，所述基板3和防粘滑陶瓷2安装在一起并位于所述加热装置4的前方，所述校准机构5位于机体7的顶部，所述传感器1位于所述加热装置4的下方。
[0015]工作过程:物料进入通道后由加热装置4将其雾化并由喷射嘴6喷出到基板3上，基板3后方的防粘滑陶瓷2用于防止喷射超过范围时而造成浪费。校准机构5随时校准喷射嘴6的喷射范围和膜的厚度。加热装置4和喷射嘴6可以在导轨柱8上移动。
[0016]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种环保型温敏膜成型系统，包括传感器(I)、防粘滑陶瓷(2)、基板(3)、加热装置(4)、校准机构(5)和喷射嘴(6)，其特征是:所述加热装置(4)安装在机体(7)中部的导轨柱(8)上，所述加热装置(4)的两侧分别各设有一个所述喷射嘴(6)，所述基板(3)和防粘滑陶瓷(2)安装在一起并位于所述加热装置(4)的前方，所述校准机构(5)位于机体(7)的顶部，所述传感器(I)位于所述加热装置(4)的下方。2.根据权利要求1所述的一种环保型温敏膜成型系统，其特征是:所述传感器(I)包括上方的距离感应器和右侧的厚度感应器。3.根据权利要求1所述的一种环保型温敏膜成型系统，其特征是:所述防粘滑陶瓷(2)位于基板(3)的后方。4.根据权利要求1所述的一种环保型温敏膜成型系统，其特征是:所述加热装置(4)包括线圈和磁柱。5.根据权利要求1所述的一种环保型温敏膜成型系统，其特征是:所述校准机构(5)通过无线信号与所述传感器(I)连接。
【专利摘要】本发明提供一种环保型温敏膜成型系统，包括传感器、防粘滑陶瓷、基板、加热装置、校准机构和喷射嘴，所述加热装置安装在机体中部的导轨柱上，所述加热装置的两侧分别各设有一个所述喷射嘴，所述基板和防粘滑陶瓷安装在一起并位于所述加热装置的前方，所述校准机构位于机体的顶部，所述传感器位于所述加热装置的下方。本发明中的校准机构和传感器的配合可以时时调整喷射嘴的运动范围而不至于出现喷射到基板以外的距离。而防粘滑陶瓷可以用于收集回收少量出到距离的温敏膜，不至于其污染环境。
【IPC分类】B29D7/01
【公开号】CN105313354
【申请号】CN201410343720
【发明人】徐雷利
【申请人】天津市绿净源环保科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年7月19日