1.一种CMUT换能器阵列，包括：
多个CMUT平铺件，所述平铺件并排对齐以形成CMUT阵列，其中平铺件包括：
衬底；
多个CMUT单元，所述CMUT单元设置于所述衬底上并以一行或多行、一列或多列、或两者的方式布置；
在所述平铺件的一侧通过蚀刻工艺形成的边缘，所述蚀刻工艺在横向接近与所述边缘相邻的一个或多个CMUT单元处蚀刻穿过所述衬底，使得所述一个或多个CMUT单元被定位成与毗邻平铺件的一个或多个CMUT单元保持恒定的节距；以及
其中所述蚀刻工艺通过在所蚀刻的沟槽的两侧衬置聚合物而被进一步调整。
2.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，所述边缘是横向接近多个CMUT单元的非线性的蚀刻的边缘。
3.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，所述边缘是通过各向异性蚀刻工艺蚀刻的。
4.根据权利要求3所述的CMUT换能器阵列，其中，所述各向异性蚀刻工艺进一步包括深反应离子蚀刻工艺。
5.根据权利要求2所述的CMUT换能器阵列，其中，所述平铺件呈现对称性，使得第一平铺件的非线性边缘能够被定位成与第二平铺件的两个边缘中的任一个相邻，且保持从所述第一平铺件至所述第二平铺件的恒定的CMUT单元节距。
6.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，平铺件进一步包括多个互连电极，所述多个互连电极沿着边缘设置于所述衬底上并电联接至所述平铺件的CMUT单元。
7.根据权利要求6所述的CMUT换能器阵列，其中，所述平铺件呈现对称性，使得第一平铺件的蚀刻的边缘能够被设置成与第二平铺件的蚀刻的边缘相邻，且保持从所述第一平铺件至所述第二平铺件的恒定的CMUT单元节距，
其中所述第一平铺件和所述第二平铺件各自具有沿边缘设置的多个互连电极，以及
参照相邻地设置的蚀刻的边缘，所述互连电极的边缘位于相应平铺件的相反两侧上。
8.根据权利要求2所述的CMUT换能器阵列，其中，所述非线性的蚀刻的边缘包括一系列线性的、不同地定向的边缘区段。
9.根据权利要求2所述的CMUT换能器阵列，其中，所述非线性的蚀刻的边缘包括连续地形成轮廓的蚀刻的边缘。
10.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，所述边缘通过从所述衬底的顶部和底部交替地蚀刻而形成。
11.根据权利要求10所述的CMUT换能器阵列，其中，所述聚合物进一步包括聚酰亚胺或BCB。
12.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，所述边缘通过交替地从所述衬底的顶部蚀刻和从所述衬底的底部研磨而形成。
13.根据权利要求1所述的CMUT换能器阵列，其中，所述CMUT单元以塌陷操作模式来操作。
14.根据权利要求14所述的CMUT换能器阵列，其中，所述CMUT单元在操作期间通过偏置电压保持在塌陷模式中。
15.一种超声成像系统，其具有包括权利要求1-14所述的CMUT换能器阵列的探头100’。