浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图3,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持270min，100%的COS去除 率能维持210min，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[00础 实施例4 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将Si化加入质量百分比浓度为7%的硝酸铜溶液中超声浸溃30分钟(超声浸溃的溫度 为30°C，超声波频率为45曲Z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的离 屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下鼓 风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0033] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图4,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[0034] 实施例5 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将Ti化加入质量百分比浓度为12%的硝酸侣溶液中超声浸溃35分钟(超声浸溃的溫 度为40°C，超声波频率为45曲Z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的 离屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下 鼓风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0035] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图5,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[003引实施例6 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将。N4加入质量百分比浓度为10%的硝酸儀溶液中超声浸溃50分钟炮声浸溃的溫度 为30°C，超声波频率为45曲Z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的离 屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下鼓 风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0037] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图6,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[00測实施例7 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将Si化加入质量百分比浓度为11%的硝酸钻溶液中超声浸溃45分钟(超声浸溃的溫 度为30°C，超声波频率为45曲Z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的 离屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下 鼓风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0039] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图7,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[0040] 实施例8 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将Ti化加入质量百分比浓度为9%的硝酸铜溶液中超声浸溃55分钟炮声浸溃的溫度 为30°C，超声波频率为45曲Z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的离 屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下鼓 风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0041] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图8,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
[004引实施例9 本实施例所述同时脱除幾基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，具体包括W下步骤： 将C3N4加入质量百分比浓度为7%的硝酸姉溶液中超声浸溃30分钟（超声浸溃的溫度 为30°C，超声波频率为45曲z)，再将浸溃后的浸溃后的半导体材料放入1800转/分钟的离屯、机中离屯、90分钟，再将离屯、后的半导体材料过滤，再将过滤后的固体材料在120°C下鼓 风干燥7小时，即制得改性光催化剂。
[0043] 催化剂的活性测试在〇3mmX100mm的固定床石英反应器中进行，反应条件为：CS2 浓度50ppm、COS浓度500ppm、空速lOOOOh1、反应溫度70°C、氧气含量1%，COS和CS2的催 化转化率结果见图9,从图中可W得出100%的CS2去除率能维持240min，100%的COS去除 率能维持ISOmin，运表明改性催化剂对COS和CS2的去除有明显的效果。
【主权项】
1. 一种同时脱除羰基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，其特征在于，具体包括以下步 骤： (1) 将半导体材料加入质量百分比浓度为5~15%的活性金属盐溶液中超声浸渍30~60 分钟； (2) 将浸渍后的半导体材料放入离心机中离心分离； (3) 将离心后的半导体材料过滤，滤后的固体材料干燥后即制得改性光催化剂； 所述半导体材料为Si02、Ti02、C3N4中的一种； 所述金属盐溶液为硝酸铁、硝酸铜、硝酸铝、硝酸锌、硝酸镍、硝酸钴、硝酸锰、硝酸镧、 硝酸铈、硝酸钨中的一种或多种混合溶液。2. 根据权利要求1所述的同时脱除羰基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，其特征在 于：步骤（1)中超声浸渍的温度为30~50°C，超声波频率为28~45kHz。3. 根据权利要求1所述的同时脱除羰基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，其特征在 于：步骤（2)中离心机的转速为1000~2000转/分钟，离心时间为60~120分钟。4. 根据权利要求1所述的同时脱除羰基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，其特征在 于：步骤（3)中的干燥条件为：100~150°C下干燥4~8小时。
【专利摘要】本发明公开了本发明涉及一种同时脱除羰基硫和二硫化碳催化剂的制备方法，属于大气污染控制领域。本发明所述方法以半导体材料为载体，将载体材料加入活性金属盐溶液中超声浸渍，然后通过离心分离，将分离后的固体过滤烘干即得改性光催化剂，该催化剂用于羰基硫和二硫化碳的同时脱除，该方法工艺简洁，操作便捷，可连续运行，烟气中的COS和CS2在光催化转化过程中得到脱除及资源化利用。光催化转化产生CO和S，产物可以充分利用，无二次污染。
【IPC分类】B01D53/86, B01J23/745, B01D53/48, B01J23/34, B01J27/24, B01J23/10, B01J21/06, B01J23/75, B01J23/72
【公开号】CN105289608
【申请号】CN201510678152
【发明人】李凯, 宋辛, 宁平, 梅毅, 杨刚, 汤立红, 王驰
【申请人】昆明理工大学
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月20日