用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高纯氯化钡生产设备领域，特别是一种用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置。
【背景技术】
[0002]高纯氯化钡是以工业氯化钡为原料，经过高温溶解、除杂、结晶、清洗、干燥，并反复进行上述操作得到的杂质含量少、氯化钡含量高的高纯氯化钡。除杂过程包括化学沉淀、絮凝以及对絮凝反应得到的固体物质进行分离。高纯氯化钡所用的絮凝沉淀剂为双氧水等，本工艺属于连续操作，单位时间的絮凝量小，与污水处理领域的絮凝沉淀装置具有显著的区别。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种絮凝沉淀效果好、装置自清理能力强的用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置。
[0004]本实用新型提供的技术方案为:一种用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置，包括絮凝反应区和絮凝沉淀区，所述的絮凝反应区包括锥形筒体，所述的锥形筒体顶部设有溢流口，所述的锥形筒体内部设有搅拌装置，所述的锥形筒体的底部设有进液口，所述的絮凝沉淀区包括方形沉淀槽和设置于方形沉淀槽下部的V字形积泥槽，所述的方形沉淀槽的上部与溢流口相连，所述的方形沉淀槽内交替设有多块倾斜向下挡板，所述的挡板上设有多个可以沿挡板表面转动的导流板，同一个挡板上的多个导流板通过两根连杆连接，所述的两根连杆与设置在挡板下方的转动机构连接，所述的转动机构与外设的驱动机构连接，所述的方形沉淀槽的底部设有排水口，所述的V字形积泥槽的底部设有排泥口。
[0005]在上述的用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置中，所述的转动机构包括设置在挡板下方的转盘和与所述转盘连接的齿轮，所述的齿轮与外设的驱动机构通过链条连接。
[0006]本实用新型通过锥形的絮凝反应区达到物料充分混合充分絮凝的目的，然后通过导流板提高沉淀效果，在正常使用过程中，导流板的延伸方向与挡板的延伸方向垂直，在自清理的过程中，导流板的延伸方向与挡板的延伸方向一致，同时在自清理的过程中不断改变导流板的延伸方向可以达到刮擦挡板清理污泥的目的，然后通过V字形积泥槽排出污泥，达到自清理的目的，本装置占地面积小，处理量小，适用于处理量和絮凝量均小的制备高纯氯化钡的絮凝沉淀的工艺。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型的实施例1的结构图；
[0008]图2是本实用新型的实施例1的工作状态时挡板结构示意图；
[0009]图3是本实用新型的实施例1的自清理状态时挡板结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合【具体实施方式】，对本实用新型的技术方案作进一步的详细说明，但不构成对本实用新型的任何限制。
[0011]实施例1
[0012]如图1至图3所示，一种用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置，包括絮凝反应区I和絮凝沉淀区2，所述的絮凝反应区I包括锥形筒体11，所述的锥形筒体11顶部设有溢流口 12，所述的锥形筒体11内部设有搅拌装置13，所述的锥形筒体11的底部设有进液口 14，所述的絮凝沉淀区2包括方形沉淀槽21和设置于方形沉淀槽21下部的V字形积泥槽22，所述的方形沉淀槽21的上部与溢流口 12相连，所述的方形沉淀槽21内交替设有多块倾斜向下挡板23，所述的挡板23上设有多个可以沿挡板23表面转动的导流板24，同一个挡板23上的多个导流板24通过两根连杆25连接，所述的两根连杆25与设置在挡板23上的转动机构连接，所述的转动机构与外设的驱动机构连接，所述的方形沉淀槽21的底部设有排水口 26，所述的V字形积泥槽22的底部设有排泥口 27，所述的转动机构包括设置在挡板23上的转盘28和与所述转盘28连接的齿轮29，所述的齿轮29与外设的驱动机构通过链条连接。
[0013]在生产过程中，原料和絮凝沉淀剂在管道内经过初步文化后经锥形筒体11的底部注入，混合达到充分混合的目的，然后经过溢流口 12进入到絮凝沉淀区2，此时导流板24的延伸方向与挡板23的延伸方向垂直，含有絮凝沉淀的溶液缓慢下沉并沉积到导流板24之间的空隙中，连续工作一段时间后，停止溢流口 12的溶液注入，改变导流板24的方向，使之延伸方向与挡板23延伸方向一致，并重复该操作多次，达到刮擦挡板23上污泥的目的，污泥经过冲刷后到达V字形积泥槽22内，然后排出，具体来说导流板24方向的改变通过挡板23上的转盘28以驱动齿轮29来实现。整个过程简单、絮凝沉淀物的沉淀效率高、装置自清理能力强。
[0014]以上所述的仅为本实用新型的较佳实施例，凡在本实用新型的精神和原则范围内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置，包括絮凝反应区和絮凝沉淀区，其特征在于，所述的絮凝反应区包括锥形筒体，所述的锥形筒体顶部设有溢流口，所述的锥形筒体内部设有搅拌装置，所述的锥形筒体的底部设有进液口，所述的絮凝沉淀区包括方形沉淀槽和设置于方形沉淀槽下部的V字形积泥槽，所述的方形沉淀槽的上部与溢流口相连，所述的方形沉淀槽内交替设有多块倾斜向下挡板，所述的挡板上设有多个可以沿挡板表面转动的导流板，同一个挡板上的多个导流板通过两根连杆连接，所述的两根连杆与设置在挡板上的转动机构连接，所述的转动机构与外设的驱动机构连接，所述的方形沉淀槽的底部设有排水口，所述的V字形积泥槽的底部设有排泥口。
2.根据权利要求1所述的用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置，其特征在于，所述的转动机构包括设置在挡板上的转盘和与所述转盘连接的齿轮，所述的齿轮与外设的驱动机构通过链条连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置，包括絮凝反应区和絮凝沉淀区，所述的絮凝反应区包括锥形筒体，所述的锥形筒体顶部设有溢流口，所述的锥形筒体内部设有搅拌装置，所述的锥形筒体的底部设有进液口，所述的絮凝沉淀区包括方形沉淀槽和设置于方形沉淀槽下部的V字形积泥槽，所述的方形沉淀槽的上部与溢流口相连，所述的方形沉淀槽内交替设有多块倾斜向下挡板。本实用新型旨在提供一种絮凝沉淀效果好、装置自清理能力强的用于制备高纯氯化钡的絮凝沉淀装置。
【IPC分类】C01F11-32, B01D21-28, B01D21-02, B01D21-01
【公开号】CN204447421
【申请号】CN201420801451
【发明人】魏德陆
【申请人】湖北石花友谊化工股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年12月16日