1.一种气门座圈，包括：气门座圈基体、复合于所述气门座圈基体表面的铬过渡层与复合于所述铬过渡层表面的Al2O3镀层。
2.根据权利要求1所述的气门座圈，其特征在于，所述铬过渡层的厚度为10～20μm，所述Al2O3镀层的厚度为5～20μm。
3.根据权利要求2所述的气门座圈，其特征在于，所述铬过渡层的厚度为15～20μm，所述Al2O3镀层的厚度为8～15μm。
4.一种气门座圈的制备方法，包括以下步骤：
A)，将气门座圈基体的表面进行预处理；
B)，采用电子束蒸发的方法，在步骤A)得到的气门座圈基体的表面镀铬层；
C)，采用磁控溅射的方法，在步骤B)得到的气门座圈的镀铬层表面沉积Al2O3镀层；
D)，将步骤C)得到的气门座圈进行退火处理。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述预处理的过程具体为：
将气门座圈基体在水中加热清洗，再在丙酮溶液中超声清洗，然后在无水乙醇中超声清洗。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电子束蒸发的过程中，真空度为3×10-4Pa～5×10-4Pa，电压为8～10kv，电子束流为100～150mA，所述电子束蒸发的时间为2～4h。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的过程中，真空室的压强为0.1～5Pa，电压为2～5kV，电子束流为300～500mA，所述磁控溅射的时间为60～120min，靶心距为60～100mm，所述磁控溅射的靶材为铝靶，所述磁控溅射的气氛为氧气。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600～800℃，所述退火处理的时间为1～2h，所述退火处理的保护气氛为氩气。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述镀铬层采用的原料为纯度99.99％的铬粉。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述气门座圈基体的材质为铸铁。