专利名称：：微部件的芯片级封装的制作方法
技术领域：
：本发明涉及微部件比如微机电系统(MEMS)器件的芯片级封装。
背景技术：
：微部件的恰当封M于确保进出微部件的信号的完整性是重要的，常常决定了组件的M成本和尺度。例如，MEMS器件，比如加速度计以及其它惯性传感器，已应用于各种消费产品包括膝上型电脑、移动电话和手持计算机中。在某些应用中，MEMS器件与信号处理电路制it^同一个晶片上。例如，BiCMOS电路制造工艺可以与表面微加工(micro-machined)MEMS工艺结合。将微部件与电路集成起来能够有助于信号放大和信号处理。制造包封这样的集成MEMS器件的封装的整体工艺可以包括以下步骤i)集成MEMS器件的制造；ii)MEMS器件的晶圆封帽(ca卯ing)工艺；以及iii)将被封帽的MEMS器件组装到封装中。在组装之前对MEMS器件封帽的一个优点是能够降低随后的切割操作的复杂程度。另一个优点是在将晶片附着到例如引线框上时封帽能够保护MEMS器件。在图1中图解了包括MEMS器件的封帽传感器晶片的封装的示意剖面图，其在Felton等人的"ChipScalePackagingofaMEMSAccelerometer"，20似￡7e"ra"/c。附/w"e"伤rec/1"^53;CVm/ere"ce，pp.869-873(2004)中有更详细的描述。对于诸如上面所提到的手持消费产品，一个重要因素是封装的尺度和重量。尽管前面的文献中所描述的技术显著地形成相对较小的封装，但这些技术对于引线框和用于MEMS器件的晶片之间的电连接需^f吏用引线#。包括到引线框的电连接在内的封装的整体占位面积(footprint)大于传感器晶片的占位面积。对于某些应用来i兌，可能希望具有更小的占位面积。
发明内容在一个方面，封装包括传感器晶片以及在所述传感器晶片的外围附近的一个或者多个导电M盘，所述传感器晶片包括耦合到集成电路的微部件。半导体帽结构(semiconductorcapstructure)附着到所述传感器晶片。帽结构的正面通过密封环附着到半导体晶片，以密封地包封传感器晶片的、所述微部件所在的区域。所述传感器晶片上的M盘位于所述密封环所包封的区域之外。沿着半导体帽结构的外侧边#其正面延伸到背面的电引线通过M盘耦合到微部件。在某些实现方式中可以具有下列特征中的一个或者多个。例如，在一种特定的实现方式中，微部件包括MEMS器件，集成电路包括CMOS电路。本发明还可以用于其他微部件和其他电路类型。电引线可以耦合到帽结构的背面的导电盘。所述电引线所沿其)^f申的所述帽结构外侧边缘可以倾斜，以方便沉积所述引线的金属。可以使所述帽结构的背面上的导电盘适合例如印刷电路板上的表面安装。还/>开了本发明的一种制造封装的方法。在某些实现方式中，可以具有下述优点中的一个或者多个。4^>开可有助于将微部件气密地密封在封装中，同时为到微部件的连接提供外部引线。根据本发明的封装可以通it^面安装技术(SMT)附着到印刷电路板上。这样，本发明可以实现封装的相对较小的总体占位面积。在附图和后面的说明中给出了本发明的一种或者多种实施方式的细节。从说明书、附图和权利要求可以明了本发明的其他特征和优点。图l是用于被封帽的传感器晶片的已知封装的示意剖面图；图2是根据本发明用于被封帽的传感器晶片的封装的示意剖面图；图3图解了根据本发明使用的传感器晶片的一个例子；图4图解了才艮据本发明的帽结构的正面；图5图解了根据本发明的帽结构的背面；图6图解了附着到印刷电5^板上的图1、2所示的封装。各图中相似的附图标记表示相似的要素。具体实施方式图2图解了晶片14的例子，其包括CMOS传感器集成电路和MEMS器件，例如加速度计、陀螺仪或者其他惯性传感器。其他类型的MEMS器件也可以与电路集成。如图3所示，MEMS器件12与CMOS集成电路10被制造在同一晶片14上。在图解的例子中，MEMS器件12形成在晶片14的内侧区域16上，晶片14的外围附近的a盘18提供到晶片14和从晶片14引出的电连接。在图解的例子中，在MEMS器件基本上位于晶片中央的意义上，晶片14另_对称的。但是，在别的实现方式中，MEMS器件可以偏离晶片的中央。埋入式或者片上互连可以用来将MEMS器件12与CMOS集成电路10耦合。对于理解本发明，CMOS集成电路的其他细节并不需要，因此在这里不作进一步讨论。尽管这里所讨论的特定例子包括MEMS器件和CMOS电路，但是本发明不限于这些应用。更为一般地，这里所讨论的技术也可以用于除MEMS器件之外的微部件和除CMOS之外的电路。本公开中所用的术语"微部件"包括光学器件、电磁器件、化学器件、微机械器件、銜^L电系统(MEMS)器件或者微光机电系统(MOEMS，micro-optoelectromechanicalsystem)器件或者其他包含微小的、微米和亚微米大小的元件的器件。如图2所示，帽结构(capstructure)20(可以包括硅)覆盖晶片14的一部分，以包封形成有MEMS器件12的传感器区域16。帽结构20在其面对传感器区域16的下侧上具有腔22，以为MEMS器件提供顶部空间。帽结构20的正面上的着落盘(landingpad)24(例如焊盘)电连接到沿着帽结构20的从其背面28向其正面倾斜的侧面延伸的电引线26.帽结构20的背面上的电引线26可以通过着落盘30(例如焊盘)连接到例如印刷电i^板或者其他平台(图2中未图示)。帽结构20可以例如通过焊料密封环32附着到晶片14,以将MEMS器件12气密地密封到被包封区域中。传感器晶片14上的M盘18留在被密封环32密封地包封的区域外面，以便它们可以连接到帽结构20的正面上的着落盘24。密封环32不需要是圆形的，也可以是其他形状。可以^JI热压焊或者其他技术来将帽结构20附着到晶片14上。图4和图5分别图解了针对图2的特定例子的帽结构20的正面和背面。具体地，图4图示了帽结构的包括腔22、密封环32、着落盘24和电引线26的正面的一个例子。图5图解了帽结构20的包括用于附着到印刷电路板的着落盘30和电引线26的背面的一个例子。在其他实现方式中，着落盘和电引线的精确布局和数量可以有所变化。但是，帽结构20的正面上的着落盘24应当被定位成使得当帽结构附着到晶片上时，所述着落盘24与晶片14的外围附近的M盘18对齐(见图3)。从图解的例子明显可见，所得到的封装的占位面积由晶片14的尺寸而不是由帽结构20的尺寸决定。因此，添加帽结构20来包封传感器区域16上的MEMS器件12不需要象其他封帽结构(ca卯ingstructure)那样扩大整个封装的占位面积。在下面的段落中讨论制造包括帽结构20的封装的技术的例子。一开始，可以对硅晶圆进行妙工(micro-machined),使得从晶圆的一侧(例如正面)蚀刻深腔，比如腔22(图1)。M晶圆的相反一侧(也就是背面)蚀刻缝状通孔。通孔与腔的位置相邻地形成。在后面的制造阶段(也就是切割)中，沿着通孔的中间将各封*^目互分离。在图5中，两个通孔34的一部分可以从帽结构20的任一侧看到。可以使用标准的蚀刻技术来形成腔22和通孔34，形成如图2所示的帽结构的倾斜侧边缘。晶圆可以例如通过热氧化工艺来电钝化。在晶圆的正面和背面沉积金属化薄膜(thin-filmmetallization)。金属化薄膜可以包括例如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)和金(Au)，其中，金作为最上层。金属化薄膜形成用于附着到印刷电路板的着落盘30。在该例子中，在所述盘30和用于电引线26的通孔金属化薄膜(through-holemetallization)之间的金属化薄膜仅包括铝和钬。在这些区域中，上层即镍和金被去除。在某些实现方式中，基本上均匀地在晶圆的表面上电化学沉积可电沉积的(electro-depositable)的光致抗蚀剂，并对其进行光刻图案化。图案化的光致抗蚀剂形成电引线26的模子。在一种特定的实现方式中，通孔金属化薄膜包括例如六微米(pm)的金或铜(Cu)以及两微米的锡(Sn)。该金属化薄膜被电化学沉积到抗蚀剂模子中，形成通过所述通孔的多个互连。然后剥离所述抗蚀剂模子。两个随后的光刻(例如可电沉积的光致抗蚀剂)和蚀刻步骤形成用于附着到印刷电路板的着落盘和接合盘与馈通金属化薄膜(feed-throughmetallization)之间的非可软焊区(non國solderableregion)。例如通过回流焊工艺(reflowprocess),将包括帽结构20的晶圆#^到包括CMOS传感器集成电路晶片的晶圆上。用于附着到印刷电路板的焊料可以例如通过丝网印刷(screenprinting)来沉积。然后通过穿过通孔的中间来进行切割，分离被包封的晶片，以形成单个的封装。图6图解了附着到印刷电路板36的图l和2所示的封装。两个封装都被图示为具有相同尺寸的传感器晶片。从图6清楚可见，使用本发明的帽结构20可以形成封装的较小的总体占位面积。因为根据本发明的封装可以通it^面安装技术(SMT)附着到印刷电路板上，传感器晶片14而非帽结构或者电连接的尺寸决定封装的占位面积。上面已描述了本发明的多个实施方式，但是，可以理解，可以做出各种改变而不脱离本发明的精神和范围。因此，别的实现方式也在所附权利要求的范围之内。权利要求1.一种封装，包括传感器晶片，其包括耦合到集成电路的微部件，以及在所述传感器晶片外围附近的一个或者多个导电接合盘；附着到所述传感器晶片的半导体帽结构，其中，所述帽结构的正面通过密封环附着到所述传感器晶片，以密封地包封所述传感器晶片的、所述微部件所在的区域，其中，所述传感器晶片上的接合盘在所述密封环所包封的区域之外；以及通过所述接合盘耦合到所述微部件的电引线，其中，所述电引线沿着所述半导体帽结构的外侧边缘从其正面向其背面延伸。2.如权利要求l所述的封装，其中，所述微部件包括MEMS器件，所述集成电路包括CMOS电路。3.如权利要求1所述的封装，其中，所述帽结构的所述外侧边缘是倾斜的。4.如权利要求1所述的封装，其中，所述电引线耦合到所述帽结构的背面上的导电盘，其中，所述帽结构的背面上的导电盘适于印刷电i^板上的表面安装。5.—种集成电路传感器的封装，包括传感器晶片，其包括微部件、集成电路以及在所述传感器晶片的外围附近的一个或者多个导电M盘；以及附着到所述传感器晶片的半导体帽结构，其中，所述半导体帽结构具有面对所述传感器晶片的正面以及背面，其中，所述帽结构的所述正面通过密封环被附着到所述传感器晶片，以密封地包封所述传感器晶片的、所述微部件所在的区域，以及其中，所述帽结构的所述正面上的导电盘被连接到所述传感器晶片上的一个或者多个^盘，所述帽结构具有侧边缘，侧边缘具有延伸到帽结构的背面的电引线，其中，所述电引线被连接到所述帽结构的所述正面上的导电盘。6.如权利要求5所述的封装，其中，所述微部件包括MEMS器件，所述集成电路包括CMOS电路。7.如权利要求5所述的封装，其中，所述传感器晶片上的接合盘在由所述密封环所包封的区域之外。8.如权利要求5所述的封装，其中，所述密封环包括焊料密封环，在所述帽结构的正面上的导电盘包括着落盘。9.如权利要求5所述的封装，其中，所述帽结构的具有电引线的侧边缘是倾斜的。10.如权利要求5所述的封装，其中，所述电引线耦合到所述帽结构的背面上的导电盘。11.如权利要求10所述的封装，其中，所述帽结构的背面上的导电盘适合在印刷电路板上的表面安装。12.如权利要求5所述的封装，其中，所述半导体帽结构包括硅。13.如权利要求5所述的封装，其中，所述微部件位于晶片表面大约中央位置的区域中。14.如权利要求5所述的封装，其中，所述帽结构的正面包括与所述微部件相对的腔。15.如权利要求5所述的封装，其中所述帽结构的正面包括与所述^t部件相对的腔；所述传感器晶片上的M盘在由所述密封环包封的区域之外，所述密封环包括焊料密封环，所述帽结构正面上的导电盘包括着落盘，所述帽结构的具有电引线的侧边缘是倾斜的，以及所述电引线耦合到所述帽结构的背面上的导电盘。16.如权利要求15所述的封装，其中，所述微部件包括MEMS器件。17.如权利要求16所述的封装，其中，所述集成电路包括CMOS电路。18.—种方法，包括提供具有下述结构的半导体晶圆，该结构包括(i)在所述半导体晶圆第一侧的腔，(ii)从所述半导体晶圆的第一侧延伸到与第一侧相反的第二侧的电引线，其中，所述电引线穿过所述半导体晶圆中的通孔延伸，其中，所述通孔与所述腔位置分开，(iii)在所述半导体晶圆的第一侧上的导电盘，其中，所述导电盘连接到所述电引线，以及(iv)在所述半导体晶圆的第一侧上的密封环；将所述半导体晶圆附着到半导体晶片上，该半导体晶片包括微部件、集成电路和在所述半导体晶片的外围附近的导电^盘，使得所述微部件被密封地包封在由所述密封环限定的区域中，所述半导体晶圆的第一侧上的所述导电盘被电连接到所述传感器晶片的外围附近的#^盘；以及切割所述半导体晶圆，以获得包括所述被密封的微部件的单个封装。19.如权利要求18所述的方法，包括从第一侧蚀刻所述半导体晶圆以形成所述腔；以及从第二侧蚀刻所述半导体晶圆以形成所述通孔。20.如权利要求19所述的封装，包括在所述通孔中提Wt通金属化薄膜以形成所述电引线。21.如权利要求18所述的方法，其中，所述微部件包括MEMS器件，所述集成电路包括CMOS电路。22.如权利要求18所述的方法，其中，切割包括沿着所述通孔切割。23.如权利要求18所述的方法，包括表面安装所述封装。]全文摘要一种封装，包括传感器晶片，其具有耦合到集成电路的微部件比如MEMS器件，其中集成电路可以包括例如CMOS电路；以及在传感器晶片外围附近的一个或者多个导电接合盘。半导体帽结构被附着到所述传感器晶片。所述帽结构的正面通过密封环附着到所述传感器晶片，以密封地包封所述传感器晶片的、微部件所在的区域。所述传感器晶片上的接合盘位于所述由密封环所包封的区域之外。沿着所述半导体帽结构的外侧边缘从其正面向其背面延伸的电引线通过所述接合盘耦合到所述微部件。文档编号B81C1/00GK101243010SQ200680029469公开日2008年8月13日申请日期2006年8月10日优先权日2005年8月11日发明者约亨·库曼,马蒂亚斯·赫谢尔申请人:许密特有限公司