技术总结
本申请公开了一种MEMS器件的制作方法及MEMS器件。该制作方法包括以下步骤：形成基体结构，基体结构包括第一锗层，位于第一锗层上的锗化硅层，贯穿锗化硅层的沟槽，以及位于沟槽的侧壁和锗化硅层的上表面上的第二锗层；形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层；刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层；去除保护膜层。该制作方法先形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层后，再刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层，而该保护膜层能够避免第一锗层被刻蚀去除，从而解决了由于第一锗层被刻蚀而产生切口的问题。
技术研发人员：阮炯明;张冬平;万宇;郑超;莫福成
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201410785492
技术研发日：2014.12.16
技术公布日：2018.04.13