1.一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，其特征在于，步骤如下：
(1)在Si层上沉积一层SiO2薄膜，
(2)刻蚀SiO2薄膜，形成SiO2掩膜；
(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极；
(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜；
(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2掩膜；
(6)Si层第一次干刻；
(7)去除Cr掩膜；
(8)Si层第二次干刻；
(9)绝缘层及SiO2掩膜刻蚀，释放梳齿结构。
2.根据权利要求1所述的一种一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，其特征在于，具体步骤如下：
(1)利用PECVD工艺在Si层上沉积一层SiO2薄膜；
(2)用BOE溶液刻蚀SiO2薄膜，形成SiO2掩膜；
(3)利用反转光刻胶在基片上光刻，然后采用电子束蒸发沉积一层Al薄膜，剥离掉非电极部分的Al薄膜后得到铝电极；
(4)利用反转光刻胶在基片上光刻，然后采用电子束蒸发沉积一层Cr薄膜，剥离部分Cr薄膜后得到Cr掩膜；
(5)采用DRIE刻蚀机去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2掩膜；
(6)采用DRIE刻蚀机进行Si层的第一次干刻；
(7)在硝酸铈铵溶液中腐蚀Cr，去除Cr掩膜；
(8)采用DRIE刻蚀机进行Si层的第二次干刻；
(9)用BOE溶液腐蚀绝缘层同时腐蚀表面SiO2掩膜，释放梳齿结构。