技术总结
本发明公开了一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，步骤如下：(1)利用化学气相沉积工艺在Si层上沉积一层SiO2薄膜，(2)刻蚀SiO2薄膜，(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极；(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜；(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2薄膜；(6)Si层第一次干刻；(7)去除Cr掩膜；(8)Si层第二次干刻；(9)绝缘层刻蚀，释放梳齿结构。采用简单工艺同时制造出等高和不等高垂直梳齿结构，可实现加速度计三轴方向特别是Z轴方向上加速度的检测。
技术研发人员：戴丽萍;宋文平;王志明;许龙来;夏万顺;王姝娅;钟志亲;张国俊
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610627189
技术研发日：2016.08.02
技术公布日：2016.12.21