1.一种MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、取第一SOI硅片，利用干法刻蚀，将第一SOI硅片的顶层硅刻蚀至埋氧层，形成岛状结构；
S2、取第二SOI硅片，第二SOI硅片的顶层硅与第一SOI硅片进行硅硅键合；
S3、在第一SOI硅片的衬底氧化层进行光刻，打开KOH腐蚀窗口，利用KOH腐蚀溶液通过KOH腐蚀窗口进行湿法腐蚀，腐蚀至第一SOI硅片的埋氧层，形成由下至上渐缩的空腔，空腔顶面对应于岛状结构下方，且空腔顶面小于岛状结构；
S4、利用气态HF腐蚀，将空腔暴露出的埋氧层腐蚀干净，形成岛状结构活动间隙以及抗过载结构；
S5、取一片双抛硅片，与第一SOI硅片的衬底进行硅硅键合；
S6、对第二SOI硅片进行湿法腐蚀，去除衬底硅、衬底氧化层与埋氧层，其顶层硅形成敏感薄膜；
S7、在敏感薄膜上制作压敏电阻及电极引线，最后完成MEMS压力传感器的制备。