征。
[0024]如从现有技术已知的，MEMS管芯可包括:第一支架，其经由扭臂连接到MEMS镜面，其中扭臂定义MEMS镜面的第一振荡轴；以及激励线圈，其被固定到MEMS镜面，使得当激励线圈传导电流并且遭受到由磁体提供的磁场时，可使用激励线圈使MEMS镜面关于第一振汤轴振汤。
[0025]如从现有技术已知的，MEMS管芯进一步包括:第二支架，其中第二支架经由定义第二振荡轴的扭杆连接到第一支架，其中第二振荡轴与第一振荡轴正交；以及第二激励线圈，其固定在第一支架上，使得当第二激励线圈传导电流并且遭受到由磁体提供的磁场时，可使用第二激励线圈使第一支架振荡，并且从而使MEMS镜面关于第二振荡轴振荡。
[0026]磁体可包括永久磁体。
[0027]优选地，MEMS管芯将布置成与磁体的第一表面协作。磁体可包括与第一表面相对的第二表面。优选地，第一表面和第二表面是平行的。
[0028]优选地，MEMS管芯将与磁体在其第一表面协作。MEMS管芯可进一步包括与第一表面相对的第二表面。
[0029]所述装置可进一步包括铁磁材料，其布置成围绕所述磁体的周围以便减少从所述装置泄露的磁场量。优选地，铁磁材料布置成围绕磁体的整个周围。
[0030]所述装置可包括铁磁材料，其布置成围绕磁体的周围和MEMS管芯的周围，以便减少从装置泄露的磁场量。优选地，铁磁材料布置成围绕磁体和MEMS管芯的整个周围。
[0031]优选地，铁磁材料配置成延伸到由MEMS管芯定义的平面之上。优选地，铁磁材料可配置成延伸到MEMS管芯的第二表面之上。有利地，这将确保MEMS管芯的MEMS镜面区中的磁场将在力匀质性方面和分布方面更均匀。
[0032]磁体可包括第一表面。MEMS管芯可与磁体的第一表面协作。磁体可包括与第一表面相对的第二表面。优选地，第一表面和第二表面是平行的。
[0033]“协作”在本发明的上下文中包含但不限于连接、邻接和支撑。
[0034]磁体可包括一个或多个削边。有利的是，这将减小装置的大小。
[0035]优选地，削边被削成与由磁体表面定义的平面成45°角。优选地，削边被削成与由磁体的第二表面定义的平面成45°角。
[0036]磁体可包括斜切边。优选地，斜切边被斜切成与由磁体的第二表面定义的平面成45。角。
[0037]磁体可布置在投影装置中，并且可沿其削边或斜切边固定在投影装置中。
[0038]装置可进一步包括第二 MEMS管芯。第二 MEMS管芯可与磁体协作，使得第二 MEMS管芯浸没在由磁体提供的磁场中。第二 MEMS管芯可具有上面提到的第一 MEMS管芯的其中一些或所有特征。
[0039]第一 MEMS管芯可配置成具有关于第一振荡轴振荡的MEMS镜面，并且第二 MEMS管芯可配置成具有关于第二振荡轴振荡的MEMS镜面，其中第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯定位成使得第一振荡轴和第二振荡轴正交，并且使得它们的相应MEMS镜面彼此进行光通信，使得由第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯的MEMS镜面反射的光可在两个维度扫描。
[0040]第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯优选定位在磁体上。磁体可配置成包括第一和第二三角形横截面部分，每个三角形横截面部分包括具有第一磁化方向的第一部分和具有第二磁化方向的第二部分。第一磁化方向优选与第二磁化方向相反。第一 MEMS管芯优选定位在第一三角形横截面部分上，并且第二 MEMS管芯优选定位在第二三角形横截面部分上。第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯优选定位成使得它们基本上彼此面对。第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯优选定位成使得它们彼此光通信。优选地，磁体成形成使得允许如此定位第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯。例如，磁体可配置成包含具有V形开口的方形或矩形的横截面，使得第一 MEMS管芯和第二 MEMS管芯可定位在定义V形开口的磁体的相对表面上。
[0041]装置可进一步包括多个MEMS管芯。每一个MEMS管芯可与磁体协作，使得每一个MEMS管芯浸没在由磁体提供的磁场中。每一个MEMS管芯可具有上面提到的第一 MEMS管芯的其中一些或所有特征。
[0042]优选地，磁体可配置成具有多个表面，并且多个MEMS管芯中的每个都将与不同表面协作。例如，磁体可配置成具有矩形横截面，使得它具有至少三个表面，并且三个MEMS管芯之一可与相应表面协作。类似地，磁体可配置成包括六个表面或任何数量的表面，例如，磁体可配置成具有六边形横截面，使得它具有六个表面，并且可能具有定位在六个表面中的每个表面上的一个MEMS管芯。
[0043]磁体可包括各向同性材料。
[0044]磁体可包括各向异性材料。
[0045]如所讨论的，磁体可配置成包括具有第一磁化方向的第一部分和具有第二磁化方向的第二部分。
[0046]磁体可配置成进一步包括具有第三磁化方向的第三部分和具有第四磁化方向的第四部分。
[0047]磁体可配置成进一步包括具有等于第一磁化方向的磁化方向的第五部分。
[0048]磁体可配置成具有方形横截面。
[0049]磁体可配置成包括具有V形开口的方形或矩形横截面。
[0050]磁体可配置成具有矩形横截面。
[0051]磁体可配置成具有U形横截面。
[0052]磁体可配置成进一步包括一个或多个凸缘。
[0053]MEMS管芯可布置成使得它部分由磁体包围。在此情况下，磁体可配置成使得至少一部分磁体围绕MEMS管芯的周围。为了达成这个，磁体例如可配置成包括可容纳MEMS管芯的凹处。
[0054]MEMS管芯可布置成使得它被支撑在磁体的第一表面上。
[0055]磁体可配置成包括将允许MEMS管芯的MEMS镜面经受完全振荡的凹处。磁体可配置成包括当MEMS镜面振荡时可容纳MEMS管芯的MEMS镜面的至少一部分的凹处，以便MEMS管芯的MEMS镜面经受完全振荡。凹处将允许MEMS管芯的MEMS镜面经受不受约束的振荡。
[0056]MEMS管芯的MEMS镜面可包括第一反射表面和第二反射表面。第一反射表面和第二反射表面可定义MEMS镜面的相对表面。
[0057]磁体可进一步包括孔径，其邻近MEMS管芯的MEMS镜面，其使光能够通过磁体并由MEMS镜面的第二表面接收。
[0058]磁体可配置成包括具有第一磁化方向的第一部分、具有第二磁化方向的第二部分、具有等于第一磁化方向的磁化方向的第三部分以及具有等于第二磁化方向的磁化方向的第四部分。
[0059]第一、第二、第三和第四部分可沿平行于管芯平面的平面是I形的。换句话说，第一、第二、第三和第四部分中的每个部分都可配置成具有I形横断面。换句话说，第一、第二、第三和第四部分中的每个部分都可配置成具有矩形横断面。备选地，第一、第二、第三和第四部分中的每个部分都可配置成具有方形横断面。将理解到，第一、第二、第三和第四部分中的每个部分都可配置成具有任何适合形状的横断面。
[0060]第一部分可配置成使得它是C形的，并且第四部分配置成使得它沿平行于管芯平面的平面是反C形的。换句话说，第一部分可配置成使得具有C形横断面，并且第四部分可配置成具有反C形横断面。
[0061]磁体可配置成使得MEMS装置中的第一激励线圈邻近第一部分与第二部分之间的界面，并且邻近第三部分与第四部分之间的界面。每个界面可由相应部分之间的接合处定义。
[0062]磁体可配置成进一步包括具有等于第一磁化方向的磁化方向的第五部分、以及具有等于第二磁化方向的磁化方向的第六部分、以及具有等于第一磁化方向的磁化方向的第七部分以及具有等于第二磁化方向的磁化方向的第八部分。
[0063]第五、第六、第七和第八部分可沿平行于管芯平面的平面是I形的。换句话说，第五、第六、第七和第八部分中的每个部分都可配置成具有I形横断面。换句话说，第五、第六、第七和第八部分中的每个部分都可配置成具有矩形横断面。第五、第六、第七和第八部分中的每个部分都可配置成具有方形横断面。将理解到，第五、第六、第七和第八部分中的每个部分都可配置成具有任何适合形状的横断面。
[0064]第五部分可配置成具有C形，并且第八部分可配置成沿平行于管芯平面的平面具有反C形。换句话说，第五部分可配置成具有C形横断面，并且第八部分可配置成具有反C形横断面。
[0065]磁体可配置成使得MEMS管芯上的第二激励线圈邻近第五部分与第六部分之间的界面，并且邻近第七部分与第八部分之间的界面。每个界面可由相应部分之间的接合处定义。
[0066]磁体可进一步包括缩减厚度的一个或多个区域，它们提供了缩减厚度的一个或多个区域的区中磁场的减小。优选地，缩减厚度的一个或多个区域提供了缩减厚度的一个或多个区域的区中的基本上O或O磁场。缩减厚度的区域可由一个