或多个沟道定义。
[0067]磁体可配置成包括位于第六部分与磁体中心部分之间界面处的缩减厚度的区域，中心部分包括磁体的第一、第二、第三和第四部分。例如，磁体可配置成包括位于第六部分与磁体中心部分之间界面处的沟道，中心部分包括磁体的第一、第二、第三和第四部分。
[0068]磁体可配置成包括位于第七部分与磁体中心部分之间界面处的缩减厚度的区域，中心部分包括磁体的第一、第二、第三和第四部分。例如，磁体可配置成包括位于第七部分与磁体中心部分之间界面处的沟道，中心部分包括磁体的第一、第二、第三和第四部分。
【附图说明】
[0069]在仅作为示例给出并且通过附图图示的实施例的描述的帮助下将更好地理解本发明，附图中:
图1a和Ib分别提供了从现有技术已知的MEMS微镜面装置的侧视图和平面图；
图2提供了从现有技术已知的另一 MEMS管芯的平面图，其可用在图1的装置中；
图3提供了根据本发明第一实施例的装置的侧视图；
图4提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图5提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图6提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图7a、7b、7c提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图，并且具体地说图示了磁体可具有的不同的可能形状；
图8a提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图8b提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图9a和9b提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图1Oa和1b提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图11提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图；
图12a提供了根据本发明另外实施例的装置的底侧的平面图，并且图12b提供了图12a的沿A-A’的横截面视图；
图13a提供了根据本发明另外实施例的在装置中使用的磁体的平面图；图13b提供了使用在图13a中示出的磁体的装置的横截面视图；
图14提供了根据本发明另外实施例的在装置中使用的磁体的平面图； 图15提供了根据本发明另外实施例的装置的侧视图。
【具体实施方式】
[0070]图3提供了根据本发明第一实施例的装置30的侧视图。装置30包括MEMS管芯31和单个多极磁体32。MEMS管芯31与单个多极磁体32协作，使得提供在MEMS管芯31的MEMS镜面上的激励线圈(未示出)浸没在由磁体32提供的磁场“B”中。
[0071]MEMS管芯31可包括图1b和图2中示出的MEMS管芯10、20的其中一些或所有特征。MEMS管芯31在其第一支架和第二支架(未示出)连接到磁体32。
[0072]MEMS管芯31布置成与磁体32的第一表面35协作。磁体32包括与第一表面35相对的第二表面36。磁体32配置成使得第一表面35和第二表面36彼此平行。MEMS管芯32还包括第一表面37、第二表面38。MEMS管芯的第一表面37与磁体32的第一表面35协作。MEMS管芯的第二表面38与第一表面37相对。MEMS管芯配置成使得MEMS管芯31的第一表面37和第二表面38彼此平行。
[0073]提供在装置I中的单个磁体32是多极磁体32。磁体32配置成具有第一部分33和第二部分34，第一部分33具有第一磁化方向，第二部分34具有第二磁化方向。磁化方向由提供在每个部分33、34中的箭头指示。第一磁化方向与第二磁化方向相反。
[0074]在本申请中，磁化方向是磁通量/磁场的方向。将理解到，磁化方向由磁极定位定义，例如，对于具有第一部分33和第二部分34 (第一部分33具有第一磁化方向，第二部分34具有第二磁化方向)的磁体32，则第一部分33必须包括北磁极和南磁极(未示出)，并且第二部分34必须包括北磁极和南磁极(未示出)。图3中示出的装置30的磁体32因此包括至少四个磁极:两个北磁极和两个南磁极；一个磁极对将位于第一部分33中，并且第二磁极对将位于第二部分34中。对于与第二部分的磁化方向相反的第一部分的磁化方向，第一部分中磁极的布置可与第二部分中磁极的布置相反。
[0075]磁体32配置成具有矩形横截面，并且可包括各向同性材料或各向异性材料。在图3中图示的具体示例中，磁体32包括各向异性材料。如果磁体32包括各向异性材料，则磁体32的第一部分33、第二部分34可配置成仅具有两个可能磁化方向之一。有利地，如果磁体32将包括各向同性材料，则磁体32的第一部分33和第二部分34可能被提供有任何磁化方向。
[0076]有利的是，当装置30使用单个磁体32时，制造装置30不需要连接多个磁化磁体以形成磁体组件，或者打磨磁组件中的多个磁化磁体以确保组件中的每个磁体都具有相等尺寸。
[0077]图4提供了根据本发明另一实施例的投影装置40的侧视图。装置40具有图3中示出的装置I的许多相同特征，并且相似特征被给予了相同附图标记。
[0078]装置40进一步包括铁磁材料43，其布置成围绕单个多极磁体的周围41以便减少从装置40泄露的磁场“B”的量。在装置40中，铁磁材料43布置成围绕磁体32的整个周围41。
[0079]在使用期间，铁磁材料43将引导磁通量/磁场“B”，其否则将从装置40的侧面45、46泄露，回到磁体32。这具有MEMS管芯31将暴露于更强磁通量/磁场“B”的优点。更进一步说，当装置40用于各种应用时，诸如当装置40用在电子装置(例如投影装置)中时，位于装置40附近的其它部件将经历较小磁通量/磁场“B”。
[0080]图5提供了根据本发明另一实施例的投影装置50的侧视图。装置50具有图4中示出的装置40的许多相同特征，并且相似特征被给予了相同附图标记。
[0081 ] 装置50进一步包括铁磁材料43，其布置成围绕单个多极磁体32的周围41和MEMS管芯31的周围51，以便减少从装置50泄露的磁通量/磁场“B”的量。
[0082]铁磁材料43配置成延伸到MEMS管芯31的第二表面38之上。有利地，这将确保MEMS管芯31区中(从而还在MEMS镜面区中，以及第一和/或第二激励线圈)的磁通量/磁场"b"将在力匀质性方面和分布方面更均匀。
[0083]图6提供了根据本发明另一实施例的装置60的侧视图。装置60具有图3中示出的装置30的许多相同特征，并且相似特征被给予了相同附图标记。
[0084]装置60包括MEMS管芯31和单个多极磁体32，其包括削边62a、62b。有利地，削边62a、62b将减小装置60的大小和体积。例如，装置60可沿其削边62a、62b中的至少一个固定到表面；削边62a、62b将减小MEMS管芯31上的表面与镜面之间的距离，从而提供更紧凑的装置60。
[0085]削边62a、62b被削成与由磁体32的第二表面36定义的平面39成45°角。
[0086]装置60可沿其削边62a、62b中的至少一个锚定；装置60例如在扫描或投影装置中可使用涂敷到削边62a、62b的胶水(或某种其它适合的连接部件)沿其削边62a、62b中的至少一个销定。
[0087]将理解到，在此说明书中提到的每一个装置都可用于各种应用；例如，装置可形成投影装置的一部分。
[0088]图7a、7b、7c示出了在图3-6中示出的任何装置30、40、50、60中使用的单个多极磁体32的其它可能形状。
[0089]图7a示出了包括斜切边71a、71b的单个多极磁体32。斜切边71a、71b被斜切与由磁体32的第二表面36定义的平面39成45°角β。
[0090]图7b示出了包括单个斜切边75的单个多极磁体32。MEMS管芯31在此实施例中布置成与单个斜切边75协作。应该理解，MEMS管芯31可布置成与磁体32的任何表面协作。
[0091]图7c示出单个多极磁体32可配置成具有矩形横截面。第一 MEMS管芯31a提供在磁体32的第一表面76上，并且第二 MEMS管芯31b提供在磁体32的第二表面78上，使得提供在第一 MEMS管芯31a和第二 MEMS管芯31b中每个的MEMS镜面上的激励线圈浸没在由磁体32提供的磁场“B”中。
[0092]图8a提供了根据本发明另外实施例的装置80的侧视图。装置80具有先前实施例的装置30、40、50、60的许多相同特征，并且相似特征被给予了相同附图标记。
[0093]在装置80中，单个多极磁体32配置成包含具有V形开口 81的矩形横截面。磁体32从而有效地配置成包括第一三角形横截面部分82和第二三角形横截面部分83。每个三角形横截面部分82、83包括具有第一磁化方向的第一部分84a、84b (未不出)和具有第二磁化方向的第二部分85a、85b ;第一磁化方向与第二磁化方向相反。应该指出，第一三角形横截面部分82的