14提供了根据本发明另外实施例的在装置中使用的单个多极磁体32的平面图。将理解到，包括图2的MEMS管芯的特征的MEMS管芯31将布置成与磁体32协作。
[0119]单个多极磁体32配置成包括具有第一磁化方向的第一部分131、具有第二磁化方向的第二部分132、具有等于第二磁化方向的磁化方向的第三部分133以及具有等于第一磁化方向的磁化方向的第四部分134。磁体32进一步配置成包括具有等于第二磁化方向的磁化方向的第五部分145、以及具有等于第一磁化方向的磁化方向的第六部分146、以及具有等于第二磁化方向的磁化方向的第七部分147以及具有等于第一磁化方向的磁化方向的第八部分148。
[0120]可选地，第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134可配置成具有图13中示出的装置130的第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134的其中一些或所有特征。在图14中，第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134显示为各具有方形横断面。
[0121]如图14中所图示的，第五部分145、第六部分146、第七部分147和第八部分148各包括矩形横断面。将理解到，第五部分145备选地可具有C形横断面，并且第八部分148备选地可具有反C形横断面，类似于图13中示出的第一部分131和第四部分134。
[0122]第一界面135将存在于第一部分131与第二部分132之间。第二界面136将存在于第三部分133与第四部分134之间。第三界面142将存在于第五部分145与第六部分146之间，并且第四界面143将存在于第七部分147与第八部分148之间。第五部分145、第六部分146、第七部分147和第八部分148尺寸定成使得第三界面142和第四界面143至少邻近在与磁体32协作的MEMS管芯31 (未示出)的第一支架上提供的第二激励线圈(未示出)的部分。在这个实施例中，由磁体32生成的磁场“B”将有助于减少由于不想要的振动模式和/或交叉磁耦合效应而引起的寄生运动(即，生成的激励一个特定轴的磁场正在提供一些能量以产生另一轴的寄生激励)。尽管示出了界面142、143，但应该记住，部分145、146、147,148由单个磁体定义，并且界面仅简单地由相应部分之间的接合处定义。
[0123]将理解到，如果第五部分145配置成具有C形横断面，并且第八部分148配置成具有反C形横断面，则第五部分145、第六部分146、第七部分147和第八部分148尺寸可定成使得第三界面142和第四界面143邻近在MEMS管芯31的第一支架上提供的第二激励线圈的整个长度。
[0124]图15提供了根据本发明另外实施例的装置150的侧视图。装置150包括与图14中示出的单个多极磁体32具有相同特征的单个多极磁体32。具有图2中示出的MEMS管芯的相同特征的MEMS管芯31与磁体32的第一表面35协作。
[0125]磁体32进一步包括缩减厚度的区域，该区域由提供在单个多极磁体32中的沟道153、154定义。第一沟道153提供在第六部分146与磁体32的中心部分151之间的界面155 (磁体32的中心部分是磁体32的部件，其包括第一部分131、第二部分132、第三部分131和第四部分134)。第二沟道154提供在第七部分147与磁体32的中心部分151之间的界面156。
[0126]沟道153、154将减小沟道区中的磁场。优选地，沟道153、154将在沟道区中提供基本上O或者O磁场。从而，第一沟道153将有助于减少磁场从第五部分145和第六部分146到磁体32的中心部分151的泄漏，并且第二沟道154将有助于减少磁场从第七部分147和第八部分148到磁体32的中心部分151的泄漏。应该理解到，磁场基本上为O的这个区可通过物理移除部分磁材料或者还在磁体磁化过程期间通过使用设计成避免在磁化其它部分时磁化部分磁体的磁化工具来生成。因此，换句话说，可将磁体32设计成使得它在界面155、156具有零磁化，而不是提供缩减厚度或沟道区。事实上，工具可设计成产生仅对应于(在磁体应该被磁化的情况下)剩余未磁化的磁体区域的其余部分的特定磁场，因为它未遭受由磁化工具产生的磁场。
[0127]对本发明的所描述实施例的各种修改和改变对本领域技术人员将是显而易见的，而不脱离如在所附权利要求书中所定义的本发明的范围。尽管已经结合特定优选实施例描述本发明，但应该理解，所要求保护的发明不应过度限于此类特定实施例。
【主权项】
1.一种装置，包括: MEMS管芯；以及 单个磁体，其中所述MEMS管芯与所述磁体协作，使得所述MEMS管芯上的激励线圈浸没在由所述磁体提供的磁场中； 其中所述磁体是多极磁体。2.如权利要求1所述的装置，其中所述磁体配置成至少具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一磁化方向，所述第二部分具有第二磁化方向。3.如权利要求1或2所述的装置，其中所述装置进一步包括铁磁材料，其布置成围绕所述磁体的周围以便减少从所述装置泄露的磁场量。4.如权利要求3所述的装置，其中所述铁磁材料配置成延伸到由所述MEMS管芯定义的平面之上。5.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述磁体包括一个或多个削边以便减小所述装置的大小。6.如前述权利要求中任一项所述的装置，进一步包括与所述磁体协作的第二MEMS管芯，使得所述第二 MEMS管芯浸没在由所述磁体提供的磁场中。7.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述磁体配置成具有U型横截面。8.如权利要求7所述的装置，其中所述磁体进一步包括一个或多个凸缘。9.如权利要求7或8所述的装置，其中MEMS管芯布置成使得它部分由所述磁体包围。10.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述磁体配置成包括具有第一磁化方向的第一部分、具有第二磁化方向的第二部分、具有等于所述第一磁化方向的磁化方向的第三部分以及具有等于所述第二磁化方向的磁化方向的第四部分，并且其中所述第一部分具有C形横断面，并且所述第四部分是反C形横断面，并且其中所述磁体配置成使得所述MEMS管芯上的第一激励线圈邻近所述第一部分与第二部分之间的第一界面，并且邻近所述第三部分与第四部分之间的第二界面。11.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述磁体配置成包括具有第一磁化方向的第一部分、具有第二磁化方向的第二部分、具有等于所述第二磁化方向的磁化方向的第三部分以及具有等于所述第一磁化方向的磁化方向的第四部分、具有等于所述第二磁化方向的磁化方向的第五部分以及具有等于所述第一磁化方向的磁化方向的第六部分以及具有等于所述第二磁化方向的磁化方向的第七部分以及具有等于所述第一磁化方向的磁化方向的第八部分，并且其中所述磁体配置成使得所述MEMS管芯上的第一激励线圈邻近所述第一部分与第二部分之间的第一界面，并且邻近所述第三部分与第四部分之间的第二界面，并且其中所述磁体配置成使得所述MEMS管芯上的第二激励线圈邻近所述第五部分与第六部分之间的第三界面，并且邻近所述第七部分与第八部分之间的第四界面。12.如权利要求1-9中任一项所述的装置，其中所述磁体配置成进一步包括具有第三磁化方向的第三部分和具有第四磁化方向的第四部分以及具有等于所述第一磁化方向的第五磁化方向的第五部分。13.如权利要求1-7中任一项所述的装置，其中所述磁体配置成包括第一和第二三角形横截面部分，每个三角形横截面部分包括具有第一磁化方向的第一部分和具有第二磁化方向的第二部分；并且其中第一 MEMS管芯布置成与所述第一三角形横截面部分协作，使得它被浸没在由所述第一三角形横截面部分生成的磁场中，并且第二 MEMS管芯布置成与所述第二三角形横截面部分协作，使得它被浸没在由所述第二三角形横截面部分生成的磁场中，并且其中所述第一和第二 MEMS管芯定位成使得它们彼此进行光通信。14.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中MEMS管芯的MEMS镜面包括第一和第二反射表面，其中所述第一和第二反射表面定义所述MEMS镜面的相反表面，并且其中所述磁体进一步配置成包括定义在其中的孔径，其中所述孔径邻近所述MEMS镜面，使得所述孔径使光能够通过所述磁体并且由所述镜面的所述第二反射表面接收。15.如前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述磁体进一步包括缩减厚度的一个或多个区域，它们提供了沟道区中磁场的减小。
【专利摘要】根据本发明，提供了包括MEMS管芯和单个磁体的装置，其中MEMS管芯与磁体协作，使得MEMS管芯浸没在由磁体提供的磁场中，其中磁体是单个多极磁体。
【IPC分类】B81B3/00, G02B26/08
【公开号】CN104955766
【申请号】CN201280077991
【发明人】J.加梅, F.赫查纳, N.阿贝尔
【申请人】英特尔公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2012年10月25日
【公告号】US20150288268, WO2014063737A1