定。
【主权项】
1. 一种陶瓷基板表面金属化的方法，包括： 51、 镀鈦钨铜:在陶瓷基板表面依次进行镀鈦钨和镀铜处理，处理条件为:真空度1 X 10 -8，基片温度 150-200°C，氩压4 X 10-3torr，偏压-200V，时间30min，膜厚：鈦钨0 · 05-0 · lum， 铜0·5_lum; 52、 脱脂：将S1所得基板放入脱脂液中，温度25°C_35°C，脱脂5min-10min后取出，用去 离子水冲洗4-6次;其中，每1L脱脂剂包含酸性脱脂剂80-120ml、硫酸150-250ml，其余为水； 53、 酸化腐蚀:将S2所得基板放入腐蚀液中，室温下酸化腐蚀20-40S后，用去离子水冲 洗2-3次;其中，每1L腐蚀液包含过硫酸钠150-250g、硫酸30-50ml，其余为水； 54、 酸化处理：将S3所得基板放入浓度为10-30vol %的硫酸溶液中，室温下酸化60-120s，然后取出放入浓度为10-30vol %的盐酸溶液中，室温下进行二次酸化，时间60-120S， 酸化处理后用去离子水冲洗4-6次； 55、 贴膜:将S4所得基板进行贴膜，温度105-115°C，转速12.5mm/s，压力0.35Mpa，贴膜 完毕后，冷却30min; 56、 下底铜镀铜:将S5所得基板置于镀液I中，于温度22-28°C反应15-25min，控制膜厚 在3-5微米;其中，每1L镀液I包含硫酸铜60-110g、硫酸160-200g、氯离子40-60mg、整平剂2-4ml、光亮剂0.05-0.15ml，其余为水； 57、 线路铜镀铜:将S6所得基板置于镀液I中，于温度22-28 °C进行镀铜，镀铜结束后，取 出基板用去离子水冲洗4-6次;其中，每1L镀液I包含硫酸铜60-110g、硫酸160-200g、氯离子 40-60mg、整平剂2-4ml、光亮剂0.05-0.15ml，其余为水； 58、 第一次镀镍:将S7所得基板置于镀液Π 中，电流l-3A/dm2，温度45-55 °C，反应10-20min，控制膜厚在3-9微米;其中，每1L镀液Π 包含氨基磺酸镍250-300g、氯化镍8-14g、硼 酸35-45g、润湿剂1-2.5ml、开缸剂3-7ml，其余为水，镀液Π 的pH值为3-4.5; 39、第二次镀镍:将58所得基板置于镀液111中，电流1-34/(11112，温度45-55°(：，反应12〇 8， 镀镍结束后，取出基板用去离子水冲洗4-6次;其中，每1L镀液ΙΠ 包含氨基磺酸镍250-300g、 氯化镍8-14g、硼酸35-45g、润湿剂1-2.51111、开缸剂3-71111、含磷添加剂3-71111，其余为水，镀 液ΙΠ 的pH值为3.5-5; S10、预镀金:将S9所得基板置于镀液IV中，电压2.8-3.2V，反应时间30s;其中，每1141 液IV包含氰化金钾0.5-1.58、柠檬酸2-68、柠檬酸钾60-7(^，其余为水，镀液1￥的？!1值为 3.8-5.4，比重8-158〇 ; SI 1、镀金：将S10所得基板置于镀液V中，电流0.1-0.3A/dm2，温度63-71°C，反应4-6min，以控制膜厚在0.2-0.5微米，镀金结束后，取出基板用去离子水冲洗4-6次;其中，每1L 镀液V包含氰化金钾3-5g、开缸剂5ml、柠檬酸盐30-45g、光亮剂3-6ml，其余为水，镀液V的 pH 值为 5-6.5，比重12-188〇; 512、 去膜:将S11所得基板用浓度为10-30g/L的KOH溶液进行去膜处理，处理温度50-60 °C ;去膜完毕后，用去离子水冲洗基板4-6次，每次冲洗时间3-5min; 513、 蚀刻：用蚀刻液对S12所得基板进行蚀刻，下底铜层的蚀刻速度1.5-4m/min，线路 铜层的蚀刻速度4-5.5m/min，蚀刻温度45-55°C;其中，每1L蚀刻液包含亚氯酸钠150ml、硫 酸铵150g、碳酸铵70g、氯化铵30g、氨水250ml，其余为水； 514、 退钛钨:将S13所得基板用双氧水进行退钛钨处理，温度50-60°C，时间15s; 515、 脱水:将S14所得基板用无水乙醇进行脱水处理30s，然后于50-70°C干燥2min，再 于 120-210°C 真空干燥 120-240min; 516、 封闭：将S15所得基板用浓度为10vo 1 %的TL-CS溶液进行封闭处理，温度38-42 °C， 时间3-1〇8，然后用去离子水冲洗基板4-6次，最后于5〇-70<€干燥2111；[11，即得。2. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S4酸 化处理:将S3所得基板放入浓度为20vol %的硫酸溶液中，室温下酸化90s，然后取出放入浓 度为20vol%的盐酸溶液中，室温下进行二次酸化，时间90s，酸化处理后用去离子水冲洗4 次。3. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S6下 底铜镀铜:将S5所得基板置于镀液I中，于温度25 °C反应20min，控制膜厚在3~5微米;其中， 每1L镀液I包含硫酸铜80g、硫酸180g、氯离子50mg、整平剂3ml、光亮剂0.1ml，其余为水。4. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S7线 路铜镀铜:将S6所得基板置于镀液I中，于温度25°C进行镀铜，镀铜结束后，取出基板用去离 子水冲洗4次;其中，每1L镀液I包含硫酸铜80g、硫酸180g、氯离子50mg、整平剂3ml、光亮剂 0.1ml，其余为水。5. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S8第 一次镀镍:将S7所得基板置于镀液Π 中，电流2A/dm2，温度50°C，反应15min，控制膜厚在3~ 9微米；其中，每1L镀液Π 包含氨基磺酸镍280g、氯化镍12g、硼酸40g、润湿剂2ml、开缸剂 5ml，其余为水，镀液Π 的pH值为3.8-4.5。6. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S9第 二次镀镍:将S8所得基板置于镀液ΙΠ 中，电流2A/dm2，温度50°C，反应120s，镀镍结束后，取 出基板用去离子水冲洗4次;其中，每1L镀液ΙΠ 包含氨基磺酸镍280g、氯化镍12g、硼酸40g、 润湿剂2ml、开缸剂5ml、含磷添加剂5ml，其余为水，镀液ΙΠ 的pH值为3.8-4.5。7. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S10 预镀金:将S9所得基板置于镀液IV中，电压3.0V，反应时间30s;其中，每1L镀液IV包含氰化 金钾lg、梓檬酸4g、梓檬酸钾65g，其余为水，镀液IV的pH值为4-5,比重ll-13Be。8. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤SI 1 镀金:将S10所得基板置于镀液V中，电流0.2A/dm2，温度65°C，反应5min，以控制膜厚在0.3 ~0.5微米，镀金结束后，取出基板用去离子水冲洗6次;其中，每1L镀液V包含氰化金钾4g、 开缸剂5ml、柠檬酸盐35g、光亮剂4ml，其余为水，镀液V的pH值为5~6,比重12~15Be。9. 根据权利要求1所述的一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于:所述步骤S14 退钛钨:将S13所得基板用双氧水进行退钛钨处理，温度55 °C，时间15s。
【专利摘要】本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括：镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀铜、线路铜镀铜、第一次镀镍、第二次镀镍、预镀金、镀金、去膜、蚀刻、退钛钨、脱水，以及封闭。本发明通过调整陶瓷基板金属化膜系工艺，将现有的金铬层金属化膜系调整为钛钨层金属化膜系，缩短了产品生产周期，提高了产品的最终良品率，且进一步满足了客户对精细线路板(线距0.08毫米)的需求。
【IPC分类】C25D3/48, C23F1/44, C25D3/12, C23C28/02, C25D5/14, C25D3/38
【公开号】CN105624749
【申请号】CN201610182149
【发明人】施士超, 高小彬, 贺贤汉, 王松
【申请人】上海申和热磁电子有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月28日