。
[0141]具有100毫秒持续时间的电流脉冲41足以将部段22去磁化。磁通密度43接近0特斯拉，在这里，部段21中的磁通密度42只以50毫特斯拉来被减小到约-0.25特斯拉。
[0142]因此，基于流道3内的均匀磁化，通过具有仅为100 μ s持续时间的电流脉冲41在流道3内通过部段22提供了实际无场区域，它相当于根据现有技术的阻尼器的旁路，而部段21在脉冲41情况下还是几乎保持完全磁化。
[0143]但又是基于两个部段21、22的最大负磁化，也可以通过持续时间为400 μ s的电流脉冲44将该部段22最大正磁化。磁通密度46几乎保持一样高，但极化相反。但相同的电流脉冲44恰好足以几乎将部段21去磁化，从而使得磁通密度45约为0特斯拉。
[0144]这两个例子示出了这两个部段21、22可以彼此无关地被磁化到任何值或者还可转换极性。根据磁化情况，为此或许可能需要多个脉冲，例如用于首先使在此构成“慢极”的部段21被理想磁化，进而适应调整在此构成“快极”的部段22的磁化。
[0145]在图8中只示出直接在部段21、22上的各自场强的时间曲线。在流道3内，根据部段21、22的结构并根据脉冲调节出横向于流动方向5的相应磁场。
[0146]附图标记列表
[0147]1阀门装置；
[0148]2磁流变流体/介质；
[0149]3 流道；
[0150]4流动横截面；
[0151]5流动方向；
[0152]6流道宽度；
[0153]7控制装置；
[0154]8磁路机构；
[0155]9 磁场；
[0156]10电线圈；
[0157]11硬磁性磁体构件；
[0158]12硬磁性磁体构件；
[0159]13磁脉冲；
[0160]14磁脉冲；
[0161]15磁脉冲；
[0162]16磁场分布；
[0163]17磁场分布；
[0164]18磁场分布；
[0165]19铁磁性材料；
[0166]20铁磁性材料；
[0167]21 部段；
[0168]22 部段；
[0169]23 构件；
[0170]24实心体；
[0171]25 构件;
[0172]26层状材料；
[0173]27流通区段，旁路；
[0174]28过渡区段；
[0175]29闭锁区段；
[0176]31导体回路；
[0177]32导体回路；
[0178]33导体回路；
[0179]34 绕组；
[0180]35电线圈；
[0181]36 (磁脉冲13-15的)长度；
[0182]37 (磁脉冲13-15的)强度；
[0183]38 芯；
[0184]39 层；
[0185]41 脉冲(100 μ s)；
[0186]42部段21的磁通密度；
[0187]43部段22的磁通密度；
[0188]44 脉冲(400 μ s)；
[0189]45部段21的磁通密度；
[0190]46部段22的磁通密度；
[0191]100 阻尼器；
[0192]101 端;
[0193]102 端;
[0194]103 壳体；
[0195]104 活塞杆；
[0196]105 活塞；
[0197]106第一阻尼腔；
[0198]107第二阻尼腔；
[0199]108 缆线。
【主权项】
1.一种阀门装置(1)，该阀门装置包括至少一个被磁流变介质(2)流经的流道(3)和用于在所述流道(3)内提供磁场(9)的磁路机构(8)，其中，设有控制装置(7)，并且所述磁路机构(8)包括至少一个硬磁性磁体构件(11，12)和至少一个能被所述控制装置(7)控制的电线圈(10)，其特征在于，所述磁路机构(8)具有至少两个部段(21，22)，该至少两个部段的动态磁特性是不同的，从而能通过能够由所述电线圈(10)输出的磁脉冲(13)在所述流道(3)内调节所述磁场(9)的预定的不均匀性并且该不均匀性能持久存储在所述硬磁性磁体构件(11，12)中。2.根据权利要求1所述的阀门装置(1)，其中，至少一个部段(21，22)配属有至少一个导体回路(31，32，33)。3.根据权利要求2所述的阀门装置(1)，其中，至少一个导体回路(31，32，33)具有至少一个绕组(34)。4.根据权利要求2或3所述的阀门装置(1)，其中，至少一个导体回路(31，32，33)被短路。5.根据权利要求4所述的阀门装置(1)，其中，至少两个导体回路(31，32，33)相互电连接。6.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)由具有不同的电特性或磁特性的材料(18，19)构成。7.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，部段(21)的至少一部分(23)包括实心构成的铁磁体(24)和/或部段(22)的至少一部分(25)由层状材料(26)构成。8.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)的动态磁特性取决于所述部段(21，22)的形状。9.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)至少局部以独立的铁磁性构件(23，25)形式构成。10.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)由相同的材料构成，其中，通过该材料的不同的外形设计、加工和/或处理来获得不同的磁特性或电特性。11.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)靠近所述至少一个硬磁性磁体构件设置和/或所述部段(21，22)邻接所述至少一个硬磁性磁体构件。12.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述至少一个硬磁性磁体构件(11，12)靠近所述流道(3)设置和/或所述至少一个硬磁性磁体构件(11，12)邻接所述流道⑶。13.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)或者所述磁路机构(8)的另一其它部分或者整个所述磁路机构(8)具有硬磁特性。14.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述磁路机构(8)具有对应于最快速的部段(21，22)的动态磁特性。15.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述控制装置(7)被构造且适用于输出具有不同长度(36)和/或强度(37)的脉冲(13，14，15)。16.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)的不同磁化所需的脉冲(13，14，15)短于1秒，并且优选短于100毫秒，特别优选地短于1毫秒。17.根据前述权利要求中任一项所述的阀门装置(1)，其中，在所述流道(3)内的所述磁场(9)的不均勾性能横向于流动方向(5)被调节。18.根据权利要求17所述的阀门装置(1)，其中，所述部段(21，22)在流道宽度(6)的方向上横向于所述流动方向(5)错开地设置。19.一种阻尼器(100)，该阻尼器具有两个能相对移动的主体和至少两个阻尼腔，在所述阻尼腔之间设有至少一个阀门装置(1)，其中该阀门装置(1)具有至少一个被磁流变介质(2)流经的流道(3)，并且设有用于控制的控制装置(7)，并且其中，设有至少一个磁路机构(8)，以在所述流道内提供至少一个磁场，所述磁路机构包括至少一个硬磁性磁体构件和至少一个能被所述控制装置控制的电线圈(10)，其特征在于，所述磁路机构(8)具有至少两个部段(21，22)，所述至少两个部段的动态磁特性是不同的，从而能通过由所述电线圈(10)输出的磁脉冲在所述流道(3)内调节所述磁场的不均匀性并且该不均匀性能持久存储在所述硬磁性磁体构件(11，12)中。20.—种操作阀门装置(1)的方法，其中该阀门装置(1)具有至少一个被磁流变介质(2)流经的流道(3)，并且所述阀门装置设有用于控制的控制装置(7)，并且设有磁路机构(8)，该磁路机构包括至少一个硬磁性磁体构件(11，12)和至少一个能被所述控制装置(7)控制的电线圈(10)，其中所述磁路机构(8)具有至少两个部段(21，22)，该至少两个部段的动态磁特性是不同的，其中借助所述电线圈(10)输出至少一个磁脉冲(13)，并且借助该磁脉冲(13)所产生的磁场(9)的不均匀性被持久存储在所述硬磁性磁体构件(11，12)中。21.根据权利要求20所述的方法，其中，与长脉冲相比，通过短脉冲在所述流道(3)内产生更不均匀的磁场。22.根据权利要求20和21中任一项所述的方法，其中，通过长的磁脉冲或静态磁场来在所述流道内产生均匀的磁场。23.根据权利要求20至22中任一项所述的方法，其中，为了建立特征曲线而通过所述电线圈(10)产生动态磁场并且叠加在所述磁路机构(8)的所述硬磁性材料(11，12)的静态磁场上，并且不改变其持久磁化。24.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中，所述硬磁性构件(11，12)的磁场通过对应的所述电线圈(10)被影响，尤其是被连续改变和/或通过所述电线圈(10)的短脉冲(13，14，15)被持久改变。25.根据权利要求20至24中任一项所述的方法，其中，所述电线圈(10)的所述磁场在磁脉冲过程中至少在局部被导体回路的磁场动态影响。26.根据权利要求20至25中任一项所述的方法，其中，根据至少一个磁脉冲的脉冲高度、脉冲持续时间和脉冲形状，有针对性地在形状和强度上局部不同地改变硬磁性材料的磁化。27.根据权利要求20至26中任一项所述的方法，其中，阀门特征曲线或阻尼器特征曲线通过电线圈(10)的至少一个磁脉冲被持久改变。
【专利摘要】本发明涉及一种阀门装置(1)和具有阀门装置(1)的阻尼器(100)，并且涉及一种操作方法。该阀门装置(1)包括一个被磁流变介质(2)流经的流道(3)。设有控制装置(7)。磁路机构(8)在流道(3)内提供磁场(9)。磁路机构(8)包括硬磁性磁体构件(11,12)和至少一个能被该控制装置(7)控制的电线圈(10)。磁路机构(8)具有至少两个部段(21,22)，它们的动态磁特性不同。因此，可以通过可由电线圈(10)输出的磁脉冲(13)在该流道(3)内调节磁场(9)的预定的不均匀性并且该不均匀性可存储在该硬磁性磁体构件(11,12)中。
【IPC分类】F16F9/53
【公开号】CN105283688
【申请号】CN201480031133
【发明人】斯特凡·巴特洛格, 赫尔诺特·埃尔森索恩
【申请人】因文图斯工程有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年3月31日
【公告号】DE102013005442B3, EP2981733A1, US20160033053, WO2014161809A1